第三代半導(dǎo)體公司正處在抓住機(jī)會(huì)資本化的發(fā)展階段

在市場(chǎng)的關(guān)注熱潮之下，第三代半導(dǎo)體公司正處在抓住機(jī)會(huì)資本化的發(fā)展階段。近期就不斷有公司發(fā)布招股書，但也有公司終止了上市進(jìn)程。

近日，江西瑞能半導(dǎo)體在一度徘徊著中止上市后決定了終止科創(chuàng)板掛牌計(jì)劃，此前還有天科合達(dá)終止上市計(jì)劃。山東天岳則是在前不久掛出招股書，開始走科創(chuàng)板上市流程，若其此后成功上市，將有望成為碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的第一股。

雖然其中部分公司終止上市的原因沒有確定性的答案，但通過梳理不難發(fā)現(xiàn)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于偏上游端，前期需要背負(fù)巨大的資本開支，由此帶來的量產(chǎn)難度和較高成本，也導(dǎo)致處在偏下游端的公司尚沒有走到較大規(guī)模出貨的階段。

而第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的火熱，正是與目前市場(chǎng)上需求度較高的5G基站、新能源汽車等領(lǐng)域正在爆發(fā)息息相關(guān)。

21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者近日調(diào)研發(fā)現(xiàn)，除了目前已經(jīng)聚焦在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的公司之外，不少來自其他材料領(lǐng)域的公司，也在基于其對(duì)化合物半導(dǎo)體材料的研究，探索進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

有半導(dǎo)體材料公司高管告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，第三代半導(dǎo)體材料中，氮化鎵襯底的生長(zhǎng)難度更大，而碳化硅的發(fā)展路線會(huì)更成熟，相關(guān)公司也較多。綜合來看，在海外，已有不少大廠在碳化硅市場(chǎng)占據(jù)了較大份額，且多是綜合性發(fā)展的大廠在推進(jìn)，這與國(guó)內(nèi)公司的發(fā)展路線不甚相同。當(dāng)然他有信心，隨著未來國(guó)內(nèi)公司的發(fā)展步伐加快，這種市場(chǎng)形勢(shì)將有所改變。

資本化潮起

第三代半導(dǎo)體雖然是近期才火熱起來的概念，但實(shí)際上已經(jīng)悄然發(fā)展了多年。

宏觀來看，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大約可以分為襯底-外延-器件-制造四大環(huán)節(jié)，其中襯底可理解為晶圓環(huán)節(jié)，外延是在襯底基礎(chǔ)上成長(zhǎng)出合適的材料結(jié)構(gòu)用于后續(xù)設(shè)計(jì)，器件則類似芯片設(shè)計(jì)。第三代半導(dǎo)體的其中一個(gè)難點(diǎn)就在于襯底部分。

前述高管告訴21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者，由于氮化鎵襯底生長(zhǎng)速率較慢，且大尺寸的氮化鎵單晶生長(zhǎng)難度大，才導(dǎo)致目前主要都采用碳化硅材料作為襯底材料。

因此其實(shí)在近期，甚至包括今后很長(zhǎng)時(shí)間，氮化鎵的落地主要是作為外延環(huán)節(jié)存在。

如目前商用較快的氮化鎵快充產(chǎn)業(yè)鏈，主要為硅基作為襯底、生長(zhǎng)異質(zhì)的氮化鎵材料作為外延，以此進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)；而發(fā)展很成熟的LED產(chǎn)業(yè)，此前也主要是以藍(lán)寶石材料作為襯底，采用異質(zhì)的氮化鎵材料作為外延，再進(jìn)行相關(guān)顯示功能的設(shè)計(jì)。

相比之下，碳化硅作為襯底，并以同質(zhì)的碳化硅襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)，再進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)就是相對(duì)可行的路線，且目前碳化硅襯底再生長(zhǎng)氮化鎵外延進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)也在陸續(xù)推進(jìn)過程中。

如今的資本化潮起，一方面與資本市場(chǎng)平臺(tái)對(duì)科技類公司的開放性有關(guān)，另一方面也是在海內(nèi)外廠商的共同推動(dòng)下，相關(guān)技術(shù)商用已經(jīng)在加速。

尤其在近兩年間，越來越多產(chǎn)業(yè)和投資資本相繼成為這些公司的股東方，比如華為旗下哈勃投資，在2019年左右相繼成為山東天岳和天科合達(dá)的股東，設(shè)備商中微公司，國(guó)家大基金等的身影也在積極閃現(xiàn)這些上游領(lǐng)域。

同時(shí)巧合的是，前述這三家企業(yè)都主要涉足的是碳化硅材料，其中山東天岳和天科合達(dá)為碳化硅襯底環(huán)節(jié)公司，瑞能半導(dǎo)體則處在器件環(huán)節(jié)。

至于其中一些公司為何最終選擇了暫時(shí)不通過科創(chuàng)板上市，或許可以從其招股書中看到一些端倪。

碳化硅襯底公司天科合達(dá)，招股書顯示其收入來源主要包括碳化硅晶片、其他碳化硅產(chǎn)品以及碳化硅單晶生長(zhǎng)爐，主要用于產(chǎn)業(yè)鏈下游設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的產(chǎn)品來自碳化硅晶片部分，其他碳化硅產(chǎn)品方面，其用途一部分可作為生長(zhǎng)新碳化硅晶體的“種子”晶片，另一部分則可用于設(shè)備測(cè)試和制造消費(fèi)類寶石產(chǎn)品。

招股書顯示，“其他碳化硅產(chǎn)品”項(xiàng)目的收入占據(jù)了天科合達(dá)自2018年至2020年Q1大約37%-39%的比重，在2017年甚至高達(dá)52%，來自“碳化硅晶片”的收入直到2020年Q1才達(dá)到超過六成收入貢獻(xiàn)。這也顯示出即便在產(chǎn)業(yè)層面，其產(chǎn)品商用進(jìn)程還并未走到大爆發(fā)階段，公司盈利尚且需要來自其他業(yè)務(wù)的較多支撐，而非專注來自第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的設(shè)計(jì)應(yīng)用貢獻(xiàn)。

瑞能半導(dǎo)體則可能主要來自研發(fā)投入方面。招股書顯示，在2017-2018年間，該公司的研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比重不足4%，2019年達(dá)到了科創(chuàng)板要求，但在2020年Q1該比重再度下滑到4.9%。

這些細(xì)微的經(jīng)營(yíng)數(shù)據(jù)，顯示出第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前在國(guó)內(nèi)雖面臨著龐大市場(chǎng)，但也還處在階段性發(fā)展的道路上。有行業(yè)人士曾再三向記者表示，目前資本市場(chǎng)對(duì)于這一概念的關(guān)注，或許存在熱度過高的情形。

碳化硅發(fā)展路徑

綜合觀察這三家主要企業(yè)的招股書，也可以大致了解第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑和商用進(jìn)程。尤其是處在襯底環(huán)節(jié)的公司，其一方面要承載較大資金壓力，同時(shí)還要維持對(duì)核心研發(fā)人員的投入，這條路并不那么容易走。

其中山東天岳是資金壓力較大的公司。招股書顯示，截至2020年12月，公司累計(jì)未彌補(bǔ)虧損為-15,758.09萬(wàn)元。考慮到公司計(jì)劃在碳化硅材料領(lǐng)域持續(xù)投入，或繼續(xù)進(jìn)行股權(quán)激勵(lì)，可能導(dǎo)致未來一定期間無(wú)法盈利。

具體來看，公司在2018-2020年間，歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)分別為-4,213.96萬(wàn)元、 -20,068.36萬(wàn)元、-64,161.32萬(wàn)元，面臨較大的虧損表現(xiàn)。

同時(shí)公司在此期間的營(yíng)業(yè)收入分別為13,613.40萬(wàn)元、26,855.84萬(wàn)元和42,481.19萬(wàn)元。公司方面解釋，收入逐年增長(zhǎng)，凈利潤(rùn)卻逐年下降，主要系2019年和2020年實(shí)施股權(quán)激勵(lì)所致。

天科合達(dá)雖然實(shí)現(xiàn)了勉強(qiáng)盈利，但除了前面提到的其他業(yè)務(wù)收入貢獻(xiàn)較大之外，還有較多的政府資金補(bǔ)助在支持。

公司招股書顯示，在2018年、2019年和2020年Q1三個(gè)財(cái)務(wù)時(shí)期，公司獲得的政府補(bǔ)助占同期公司利潤(rùn)總額的比例分別為534.05%、73.14%和144.75%。橫向來看，其“同行”山東天岳獲得的政府補(bǔ)助金額占同期公司收入比例近些年大約在8%-10%左右。

前述半導(dǎo)體材料公司高管向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示，半導(dǎo)體襯底領(lǐng)域在前期發(fā)展的確十分困難，其所在公司也曾一度面臨不少高管想放棄繼續(xù)“流血”發(fā)展的路徑，好不容易挨過了痛苦虧損的日子，但新技術(shù)的不斷演進(jìn)，又要求公司必須持續(xù)不斷投入資金研發(fā)。

此外，不止于所在的襯底領(lǐng)域，一些半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的公司還需要向偏下游的器件領(lǐng)域延伸，親身入局才能做出更符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品。

不過好在，雖然正歷經(jīng)艱辛發(fā)展時(shí)期，這些奔赴資本市場(chǎng)的公司已經(jīng)在行業(yè)內(nèi)取得了不錯(cuò)的成績(jī)。根據(jù)國(guó)際行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)Yole統(tǒng)計(jì)，2019年及2020年間，山東天岳已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)的世界前三。

橫向?qū)Ρ热蛑饕獜S商，前述主要廠商目前采取的發(fā)展路徑也不甚相同。當(dāng)前在碳化硅市場(chǎng)處于相對(duì)領(lǐng)先地位的CREE公司，采取的是涵蓋襯底、外延及器件制作較全面產(chǎn)業(yè)鏈的模式，國(guó)內(nèi)正奔赴資本市場(chǎng)的主要公司，則采取的是參與單個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

在技術(shù)先進(jìn)性方面，國(guó)內(nèi)與海外的差距正在縮小。根據(jù)公開信息，CREE公司目前能夠批量供應(yīng)4英寸至6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底，已成功研發(fā)并開始建設(shè)8英寸產(chǎn)品生產(chǎn)線。前述國(guó)內(nèi)公司主要產(chǎn)品是4英寸半絕緣型碳化硅襯底，6英寸相關(guān)產(chǎn)品已形成小批量銷售。

綜合來說，在目前階段，第一代硅基半導(dǎo)體材料依然是目前市面上近九成半導(dǎo)體產(chǎn)品的襯底，第三代半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)基數(shù)還較小。與此同時(shí)，當(dāng)前由于高品質(zhì)碳化硅襯底生產(chǎn)成本仍然較高，成為制約短期內(nèi)碳化硅襯底器件大規(guī)模應(yīng)用的掣肘之一。

但長(zhǎng)期來看，第三代半導(dǎo)體材料具備的耐高溫、耐高壓、高頻、大功率等特點(diǎn)，將可以承接“新基建”和5G等機(jī)遇，將助推產(chǎn)業(yè)鏈公司可以有更快發(fā)展的預(yù)期。

責(zé)任編輯：haq