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TI新一代ESD保護(hù)器件的特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例分析

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子工程網(wǎng) ? 作者:Roger Liang ? 2021-06-28 17:27 ? 次閱讀

作者:Roger Liang ,德州儀器TI) 大容量線性部門

引言

由于其不斷減少的處理節(jié)點(diǎn),數(shù)字和模擬IC越來越容易受到靜電放電 (ESD) 的損壞,因此為了保證充分的系統(tǒng)級ESD保護(hù),離散式ESD保護(hù)二極管成為一種必需組件。過去,我們把VCC連接添加至二極管,目的是降低其結(jié)電容。隨著新型二極管技術(shù)的出現(xiàn),現(xiàn)在卻不再需要。本文將向您介紹過去為什么需要VCC連接,并解釋現(xiàn)在卻不使用它的一些原因。

ESD是兩個(gè)不同電勢的物體接觸時(shí)出現(xiàn)的靜電釋放現(xiàn)象。例如,在天氣干燥的冬天,在把印刷電路板(PCB) 封裝到填充有泡沫的箱子里時(shí),最高可產(chǎn)生20 kV 的ESD 。為了確保電子終端設(shè)備不受日常ESD 現(xiàn)象的損害,通常要求使用離散式二極管,其擁有比標(biāo)準(zhǔn)2kV人體模型 (HBM) 更穩(wěn)健的ESD額定值。離散二極管的ESD額定值直接與二極管的p-n結(jié)點(diǎn)面積成比例關(guān)系;但是,結(jié)點(diǎn)越大,寄生電容就越大。為了不影響二極管的ESD額定值,添加一個(gè)VCC連接是一種IC設(shè)計(jì)方法,它可以有效降低二極管的寄生電容,但有可能會損壞連接至VCC的所有其他器件。然而,工藝技術(shù)的最新進(jìn)展,讓二極管設(shè)計(jì)人員不再需要VCC連接,并同時(shí)能夠保證低電容和高ESD額定值。

二極管特性

二極管是最為基本的半導(dǎo)體器件。它由一個(gè)p型和一個(gè)n型結(jié)點(diǎn)組成,具有兩個(gè)端頭:一個(gè)p型端的陽極和一個(gè)n型端的陰極(請參見圖1)。當(dāng)從陰極向陰極(反向偏置)施加一個(gè)足夠大的電壓時(shí),二極管進(jìn)入其擊穿區(qū)域。理論上講,電阻為零時(shí),它可以傳導(dǎo)無限數(shù)量的電流。使用另一個(gè)方向(正向偏置)施加電壓,會使二極管進(jìn)入其正向?qū)щ妳^(qū)域。圖2顯示了一個(gè)基本二極管的IV曲線,它的陰極接地,電壓穿過陰極。盡管針對不同應(yīng)用有許多不同類型的二極連接管,但這里要討論的是ESD保護(hù)應(yīng)用的超快速響應(yīng)二極管。這些二極管可以非常快速地對高ESD電壓做出響應(yīng),并通過分流ESD電流至接地,在幾納秒時(shí)間內(nèi)便可把數(shù)千伏電壓降低至僅僅數(shù)十伏。

影響二極管寄生電容的因素有兩個(gè):結(jié)電容(由于過渡層內(nèi)的電荷變化)和擴(kuò)散電容(由于中性區(qū)域內(nèi)的過剩載流子)。在反向偏置區(qū)域由結(jié)電容主導(dǎo),其為ESD二極管的正常應(yīng)用區(qū)。二極管的結(jié)電容描述如下:

其中:

A為結(jié)面積。εSi為硅的介電常數(shù)。q為一個(gè)庫侖電荷。NA為受主摻雜濃度。ND為施主摻雜濃度。φ0為結(jié)點(diǎn)的內(nèi)建電壓。VA為在結(jié)點(diǎn)上施加的偏置電壓。

在應(yīng)用級,VA越高,結(jié)電容越低(請參見圖3)。這是因?yàn)?,以前的二極管技術(shù)要求一個(gè)VCC偏置來穩(wěn)壓VA,-從而降低寄生電容。使用VCC連接還讓系統(tǒng)工程師可以在VCC節(jié)點(diǎn)添加一個(gè)大電容(請參見圖4),它起到一個(gè)電荷庫的作用,目的是吸收一些過多的ESD能量,從而逐漸增加ESD保護(hù)。

把高速二極管用于ESD保護(hù)

為了設(shè)計(jì)出一種高ESD額定值、低電容的二極管結(jié)構(gòu),通常使用三二級管方法(參見圖5和6),原因有三個(gè):

1、相比在反向擊穿區(qū)域,二極管在正向?qū)щ妳^(qū)域可以承受更強(qiáng)的電流。

2、隱藏式 (hiding) 二極管1和齊納二極管可抵制正ESD電擊。

3、隱藏式二極管2可抵制負(fù)ESD電擊。

兩個(gè)更小的“隱藏式”二極管與一個(gè)更大的齊納二極管串聯(lián)。由于其串行結(jié)構(gòu),隱藏式二極管的電容更小,可有效隱藏齊納二極管的大電容。在正ESD電擊期間,隱藏式二極管1進(jìn)入其正向?qū)щ妳^(qū)域。齊納二極管進(jìn)入其反向擊穿區(qū)域,從而形成一條通路,讓ESD 電流被分流至接地,而不會進(jìn)入受保護(hù)器件內(nèi)部。大齊納二極管的大尺寸,讓其能夠在擊穿區(qū)域承受大電流。在負(fù)ESD電擊期間,隱藏式二極管2進(jìn)入其正向?qū)щ妳^(qū)域,把ESD 能量直接引導(dǎo)至接地。在上面任何一種電擊事件中,隱藏式二極管都可處理大量的ESD 電流,因?yàn)樗鼈兘^對不會擊穿,只會進(jìn)入正向?qū)щ妳^(qū)域。

不使用VCC連接的好處

過去幾年,二極管制造技術(shù)取得了巨大的進(jìn)步,實(shí)現(xiàn)了更低的結(jié)電容,并且沒有犧牲高ESD額定值。這些進(jìn)步包括:

。 從橫向二極管結(jié)構(gòu)變?yōu)榭v向二極管結(jié)構(gòu)

。 更高的單位面積ESD性能

。 NA和ND摻雜更少,卻可以達(dá)到相同的正向擊穿電壓

這些進(jìn)步意味著,在降低結(jié)電容來支持高速接口時(shí)-不再需要使用VCC連接。不使用VCC連接,給系統(tǒng)工程師帶來如下三方面的好處:

1、沒有泄露電流進(jìn)入內(nèi)部電源

如果一個(gè)高壓輸入信號通過低VCC電平連接ESD二極管-I/O,則信號電流可能會通過隱藏式二極管1泄露進(jìn)入到VCC以及該節(jié)點(diǎn)上連接的其他器件內(nèi)(圖7)。這可能會損壞連接它的電源或者器件。如果VCC沒有連接ESD二極管,則無需有這方面的擔(dān)心。

2、不會對內(nèi)部電源造成ESD損壞

在正ESD電擊期間,VCC 沿著ESD電流的放電路徑,并且它的電壓水平為I/O 處箝位電壓以下一個(gè)VF(~0.5到0.7 V)。盡管由于分流電容的使用,在面對ESD時(shí)電源已經(jīng)非常穩(wěn)健,但這種升高的電壓水平非常可能會損壞由VCC 驅(qū)動的器件(圖8)。情況一樣,如果VCC不連接至ESD二極管,則無需擔(dān)心。

3、無需外部電容

德州儀器公司(TI)的ESD二極管工藝開發(fā)重點(diǎn)加強(qiáng)整體p-n結(jié)構(gòu),以便讓其能夠承受更大的ESD 電壓。由于TI的新一代ESD 保護(hù)二極管擁有高達(dá)30 kV的額定值,因此使用一個(gè)附加電容僅可提高少許總ESD額定值。使用一個(gè)便會達(dá)到“收益遞減”點(diǎn)。不使用電容,可減少材料數(shù)目清單,節(jié)省成本,并為其他重要器件留出更多的PCB空間。

TI新一代ESD保護(hù)器件例子

TI的TPD2E2U06 ESD保護(hù)器件便是二極管技術(shù)進(jìn)步的一個(gè)重要例子。與它的前輩不同,TPD2E001 不要求VCC 連接,但保持相同的電容,電壓更低,并且ESD額定值增加了兩倍。(參見表1)其他TI的類似ESD保護(hù)器件還包括TPD4E1U06、TPD4E1U06和TPD4E05U06。

表1 TPD2E001 和TPD2E2U06規(guī)范對比表

結(jié)論

不要求VCC 連接的ESD 保護(hù)二極管帶來了許多好處。VCC引腳不需要電容來增加ESD額定值。它減少了組件-數(shù)目,簡化了布局,并且降低了布局成本。不使用VCC 連接,還保證了沒有漏電流進(jìn)入到電源中,同時(shí)不會對本應(yīng)通過VCC連接至電源的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)造成ESD損壞。

責(zé)任編輯:gt

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