MRAM,即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱,兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM,屬于MRAM的二代產(chǎn)品,解決了MRAM寫入信息存在的問題。
STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ(磁性隧道結),由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。目前,STT-MRAM已經(jīng)從幾家代工廠(GlobalFoundries、英特爾、三星、臺積電和聯(lián)電)中脫穎而出,成為一種非常有吸引力的IP選擇。
STT-MRAM具有以下幾個出色的特性:
STT-MRAM的開發(fā)步驟包括以下幾項:
第一步是材料的堆棧工程——例如,晶體結構、原子組成、厚度和每個層邊界的界面特性。需要通過詳細的“自旋極化”計算確定以下材料特性:
第二步是擴展電子級、“基態(tài)、零K”材料模擬。
第三步是將 MTJ 物理維度引入到工藝開發(fā)中。下圖說明了磁性“耦合場”在制造后如何存在于錐形、非完全圓柱形 MTJ 中。
最后一步是將之前對材料、溫度相關性和 MTJ 尺寸的分析抽象為合適的“緊湊型器件模型”, MRAM陣列設計人員可以用陣列解碼的 SPICE 模型結合位單元存取晶體管、寫入驅(qū)動器和讀取傳感設備。
與當前的嵌入式閃存相比,STT-MRAM 在以下幾個方面都具有優(yōu)勢:
所有這些特性優(yōu)勢都是在嚴格的環(huán)境條件下應用,例如-40℃~125℃——對應于帶有eMRAM IP的工業(yè)應用SoC。
制造方式實際上也是STT-MRAM優(yōu)于閃存的點。以臺積電32Mb嵌入式STT-MRAM為例,閃存需要12個或更多額外的掩模,只能在硅基板上實現(xiàn),并且以頁面模式寫入。由于MTJ器件能夠通過三個左右額外的掩膜嵌入芯片的線路后端(BEOL)互連層,因此STT-MRAM在后段(BEOL)金屬層中實現(xiàn)僅需要2-5個額外的掩模,并且可以以字節(jié)模式寫入。
將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進行比較,STT-MRAM的讀寫時間分別為2和20 ns,而相變RAM(PRAM)的讀取時間為20~50ns,寫入的時間為30ns。此外,STT-MRAM的耐久性也是要優(yōu)于PRAM的。
當然STT-MRAM也有自身的一些問題。在基于STT-MRAM的許多應用中,磁場干擾是一個潛在的問題。因此 STT-MRAM 陣列的磁抗擾度 (MI) 是一個新的可靠性參數(shù)。在最近的 2021 年 VLSI 研討會上,GLOBALFOUNDRIES 的 MRAM 負責人 Vinayak Bharat Naik 解讀了采用 22FDX-SOI 工藝技術制造的 MRAM 陣列的磁抗擾度實驗分析結果。值得注意的是,該技術還具有非常吸引人的 RF 特性。因此,可能存在帶有電感元件的片上 RF IP,即便這些電感元件會發(fā)出顯著的場強。下面看看STT-MRAM對于外部場強和片上場強的反應。
外部場強源自 SoC 封裝之外。Vinayak 展示了應用于 STT-MRAM 測試站點的實驗設置和 MI 分析結果。下圖顯示了(ECC 校正的)存儲器讀寫 BER 為零,活動 MI 大于 250 Oe。
另外,Vinayak 還強調(diào),MTJ 層內(nèi)磁化疇的各向異性表明外部磁場和 STT-MRAM 測試點表面之間的入射角可能會影響抗干擾性。
SoC 芯片內(nèi)的抗磁性能有兩個方面:
Vinayak 分享了分析數(shù)據(jù),顯示感應線圈的磁場強度與分離距離的關系,如下所示。右上方的圖表顯示了源自嵌入式 STT-MRAM 陣列的磁場。在示例中,MRAM陣列場非常小,因此對LC諧振回路振蕩頻率的影響可以忽略不計。
嵌入式MRAM 確實引入了一個新的可靠性問題——陣列對來自 SoC 封裝外部或芯片上電感電路的磁場的“抗擾度”。在制造環(huán)節(jié),為了解決磁干擾性問題,制造商選擇在封裝上沉積0.3mm厚的磁屏蔽層。實驗表明在移動設備的商用無線充電器的磁場強度為3500Oe的情況下,暴露100小時的誤碼率可以從> 1E6 ppm降低到1ppm。另外,在650 Oe的磁場下,在125°C下的數(shù)據(jù)保存時間超過10年。
目前MRAM軟件技術正在世界各地的實驗室中開發(fā),但是隨著STT-MRAM產(chǎn)品成本的降低,無論是嵌入式產(chǎn)品還是獨立產(chǎn)品,MRAM軟件技術都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機存取存儲器應用的手段,提供更高的非易失性存儲器密度。
談到應用,STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼,并將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絊RAM充當緩沖區(qū)或高速緩存。例如低端手機同時使用NOR和SRAM,可以很容易地用單個STT-MRAM芯片替換它們。
同時,STT-MRAM具有重要的軍事應用,在抗惡劣環(huán)境高性能計算機、軍用衛(wèi)星、導彈、火箭、航天飛行器控制和數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、隨機存儲、非易失性、結構簡單、抗輻照能力強等優(yōu)點的存儲器系統(tǒng),這些特性STT-MRAM都具備。
本文由電子發(fā)燒友編輯整理自公開資料和semiwiki技術文章,轉載請注明!
STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ(磁性隧道結),由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。目前,STT-MRAM已經(jīng)從幾家代工廠(GlobalFoundries、英特爾、三星、臺積電和聯(lián)電)中脫穎而出,成為一種非常有吸引力的IP選擇。
STT-MRAM具有以下幾個出色的特性:
- 儲存時間長
- 高密度
- 隨機訪問
- 接近零泄漏功率
- 低寫誤碼率
STT-MRAM的開發(fā)步驟包括以下幾項:
第一步是材料的堆棧工程——例如,晶體結構、原子組成、厚度和每個層邊界的界面特性。需要通過詳細的“自旋極化”計算確定以下材料特性:
- 磁各向異性 (K)
- 磁飽和 (Ms)
- 隧道磁阻性(TMR)
第二步是擴展電子級、“基態(tài)、零K”材料模擬。
第三步是將 MTJ 物理維度引入到工藝開發(fā)中。下圖說明了磁性“耦合場”在制造后如何存在于錐形、非完全圓柱形 MTJ 中。
圖源:semiwiki
最后一步是將之前對材料、溫度相關性和 MTJ 尺寸的分析抽象為合適的“緊湊型器件模型”, MRAM陣列設計人員可以用陣列解碼的 SPICE 模型結合位單元存取晶體管、寫入驅(qū)動器和讀取傳感設備。
與當前的嵌入式閃存相比,STT-MRAM 在以下幾個方面都具有優(yōu)勢:
- 耐久性(讀/寫周期數(shù))
- 數(shù)據(jù)保留(非易失性陣列存儲)
- 讀/寫循環(huán)性能
- 成本
所有這些特性優(yōu)勢都是在嚴格的環(huán)境條件下應用,例如-40℃~125℃——對應于帶有eMRAM IP的工業(yè)應用SoC。
制造方式實際上也是STT-MRAM優(yōu)于閃存的點。以臺積電32Mb嵌入式STT-MRAM為例,閃存需要12個或更多額外的掩模,只能在硅基板上實現(xiàn),并且以頁面模式寫入。由于MTJ器件能夠通過三個左右額外的掩膜嵌入芯片的線路后端(BEOL)互連層,因此STT-MRAM在后段(BEOL)金屬層中實現(xiàn)僅需要2-5個額外的掩模,并且可以以字節(jié)模式寫入。
將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進行比較,STT-MRAM的讀寫時間分別為2和20 ns,而相變RAM(PRAM)的讀取時間為20~50ns,寫入的時間為30ns。此外,STT-MRAM的耐久性也是要優(yōu)于PRAM的。
當然STT-MRAM也有自身的一些問題。在基于STT-MRAM的許多應用中,磁場干擾是一個潛在的問題。因此 STT-MRAM 陣列的磁抗擾度 (MI) 是一個新的可靠性參數(shù)。在最近的 2021 年 VLSI 研討會上,GLOBALFOUNDRIES 的 MRAM 負責人 Vinayak Bharat Naik 解讀了采用 22FDX-SOI 工藝技術制造的 MRAM 陣列的磁抗擾度實驗分析結果。值得注意的是,該技術還具有非常吸引人的 RF 特性。因此,可能存在帶有電感元件的片上 RF IP,即便這些電感元件會發(fā)出顯著的場強。下面看看STT-MRAM對于外部場強和片上場強的反應。
外部場強源自 SoC 封裝之外。Vinayak 展示了應用于 STT-MRAM 測試站點的實驗設置和 MI 分析結果。下圖顯示了(ECC 校正的)存儲器讀寫 BER 為零,活動 MI 大于 250 Oe。
圖源:semiwiki
另外,Vinayak 還強調(diào),MTJ 層內(nèi)磁化疇的各向異性表明外部磁場和 STT-MRAM 測試點表面之間的入射角可能會影響抗干擾性。
SoC 芯片內(nèi)的抗磁性能有兩個方面:
- 源自電感線圈的場,例如用于LC諧振電路,導致STT-MRAM錯誤率。
- 源自MTJ陣列本身的場,影響LC槽功能。
Vinayak 分享了分析數(shù)據(jù),顯示感應線圈的磁場強度與分離距離的關系,如下所示。右上方的圖表顯示了源自嵌入式 STT-MRAM 陣列的磁場。在示例中,MRAM陣列場非常小,因此對LC諧振回路振蕩頻率的影響可以忽略不計。
圖源:semiwiki
嵌入式MRAM 確實引入了一個新的可靠性問題——陣列對來自 SoC 封裝外部或芯片上電感電路的磁場的“抗擾度”。在制造環(huán)節(jié),為了解決磁干擾性問題,制造商選擇在封裝上沉積0.3mm厚的磁屏蔽層。實驗表明在移動設備的商用無線充電器的磁場強度為3500Oe的情況下,暴露100小時的誤碼率可以從> 1E6 ppm降低到1ppm。另外,在650 Oe的磁場下,在125°C下的數(shù)據(jù)保存時間超過10年。
目前MRAM軟件技術正在世界各地的實驗室中開發(fā),但是隨著STT-MRAM產(chǎn)品成本的降低,無論是嵌入式產(chǎn)品還是獨立產(chǎn)品,MRAM軟件技術都可能成為MRAM取代最快的靜態(tài)隨機存取存儲器應用的手段,提供更高的非易失性存儲器密度。
談到應用,STT-MRAM可以在許多嵌入式應用中替代NOR閃存和SRAM。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼,并將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絊RAM充當緩沖區(qū)或高速緩存。例如低端手機同時使用NOR和SRAM,可以很容易地用單個STT-MRAM芯片替換它們。
同時,STT-MRAM具有重要的軍事應用,在抗惡劣環(huán)境高性能計算機、軍用衛(wèi)星、導彈、火箭、航天飛行器控制和數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、隨機存儲、非易失性、結構簡單、抗輻照能力強等優(yōu)點的存儲器系統(tǒng),這些特性STT-MRAM都具備。
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