硅基Mini LED顯示 晶能硅基垂直芯片方案的三大優(yōu)勢

LED行業(yè)每十年左右迎來一輪大的技術(shù)和應(yīng)用升級。十年前以大尺寸背光、小間距顯示為代表的應(yīng)用升級，驅(qū)動了2010-2017年LED行業(yè)的繁榮。而結(jié)合目前芯片價格上漲、中國臺灣產(chǎn)業(yè)鏈營收回暖等跡象，LED行業(yè)拐點正在來臨，下游需求向好疊加技術(shù)升級推動行業(yè)景氣抬升，Mini/Micro LED將開啟下一個十年。

LED日趨微型化，Mini & Micro LED應(yīng)運而生， MiniLED背光產(chǎn)品對提升顯示質(zhì)量效果顯著， Mini LED背光商業(yè)化進展迅速，有望成為液晶高端顯示器解決方案。專家預(yù)測Mini & Micro LED直顯可能是未來最優(yōu)的顯示技術(shù)；高畫質(zhì)、低能耗特點使其在消費電子市場優(yōu)勢盡顯。

2021年8月4日，深圳市照明與顯示工程行業(yè)協(xié)會、惠州仲愷高新區(qū)LED品牌發(fā)展促進會、廣州國際照明展覽會在廣州國際照明展9.2號館E60聯(lián)合主辦主題為“LED顯示照明行業(yè)新十年”的Mini & Micro LED顯示照明發(fā)展高峰論壇。

晶能芯片中心總監(jiān)楊小東出席Mini & Micro LED顯示照明發(fā)展高峰論壇并做《硅基LED Mini超高清顯示屏應(yīng)用趨勢》主題演講。

以下是報告主要內(nèi)容

晶能硅基垂直芯片方案有三大優(yōu)勢：

01

Mini LED顯示方案

晶能TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案簡介：

TFFC: 一般指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結(jié)構(gòu)，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡稱TFFC。

晶能P0.6—P0.3顯示方案TFFC 2*4mil芯片簡介：

VTF/TFFC 芯片實現(xiàn)P0.6—0.3技術(shù)方案介紹：

由于現(xiàn)有四元紅光去襯底后機械強度不夠，在極小芯片尺寸下進行轉(zhuǎn)移的過程中容易碎裂，很難進行后續(xù)的工藝生產(chǎn)。晶能將以下兩個技術(shù)路線為主要研發(fā)方向：

技術(shù)路線一：

RGB三色均采用InGaN TFFC ，LED外延、芯片制程統(tǒng)一。硅基InGaN紅光LED取得巨大突破，為該技術(shù)提供可能。

技術(shù)路線二：

TFFC芯片+量子點/KSF紅光（QD/KSF+藍光InGaNLED）,采用印刷、噴涂、打印等技術(shù)，在藍光LED表面放置QD或者KSF熒光粉得到紅色的LED。

TFFC、FC與Micro芯片對比（實現(xiàn)P0.6以下間距顯示）：

用Micro芯片技術(shù)的約70%去實現(xiàn)Mini顯示，降低了技術(shù)難度，同時可以讓4k、8k超高清顯示的LED芯片成本大幅度降低，大量量產(chǎn)有機會在2年內(nèi)實現(xiàn)。

02

硅基Mini LED芯片進展

晶能硅基Mini LED 產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)劃：

4K、8K Mini超高清顯示大屏在5G技術(shù)的驅(qū)動下勢不可擋，晶能硅基Mini LED芯片技術(shù)路線有機會提供一個超高性價比光源解決方案。

03

硅基MicroLED芯片展望

MicroLED預(yù)研：

世界范圍內(nèi)主流Micro的研究方向還是以硅襯底GaN LED去襯底技術(shù)路線為主，由于硅襯底GaN與硅半導(dǎo)體晶圓的物理兼容性，可以最大效能利用晶能現(xiàn)有資源，同時避開巨量轉(zhuǎn)移問題，公司優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究，應(yīng)用AR/VR/HUD/HMD等方向。

硅基GaN與硅基CMOS驅(qū)動電路進行晶圓級邦定，去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。

研發(fā)路線：先單色，后全彩。

晶能光電簡介

晶能光電成立于2006年2月，是專注于大功率LED芯片、器件和第三代半導(dǎo)體GaN材料開發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。 晶能光電在硅襯底GaN技術(shù)領(lǐng)域已耕耘近二十載，在全球率先實現(xiàn)硅襯底GaN技術(shù)在LED領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化和市場應(yīng)用，開創(chuàng)了全球第三條藍光LED技術(shù)路線，在全球申請或擁有420多項專利，其中硅襯底GaN基藍光LED技術(shù)獲得2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎。同時，公司憑借硅襯底GaN材料技術(shù)優(yōu)勢，在硅襯底Micro LED和GaN HEMT的材料研究領(lǐng)域具有深厚積淀。 公司擁有國際化的技術(shù)團隊和管理團隊，具備持續(xù)創(chuàng)新的、先進的大規(guī)模生產(chǎn)制造和管理能力。公司將秉承創(chuàng)新和本分的基因，致力于為全球消費者提供全方位的高端LED照明、微顯示和GaN器件的產(chǎn)品和解決方案。

編輯：hfy