嵌入式移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案新變化，512G成移動(dòng)存儲(chǔ)主流

（文/程文智）近20年來(lái)，智能手機(jī)成為了對(duì)我們影響最大的電子產(chǎn)品?，F(xiàn)在的手機(jī)承載了越來(lái)越多的功能，可以說(shuō)，如今出門(mén)你可以不帶錢(qián)包、但一定要帶上手機(jī)?，F(xiàn)在的手機(jī)攝像頭像素越來(lái)越高、處理器速度越來(lái)越快、網(wǎng)絡(luò)速度也越來(lái)越快，同樣地，手機(jī)需要的存儲(chǔ)容量也越來(lái)越大。

其實(shí)，隨著智能手機(jī)的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)的要求也在變化當(dāng)中。比如之前2G時(shí)代，手機(jī)有2GB，4GB的存儲(chǔ)就很大了，3G時(shí)代也不過(guò)8~16GB的需求，4G時(shí)代則達(dá)到了128GB，256GB，如今5G時(shí)代，手機(jī)都是128GB起步，256GB和512GB成為了主流，高的甚至到了1TB容量。

手機(jī)對(duì)移動(dòng)存儲(chǔ)的要求

除了容量的要求，手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)的讀寫(xiě)速度也在發(fā)生變化，西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷(xiāo)售總監(jiān)文芳表示，手機(jī)最主要的功能是連接，目前主流的連接方式有蜂窩連接和WiFi連接。就目前的5G速率來(lái)說(shuō)，大概是1GBps，未來(lái)到2024年可能會(huì)達(dá)到2GBps；就WiFi來(lái)說(shuō)，目前主流的標(biāo)準(zhǔn)是WiFi6/WiFi 6E，到2024年應(yīng)該會(huì)實(shí)現(xiàn)WiFi7，那時(shí)的速率就會(huì)接近2GBps。

說(shuō)到手機(jī)的存儲(chǔ)性能，一般是只存儲(chǔ)的隨機(jī)讀寫(xiě)和順序讀寫(xiě)性能。首先是隨機(jī)讀寫(xiě)性能，手機(jī)中需要用到隨機(jī)讀寫(xiě)的應(yīng)用有很多，比如開(kāi)關(guān)機(jī)，先是APP的啟動(dòng)，然后開(kāi)始調(diào)用安卓系統(tǒng)；又比如隨機(jī)打開(kāi)APP應(yīng)用，相信所有人都希望點(diǎn)擊APP后，馬上就會(huì)有反應(yīng)，而不是等待幾秒鐘之后才出來(lái)。

其次是順序讀寫(xiě)性能，一般來(lái)說(shuō)我們從網(wǎng)絡(luò)上下載東西、安裝APP等都是順序讀寫(xiě)。目前在手機(jī)中對(duì)順序?qū)懭胍蟊容^高的就是安裝APP了，目前的要求是1GBps。

西部數(shù)據(jù)的嵌入式移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案

為了滿足移動(dòng)設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)容量和性能的需求，西部數(shù)據(jù)在近期推出了全新的iNAND MC EU551嵌入式閃存器件。相比前一代產(chǎn)品EU521，EU551有了更多的改進(jìn)。

據(jù)文芳介紹，EU551的速度更快了、延時(shí)更短了、容量密度更高了，最高可達(dá)512GB。從性能上來(lái)看，一是順序讀取速度從1.5GBps提升到了2GBps，順序?qū)懭敕逯邓俣葟?.8GBps提升到了1.55GBps；隨機(jī)讀取速率從60KIOPS提升到了140KIOPS，隨機(jī)寫(xiě)入峰值速率達(dá)130KIOPS。

為何EU551的產(chǎn)品性能會(huì)有這么大的提升呢？西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅的解釋是主要得益于三個(gè)方面：
一是NAND array，西部數(shù)據(jù)的BiCS 4上面做了一些TRIM上面的調(diào)校，NAND Toggle mode，所以性能可以提升。也就是Clock提升了，即Toggle mode，可以讓它的速率可以提升得更高，讀寫(xiě)速度就是I/O速度。

二是在NAND有一個(gè)外圍電路，一般大家都知道NAND的介質(zhì)，在NAND介質(zhì)外面有一個(gè)訪問(wèn)NAND的外圍電路Peripherals。

這都是一個(gè)die上面的兩部分。這兩部分都做了一些優(yōu)化。所以說(shuō)整體提升了它的I/O的性能。

三是主控。EU551用的是西部數(shù)據(jù)自研的，而該主控相對(duì)上一代的主控有了大幅度的提升，包括制程、速度和內(nèi)部的RAM很多的設(shè)計(jì)，使這個(gè)產(chǎn)品都做了統(tǒng)一的提升。

除了讀寫(xiě)性能的全面提升，EU551還具有其他一些特色，比如配備了UFS 3.1接口，容量是從128GB到512GB；順應(yīng)現(xiàn)在大多手機(jī)客戶對(duì)封裝的要求，做到了11.5×13毫米的封裝。同時(shí)加入了強(qiáng)化的健康報(bào)告功能，健康報(bào)告可以幫助客戶在現(xiàn)場(chǎng)排除一些設(shè)備的問(wèn)題，包括產(chǎn)品出廠以后，客戶可以在客戶端可以看到存儲(chǔ)器磨損的情況，來(lái)做到及時(shí)地管理。

其工作溫度范圍上是-25℃到85℃，可以應(yīng)用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。同時(shí)，EU551是在雙電壓的環(huán)境下運(yùn)行的，核心電壓是在2.4V到2.7V，還有個(gè)I/O電壓在1.14V到1.26V運(yùn)作。同時(shí)，EU551還加入了熱保護(hù)的功能，在器件過(guò)熱的時(shí)候，數(shù)據(jù)會(huì)在安全模式下運(yùn)行，這樣就可以保證數(shù)據(jù)財(cái)產(chǎn)的安全。

此外，寫(xiě)入加速器這也是西部數(shù)據(jù)產(chǎn)品一貫的特點(diǎn)，也是西部數(shù)據(jù)很有特色的一個(gè)產(chǎn)品性能。在大的順序?qū)懭牖蛘呖焖夙樞驅(qū)懭氲臅r(shí)候，會(huì)把一些數(shù)據(jù)先迅速地寫(xiě)入到Smart SLC這樣一個(gè)空間，然后在后臺(tái)會(huì)再把它寫(xiě)到存儲(chǔ)的那一塊區(qū)域，這樣會(huì)讓大家在使用上不會(huì)有任何數(shù)據(jù)傳輸影響的體驗(yàn)。

最后，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還有HPB 2.0的一個(gè)主機(jī)性能加速器，跟主機(jī)有很強(qiáng)的配合的，首先是要求主機(jī)能支持這個(gè)功能，這塊在寫(xiě)入一些地址時(shí)以便于它更快地對(duì)芯片進(jìn)行操作。

結(jié)語(yǔ)

隨著互聯(lián)技術(shù)的日益復(fù)雜，這就對(duì)生態(tài)中的各個(gè)參與方提出了更多的要求，不管是在新創(chuàng)意、新架構(gòu)、新接口方面都需要大家的通力合作，這些合作也會(huì)更好地推動(dòng)技術(shù)的創(chuàng)新。未來(lái)的創(chuàng)新需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的共同深入配合。希望未來(lái)的創(chuàng)新產(chǎn)品越來(lái)越多。