如何提高電動(dòng)汽車的續(xù)航

隨著全球新能源汽車的蓬勃發(fā)展，越來越多的家庭在購車時(shí)選擇電動(dòng)汽車作為家用車，而在選購時(shí)，通常將汽車的續(xù)航作為一個(gè)重要參考指標(biāo)。如何提高電動(dòng)汽車的續(xù)航呢？一方面可以通過增加電池的總?cè)萘浚硪环矫?，通過降低車載設(shè)備的功耗。為此，東芝推出了有助于降低車載設(shè)備功耗的小型表面貼裝的40V N溝道功率MOSFET：XPN7R104NC，讓我們一起來看看它到底是一顆怎樣的器件呢？

01觀其表：器件特性

XPN7R104NC是東芝為減小車載設(shè)備功耗而推出的一款小型貼片封裝的全新N溝道功率MOSFET，其采用帶有可焊錫側(cè)翼引腳結(jié)構(gòu)的TSON Advance（WF）封裝技術(shù)，便于對(duì)電路板安裝條件進(jìn)行自動(dòng)目視檢查。此外，采用“U-MOSVIII-H”工藝的低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)有助于設(shè)備降低設(shè)備功耗，達(dá)到節(jié)能的效果。同時(shí)他能夠代替具有相同封裝尺寸的傳統(tǒng)東芝產(chǎn)品，在性能改進(jìn)的基礎(chǔ)上，還有利于通過更換類似的5mm×6mm尺寸產(chǎn)品，以促進(jìn)ECU的小型化。

XPN7R104NC的特性如下：

低漏極-源極導(dǎo)通電阻：柵極-源極電壓VGS＝10V時(shí)，RDS（ON）＝7.1mΩ（最大值）；

低漏電流：漏極-源極電壓VDS＝40V時(shí)，IDSS＝10μA（最大值）；

增強(qiáng)型MOS：柵極閾值電壓Vth＝1.5V至2.5V（VDS＝0V，ID＝0.2mA）；

通過AEC-Q101認(rèn)證。

02知其理：應(yīng)用電路

XPN7R104NC是東芝XRN系列小型表面貼裝N溝道功率MOSFET的一員，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理如下圖所示：

從器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖可以看出，單片XPN7R104NC芯片中，僅有一個(gè)N-MOS結(jié)構(gòu)，其1／2／3pin為源極（Source），4pin為柵極（Gate），5／6／7／8pin均為漏極（Drain），在使用時(shí)需要特別注意。同時(shí)東芝官方給出了應(yīng)用電路示例，方便工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)進(jìn)行參考。

03明其用：應(yīng)用場(chǎng)景

XPN7R104NC作為東芝新推出的MOSFET器件，其擁有多項(xiàng)新特性，如新型的TSON Advance（WF）封裝，新型的“U-MOSVIII-H”工藝，這些都為XPN7R104NC帶來更加優(yōu)異的性能表現(xiàn)，使得這款功率MOSFET能夠在車載設(shè)備、開關(guān)穩(wěn)壓器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中發(fā)揮其應(yīng)用價(jià)值。

東芝作為世界級(jí)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，憑借其豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)創(chuàng)新能力，不僅使設(shè)計(jì)的功率驅(qū)動(dòng)器件滿足性能需求，同時(shí)也能兼顧環(huán)保及降低設(shè)備功耗，而這也契合未來電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)的需要，相信這些特點(diǎn)能夠讓東芝的器件大放異彩。

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