作者:德州儀器Kilby實驗室電源管理總監(jiān)Jeff Morroni
毫無疑問,電源在調(diào)節(jié)、傳輸和功耗等各個方面都成為日益重要的話題。人們期望產(chǎn)品功能日趨多樣、性能更強大、更智能、外觀更加酷炫,業(yè)界看到了關(guān)注電源相關(guān)問題的重要意義。展望2019年,三大廣泛的問題最受關(guān)注,即:密度、EMI和隔離(信號和電源)。
實現(xiàn)更高的密度:將更多電源管理放入更小的空間
由于IC光刻工藝和每個功能運行功率的大幅縮減,使得芯片上可集成更多功能和柵極,對成品的總體功率需求迅速增長,如圖1所示。一些處理器現(xiàn)在可以消耗幾百安培電流,并且可以在不到一微秒的時間內(nèi)從低電流狀態(tài)上升到完全激活狀態(tài)。通過降低損耗和提高熱性能實現(xiàn)“在硬幣大小的面積上達(dá)到千瓦級功率”的密度目標(biāo)并非一句玩笑話。
問題不僅在于管理功率和因此產(chǎn)生的功耗。由于存在基本的I2R損耗,即使在電源負(fù)載路徑中明顯“可忽略”的電阻也成為了有效功率輸送的主要障礙:在200 A時,僅1mΩ的引線/走線電阻可導(dǎo)致出現(xiàn)0.2 V IR壓降和40 W損耗。此外,因為可以靠近負(fù)載放置,使用較小的轉(zhuǎn)換器也存在兩難問題,,這一方面有利于減少走線損耗和噪聲拾取,但也成為負(fù)載附近的一個發(fā)熱源,導(dǎo)致溫度升高。
與功率密度相關(guān)的趨勢:單顆“魔彈”可能無法解決密度難題。解決方案將包括跨學(xué)科改進(jìn),將導(dǎo)致:
更高頻率的開關(guān);
將電源管理功能(或其電感)移到處理器散熱器下方;
更高的軌電壓,如48 V,以最小化IC壓降;
新封裝類型;
將無源元件集成到芯片上或封裝中。
減小EMI:發(fā)射導(dǎo)致出現(xiàn)性能不確定和拒絕調(diào)節(jié)
審核編輯:何安
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電源管理
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