Q1
package里面有Cl元素,除了對(duì)hast有影響,還有啥風(fēng)險(xiǎn)?
A
如果是金線,HTST會(huì)失效,會(huì)快速加劇kirkendall void效應(yīng)(鹵素會(huì)跟kirkendall效應(yīng)產(chǎn)生的某個(gè)金鋁合金發(fā)生反應(yīng)),之前有遇到case,GREEN的mold compound,供應(yīng)商清線不干凈,直接在含鹵的線上做的,導(dǎo)致不管怎樣,可靠性都過(guò)不了,后來(lái)分析成分和生產(chǎn)記錄,發(fā)現(xiàn)異常。更換其他批次材料才解決。銅線或者合金線沒(méi)有經(jīng)歷過(guò),感覺(jué)也可能會(huì)有。
通常EMC里不允許超過(guò)20ppm的Cl,但是這個(gè)值是個(gè)燃燒法出來(lái)的平均值,如果正好有顆含cl的顆粒在銅球邊上,這就會(huì)造成銅球IMC產(chǎn)生變化形成crack。產(chǎn)線上的Cl基本都是人體帶來(lái)的,還有PVC。除此之外,有些Fab廠會(huì)用HCL來(lái)做線路刻蝕,如果清潔不干凈就會(huì)有Cl的殘留。
Q2
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有人知道考慮SOC里面SRAM軟失效時(shí)是按照SRAM加起來(lái)的容量考慮還是按照分開(kāi)的容量?比如通常1Mb以上的SRAM要加ECC,那么如果是兩塊512Kb的SRAM要加ECC嗎?可以認(rèn)為是制程越先進(jìn),SER失效率越低嗎?比如90nm比65nm的SRAM尺寸大一倍,所以同樣容量的SRAM,65nm的FIT是90nm的一半SER FIT?
A
軟失效率FIT在外部輻射的通量和能量固定的情況下,與SRAM的面積是成比例的,因此兩塊SRAM也要加。加或者不加應(yīng)該取決于對(duì)芯片的穩(wěn)定性要求。
在特定制程下,考慮到制程越先進(jìn),密度越高這個(gè)因素,還有輻射引起的電離特性,肯定不能拿不同制程的面積來(lái)算對(duì)應(yīng)比例的FIT?,F(xiàn)在季豐SER團(tuán)隊(duì)正在幫晶圓廠做28nm,14nm,7nm的SER對(duì)比實(shí)驗(yàn)。等做完實(shí)驗(yàn),找一下對(duì)應(yīng)關(guān)系。當(dāng)前的判斷是在不同制程下,肯定不會(huì)和面積成線性關(guān)系。
Q3
bonding如果不在無(wú)塵環(huán)境下,有什么風(fēng)險(xiǎn)?
A
灰塵引入,焊接困難,小停機(jī)多,影響焊接品質(zhì)和OEE。萬(wàn)級(jí)問(wèn)題不大。后面可以清洗。萬(wàn)級(jí)與十萬(wàn)級(jí)沒(méi)有特別大差別。實(shí)際上國(guó)內(nèi)的封裝廠幾年前沒(méi)有一家在千級(jí)無(wú)塵室做WB的。千級(jí)無(wú)塵室沒(méi)有地面架空做不到的。
Q4
芯片倒著切,有誰(shuí)知道這個(gè)工藝嗎?不是超薄片,目前擔(dān)心水壓造成芯片表面損傷,有人提出有反向切割,就是圓片在上面,刀具在下面的一種方式,所以在群里問(wèn)問(wèn),是否有人做過(guò)這個(gè)。
A
對(duì)于芯片表面不能進(jìn)水的芯片選擇方法1)激光隱形切割2)圖形芯片置于地面,SI面正面,刀片水切割;但是問(wèn)題來(lái)了設(shè)備怎么識(shí)別切割道-一種切割設(shè)備影像識(shí)別部分升級(jí)或者SI面mark切割識(shí)別印記。以上二種方法能解決您的需求,因?yàn)闆](méi)有規(guī)模化量產(chǎn)需求,實(shí)現(xiàn)成本都很高。
Q5
關(guān)于ESD HBM標(biāo)準(zhǔn),JS-001 和 IEC61000-4-2,輸出波形一樣的嗎?有啥區(qū)別?看標(biāo)準(zhǔn),好像都是模擬人體靜電放電的 HBM?
A
波形不一樣,JS001是芯片級(jí)ESD,61000-4-2是系統(tǒng)級(jí)ESD。兩者等效電路不同,波形參數(shù)上均不同。
都屬于HBM,但芯片級(jí)是模擬人體直接接觸芯片,系統(tǒng)級(jí)模擬的是終端產(chǎn)品抗靜電能力,系統(tǒng)級(jí)更嚴(yán)苛。
Q6
陶瓷08b/08j的在季豐電子可以封裝?金絲要求30微米以上的。
A
季豐可以做的。
Q7
有誰(shuí)知道這個(gè)SS=3 啥意思嗎?
A
Sample Size。
Q8
這個(gè)是disco的部件,有知道是什么的嗎?
A
Dressingtable,修整磨輪用的。
Q9
在FC封裝時(shí)候,把die傾斜45度,這樣做的技術(shù)成熟嗎?不是Z方向,中間紫色的是FC DIE。圖片如下所示:
A
這種沒(méi)問(wèn)題的。正封的時(shí)候,有45°封裝的。倒裝FC平面旋轉(zhuǎn)45度也是可以做的。
Q10
請(qǐng)教下WLCSP 封測(cè)廠切換有什么可靠性影響嗎?
A
需要重新做qual實(shí)驗(yàn),facility change相當(dāng)于重新走一遍流程??梢圆榭聪聢Dassembly site 對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)目。
Q11
電源類(lèi)產(chǎn)品一定要做HTRB嗎?
A
HTRB是功率器件要的,比如MOST IGBT。IC不需要HTRB,是HAST,HTOL,TC等。
Q12
做過(guò)RDL的wafer,再做低溫-40度會(huì)有風(fēng)險(xiǎn)嗎?
A
RDL很常規(guī),不影響可靠性。
Q13
你們做的RDL是在誰(shuí)家做的?現(xiàn)在哪些封裝廠提供RDL?6um的Cu線寬線距能做到20um以內(nèi)嗎?Cu下面墊的金屬有要求嗎?比如要求有多少層Al?或者Al的厚度?如果頂層Cu的話,是不是表面還要加一層polyimide?這樣可靠性比較好?否則Cu是否有氧化問(wèn)題?
A
長(zhǎng)電、華天、通富、智芯集成。RDL很多Bumping house都可以做,關(guān)鍵是看RDL的尺寸要求,如線寬,間距,厚度。wafer fab做RDL用表面的鋁層做,Bump house用Cu做。
可以的?,F(xiàn)在10/10(線寬/間距)非常普通。最先進(jìn)的是2/2。RDL下面墊有PI層,RDL是被PI層立體包圍的,不會(huì)有氧化之風(fēng)險(xiǎn)。
Cu RDL下面有PI,有鈍化層,一般對(duì)于金屬即Top metal沒(méi)有特殊需求。
Q14
請(qǐng)教一下,這個(gè)RDL是指頂層加厚銅還是厚鋁?
A
通常是Cu RDL。
Q15
bump表面出現(xiàn)較多黑絲狀物可能的原因是什么,會(huì)不會(huì)是出現(xiàn)了腐蝕現(xiàn)象?光刻膠的殘留有沒(méi)有常發(fā)生的位置呢?
A
邊緣位置的最好在電鏡下看一下,表面有異常元素,導(dǎo)致反應(yīng)。有可能是F或Cl,金屬顆粒大、光刻膠殘留的可能性比較大,但不排除corrosion的可能,要確認(rèn)是什么東西,只能SEM或光學(xué)顯微鏡下去看。
一般沒(méi)有,要看 Ashing 前后的工序?qū)Σ粚?duì) notch了。另外,也不一定是光刻膠殘留,也可能是鈍化層或刻蝕中間反應(yīng)物的殘留,要結(jié)合前后工序看。
Q16
CS測(cè)試是什么測(cè)試?
A
CS測(cè)試方法:https://re.sru.baidu.com/r/vUCkjRagSc?f=wf&u=7577c3cbc4a367a1。
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