國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體“搶跑”，縮短技術(shù)差距與大幅投資擴產(chǎn)并舉，需注重產(chǎn)能與需求雙向平衡

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）第三代半導(dǎo)體的火熱程度勿需多言，從氮化鎵電源適配器的規(guī)模放量到特斯拉搭載碳化硅模塊，再到國內(nèi)如火如荼地投資第三代半導(dǎo)體，這個產(chǎn)業(yè)被廣泛地看好。那么，2021-2022年第三代半導(dǎo)體的發(fā)展形勢如何呢？在日前舉辦的2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會上，北京大學(xué)教授、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波、集邦咨詢化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕等專家介紹并分析了第三代半導(dǎo)體技術(shù)/產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀等議題。

國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體現(xiàn)狀與差距

第三代半導(dǎo)體，在國際上叫做寬禁帶半導(dǎo)體，主要以氮化鎵和碳化硅材料為主，主要應(yīng)領(lǐng)域包括光電子、射頻電子、功率電子三大方向。

沈波分析指出，射頻電子方面，第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用從軍用雷達開始，探測距離和功率密集是成正比的，而氮化鎵和砷化鎵相比，功率密度要高得多，因此它做相控陣?yán)走_有不可替代的優(yōu)勢。民用方面，在5G移動通訊等應(yīng)用上氮化鎵也以其高性能逐漸取代Si基LDMOS得到廣泛應(yīng)用。

以新能源汽車、軌道交通為首的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)μ蓟韫β孰娮拥男枨蟠蠓嵘?，同時氮化鎵也在其中扮演重要角色。通用電源則是另一個對氮化鎵等功率器件需求旺盛的市場。尤其是電源適配器等已經(jīng)不斷拉升氮化鎵的使用量。

光電子仍然是第三代半導(dǎo)體當(dāng)中產(chǎn)能規(guī)模最大的應(yīng)用，包括LED照明、Mini/Micro-LED及其新型顯示應(yīng)用、深紫光固態(tài)光源等方向。半導(dǎo)體照明的節(jié)能效益已非?？捎^，中國的替代率已接近40%，同時Mini/Micro-LED及其新型顯示應(yīng)用也在大力發(fā)展。

2020年功率電子的市場規(guī)模在50多億元，增長率接近90%，射頻電子在60多億元，增長率超過50%，長期來看功率電子的規(guī)模將超過射頻電子。同時，受到5G、新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心、快充等行業(yè)的規(guī)模發(fā)展拉動，功率和射頻電子的市場規(guī)模未來有望和半導(dǎo)體照明市場并駕齊驅(qū)。

第三代半導(dǎo)體的核心技術(shù)包括在襯底、外延、芯片等環(huán)節(jié)。當(dāng)前，碳化硅襯底方面國際上6英寸襯底是主流，Cree已推出8英寸但尚未導(dǎo)入量產(chǎn)。國內(nèi)碳化硅相關(guān)企業(yè)已達30多家，4英寸碳化硅襯底已經(jīng)成熟，6英寸導(dǎo)電型襯底已經(jīng)規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，8英寸襯底與國際還有較大差距。

碳化硅芯片方面，針對碳化硅功率電子，國際上已經(jīng)完成多次迭代，二極管發(fā)展到第五代，三極管發(fā)展到第三代，IGBT也進入產(chǎn)業(yè)導(dǎo)入前期。車規(guī)級碳化硅模塊有意法半導(dǎo)體量產(chǎn)，羅姆、英飛凌、Cree等通過認(rèn)證，逐漸走向成熟。國內(nèi)碳化硅器件主要是二極管已經(jīng)量產(chǎn)出貨，碳化硅MOSFET還在量產(chǎn)導(dǎo)入前期，預(yù)計2022年工業(yè)級碳化硅MOSFET將會量產(chǎn)，車規(guī)級預(yù)計在2-3年后可實現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，650以下的氮化鎵功率電子技術(shù)已基本成熟，并實現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)。但在650伏以上平面結(jié)構(gòu)的氮化鎵功率電子的可靠性依然還有問題。

半導(dǎo)體照明從光效驅(qū)動轉(zhuǎn)向成本驅(qū)動的趨勢非常明顯，無熒光粉LED照明和長波長LED技術(shù)較為活躍。Mini-LED背光已經(jīng)規(guī)模量產(chǎn)，Mini -LED直接發(fā)光技術(shù)已經(jīng)可行，主要由于成本問題而沒有商業(yè)化。Micro-LED用于新型顯示則還有很長的路要走。

工業(yè)、儲能、新能源汽車將大幅拉升第三代半導(dǎo)體的市場需求

據(jù)集邦咨詢預(yù)測，隨著電動車滲透率的不斷升高以及整車架構(gòu)朝800伏方向邁進，預(yù)計2025年全球?qū)iC的需求量將會達到169萬片，其中絕大部分的應(yīng)用將會體現(xiàn)在汽車的主逆變器。受益于新能源革命，下游的光伏、儲能、新能源汽車以及工業(yè)自動化的爆發(fā)，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來了新的高景氣周期，整個功率半導(dǎo)體、分離器件和模塊的市場規(guī)模將從2020年的204億美金增長到2025年的274億美金，寬禁帶半導(dǎo)體的市場規(guī)模將從2020年的不到5%達到2025年的接近17%。

龔瑞驕指出，特斯拉引爆汽車市場的碳化硅應(yīng)用。我們預(yù)測全球的SiC功率市場規(guī)模將從2020年的6.8億美元增長到2025年的33.9億美元，其中新能源汽車將成為最主要的驅(qū)動力，SiC將在主逆變器、OBC、DCDC中取得主要的應(yīng)用，另外在車外的充電樁和光伏儲能領(lǐng)域有很大的應(yīng)用。在這兩年光伏儲能領(lǐng)域SiC會有加速的滲透。

他還表示，GaN在消費市場快速的起量，但整體還處于一個初期階段，蘋果今年推出了140瓦的GaN快充，我們也認(rèn)為GaN確實需要從消費電子做一個過渡，反復(fù)驗證它的可靠性，然后建立一個產(chǎn)能和生態(tài)的格局，方便以后推向工業(yè)級以及車規(guī)級。另外GaN整個市場規(guī)模將會從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元。除了消費電子，它在新能源汽車、電信以及數(shù)據(jù)中心等也將有較大的成長空間。

沈波表示，中國已經(jīng)形成了完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，從襯底、外延到芯片都有不少機構(gòu)從事相關(guān)研發(fā)工作，并且也掌握了材料技術(shù)。但在產(chǎn)品研發(fā)上特別是高端產(chǎn)品，國內(nèi)廠商與國外差距較大。

從產(chǎn)業(yè)布局看，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要集中在長三角、京津冀、珠三角（含閩三角）等區(qū)域。京津冀以研發(fā)為主，長三角和珠三角（含閩三角）以制造為主，長三角的電子更強，珠三角在光電子領(lǐng)域有優(yōu)勢。另外、武漢、西安、合肥、成都、重慶、南昌、濟南、長沙、大連等城市也有一定規(guī)模的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

但沈波也同時認(rèn)為，如今全國范圍的第三代半導(dǎo)體投資熱潮，若都實現(xiàn)量產(chǎn)，近期恐將引發(fā)一定程度產(chǎn)能過剩。如何合理利用這些產(chǎn)能，他指出，以新能源汽車為例，現(xiàn)今的年出貨量在300萬輛，但新能源汽車對碳化硅、氮化鎵器件的需求空間巨大，預(yù)期2025年年出貨量將達700萬輛，這一增長趨勢將帶動第三代半導(dǎo)體的需求量，從而逐漸的讓產(chǎn)能釋放。