基于碳化硅的25kW快速直流充電樁方案

作者：安森美 Karol Rendek, Stefan Kosterec, Dionisis Voglitsis and Rachit Kumar

在本系列文章的第一部分中，[1]我們介紹了電動車快速充電器的主要系統(tǒng)要求，概述了這種充電器開發(fā)過程的關鍵級，并了解到安森美(onsemi)的應用工程師團隊正在開發(fā)所述的充電器?，F(xiàn)在，在第二部分中，我們將更深入研究設計的要點，并介紹更多細節(jié)。特別是，我們將回顧可能的拓撲結構，探討其優(yōu)點和權衡，并了解系統(tǒng)的骨干，包括一個半橋SiC MOSFET模塊。

正如我們所了解的，電動車快速充電器通常含一個三相有源整流前端處理來自電網的AC-DC轉換并應用功率因數(shù)校正(PFC)，后接一個DC-DC級提供隔離并使輸出電壓適應電動車電池的需要)。

鑒于所提出的具挑戰(zhàn)的要求和當前的市場趨勢，系統(tǒng)工程團隊考慮了幾個替代方案來實現(xiàn)這兩個轉換級。最后，結論是在AC-DC級利用6開關有源整流器，在依賴移相調制的DC-DC級利用雙有源橋(DAB)。這兩種架構都支持雙向功能，并有助受益于1200-V SiC模塊技術，1200-V SiC模塊技術是快速和超快直流充電器的基石。接下來，我們將深入研究這兩個主要的功率級。

有源整流升壓級(PFC)

3相6開關有源整流級有助于實現(xiàn)0.99的功率因數(shù)和低于7%的總諧波失真，這些都是商用直流充電器系統(tǒng)的常見要求。與T-NPC或I-NPC等3級PFC拓撲結構相比，它提供了一個高效的雙向方案，而且元件數(shù)量少。總的來說，這種兩級架構在實現(xiàn)系統(tǒng)要求的同時，也帶來了更勝一籌的性價比。

直流鏈路將在800 V的高電壓下運行，以減少峰值電流，從而最大化能效和功率密度(圖2)。為此，兩級架構需要1200 V的VBD功率開關。

系統(tǒng)的開關頻率被設定為70 kHz，以保持二次諧波低于150 kHz，這使傳導輻射得到控制，并促進符合EN 55011 A類(歐盟)和FCC Part 15 A類(美國)規(guī)范(適用于連接到交流電網的系統(tǒng))。其中，這些規(guī)范對注入電網的傳導輻射程度設定了限值。這種方法簡化了EMI濾波器的復雜性，使現(xiàn)成的方案成為適用的理想方案，從而達到本項目的目的。

雙有源全橋(DC-DC)

DAB的DC-DC級將含兩個全橋、一個25千瓦的隔離變壓器和一個初級側的外部漏電感，以實現(xiàn)零電壓開關(ZVS)。在單變壓器結構中實現(xiàn)該轉換器有利于雙向運行。此外，具有單變壓器的轉換器的對稱性有助于最大化功率開關的ZVS的工作范圍，從而實現(xiàn)高能效。

這解決了該項目面臨的一個重大挑戰(zhàn)，最大化寬輸出電壓范圍(200 V至1000 V)的能效，使DC-DC的峰值目標能效達98%。該轉換器的工作頻率為100 kHz，這是個折衷方案，以將開關損耗以及將磁性元件的磁芯和交流損耗保持在合理的水平。

此外，該系統(tǒng)將在變壓器上運行磁通平衡控制，這種技術省去了在DAB移相結構中與變壓器一起工作所需的笨重的串聯(lián)電容器。在這快速充電器轉換器中，給定50 A的高均方根(RMS)工作電流、幾百伏的必要額定電壓和十分之幾微法的估計電容值，這種電容將在嚴格的要求下運行。以目前的現(xiàn)有技術，所有這些要求將導致一個大尺寸的電容器。因此，磁通平衡控制策略有助于減小系統(tǒng)的尺寸、重量和成本。

總的來說，DAB DC-DC轉換器為電動車快速充電器提供了一個全方位考慮的方案，它正在成為這新的快速充電器市場的一個典型方案。這種拓撲結構可以利用移相調制，在寬輸出電壓范圍提供高功率和能效。此外，開發(fā)人員可充分利用他們對傳統(tǒng)全橋移相ZVS轉換器的專知，因為這兩種系統(tǒng)之間有相似之處。

另一種方案是CLLC諧振轉換器，這是一種頻率調制拓撲結構，在有限的輸出電壓范圍內運行時，通常提供最高的轉換器峰值能效。這種轉換器是對LLC的改版，允許雙向工作。然而，控制、優(yōu)化和調整CLLC以實現(xiàn)雙向功能，并在較寬的輸出電壓范圍實現(xiàn)高輸出功率可能會變得很麻煩，需要結合頻率調制和脈沖寬度調制。

工作電壓和功率模塊

AC-DC和DC-DC級之間的直流鏈路將在高壓(800 V)下運行，以減少電流值，從而最大化能效和功率密度。輸出電壓將在200 V至1000 V之間擺動(如前所述)。由于轉換器是基于兩級拓撲結構，因此需要1200-V的擊穿電壓開關才能在這樣的電壓水平上運行。

NXH010P120MNF1半橋SiC模塊含1200 V、10 mΩ SiC MOSFET，是PFC級和DC-DC轉換器的骨干。該模塊具有超低RDS(ON)，大大降低了導通損耗，且最小化的寄生電感降低開關損耗(與分立替代器件相比)。

半橋拓撲結構和1200-V、10-mΩ SiC MOSFET，

用于實現(xiàn)AC-DC和DC-DC轉換器。

功率模塊封裝的卓越導熱性提高了功率密度(相對于分立SiC器件)，減少了冷卻需求，并實現(xiàn)了小占位和強固的方案。SiC模塊成為一個重要元素，可在緊湊型和輕型系統(tǒng)的AC-DC和DC-DC級中分別實現(xiàn)>98%的能效。

此外，模塊賦能磁性元件縮減尺寸，適用于更高開關頻率，而減少的冷卻基礎架構要求有利于降低整個系統(tǒng)的每瓦成本。在25千瓦的電動車直流充電樁功率級中，在SiC模塊上使用基于風扇的主動冷卻，應足以有效地減少系統(tǒng)中的損耗。電容器和磁性元件的選擇旨在最大限度地減少其冷卻要求，同時滿足技術規(guī)范。

控制模式和策略

數(shù)字控制將運行系統(tǒng)，依靠強大的通用控制板(UCB)，[3]它采用Zynq-7000 SoC FPGA和基于ARM的芯片。這樣一個多功能的控制單元有助于測試和輕松運行數(shù)字領域的多種控制方法——如單相移位、擴相移位和雙相移位，以及DAB變壓器上的磁通平衡——并處理所有板載和外部通信。將使用兩個UCB單元，一個用于PFC級，另一個用于DC-DC。

驅動器

門極驅動器對整個系統(tǒng)的性能和能效也至關重要。為了充分利用SiC技術，必須高效地驅動SiC MOSFET并確?？焖俎D換。與硅基器件不同，SiC MOSFET通常工作在線性區(qū)域(而不是飽和狀態(tài))。在選擇適當?shù)腣GS時需要考慮的一個重要方面是，與硅基器件不同，當VGS增加時，即使在相對較高的電壓下，SiC MOSFET也仍會表現(xiàn)出RDS(ON)的顯著改善。[4]

為了確保最低的RDS(ON)，并大大減少導通損耗，建議導通時使用+20 V的VGS。對于關斷，建議使用-5 V，這樣可以減少“關斷”過渡期間的損耗，并提高魯棒性，防止意外導通。

此外，高驅動電流是必要的，以實現(xiàn)適合SiC MOSFET的高dV/dt，這也有助于最小化開關損耗?？紤]到這一點，PFC和dc-dc級選用NCD57000 5-kV電隔離大電流驅動器。

該單通道芯片確保了快速開關轉換，源/汲電流+4-A和-6-A，并耐用，顯示出高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)。由于采用了分立式輸出，導通和關斷的門極電阻是獨立的(圖5)，允許單獨優(yōu)化導通和關斷的dV/dt值并減少損耗。

圖5. 帶有DESAT保護和分立輸出的隔離

門極驅動器的簡化應用原理圖。

此外，片上的DESAT功能對于確保SiC晶體管所需的快速過流保護非常有利，其特點是短路耐受時間比IGBT更短。下橋驅動系統(tǒng)將復制上橋驅動系統(tǒng)，這是用于快速開關系統(tǒng)的高功率應用中經驗證的好的做法。

隔離和電路的對稱性(上橋和下橋)有助于防止來自不同來源的問題(EMI、噪聲、瞬態(tài)等)，從而實現(xiàn)一個更強固的系統(tǒng)。+20-V和-5-V隔離偏置電源將由SECO-LVDCDC3064-SiC-GEVB提供，具有工業(yè)標準的引腳布局。

關鍵物料單

整合一切

顯示了上面介紹的所有系統(tǒng)器件如何在實際設計中組合在一起以提供一個完整的方案。圖7讓您很好地了解實際硬件的外觀。

PFC級位于DC-DC級的頂部，形成了一個緊湊而全面的結構。這些模塊的整體尺寸加起來最大為380×345×(200至270)毫米(長×寬×高)，高度隨封裝的電感器件而異。最終，這些25千瓦的單元可以堆疊在一起，在一個超快速的電動車直流充電樁中實現(xiàn)更高的功率水平。

后續(xù)部分簡介

在本系列文章的后續(xù)部分，我們將進一步詳細討論三相PFC級和DAB移相轉換器的開發(fā)，包括仿真和其他系統(tǒng)考量。最后將展示測試結果。

SiC模塊位于每個散熱器下面。在這些模型中，可以看到門極驅動電源、通用控制器板(UCB)和無源塊。

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參考文獻

1. “Developing A 25-kW SiC-Based Fast DC Charger (Part 1): The EV Application” by Oriol Filló, Karol Rendek, Stefan Kosterec, Daniel Pruna, Dionisis Voglitsis, Rachit Kumar and Ali Husain, How2Power Today, April 2021.

2. “Demystifying Three-Phase PFC Topologies” by Didier Balocco, How2Power Today, February 2021.

3. SECO-TE0716-GEVB product page.

4. ON Semiconductor Gen 1 1200 V SiC MOSFETs & Modules: Characteristics and Driving Recommendations,” application note AND90103/D.

5.NXH010P120MNF1: SiC Module product page.

6.NCD57000 product page.

7.SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB product page.

8.NCD98011 product page.

9.NCID9211 product page.

10.NCS21xR product page.

11. SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB product page.

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原文標題：開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述

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審核編輯：湯梓紅