DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業(yè)務(wù)

DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業(yè)務(wù)。

射頻前端是無線通信的必備器件，其負(fù)責(zé)IT設(shè)備之間的發(fā)射(Tx)和接收(Rx)，并廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)等通信領(lǐng)域。 一般來說，射頻前端模塊是以天線調(diào)諧器、開關(guān)、低噪聲放大器(LNA)和功率放大器(PA)等部件組成。

隨著無線通信技術(shù)邁向5G，對高頻率、高靈敏度的高質(zhì)量通信的需求正在不斷提升射頻前端的重要性。因此，射頻前端市場規(guī)模預(yù)計將從2019年的124億美元快速增長至2025年的217億美元。

在射頻前端的眾多部件中，DB HiTek目標(biāo)產(chǎn)品是開關(guān)和LNA。開關(guān)負(fù)責(zé)在發(fā)射/接收信號時打開/關(guān)閉通道，而LNA是5G等高速通信的核心產(chǎn)品，通過放大頻率而傳輸更準(zhǔn)確的信號。

DB HiTek通過增加SOI和HRS晶圓，以阻止或最大限度地減少之前射頻體硅工藝(RF bulk process)的泄漏電流，從而大幅提升性能。

尤其是130納米技術(shù)的RF SOI工藝，DB HiTek擁有世界領(lǐng)先的性能，如開關(guān)關(guān)鍵質(zhì)量因素(FOM)為84fs，擊穿電壓(BV)為4.4V。LNA可支持高達(dá)120GHz的截止頻率(Ft)，并有望在2022年上半年支持最高150Ghz以上。

基于110納米技術(shù)的RF HRS（高電阻率襯底，>1Kohm）工藝具有出色的價格競爭力。開關(guān)FOM為164fs，BV為4.6V，LNA可支持截止頻率為100GHz 。150GHz及以上的LNA產(chǎn)品正在開發(fā)中，將在2022年上半年內(nèi)實現(xiàn)對這一頻率的支持。

DB HiTek積極支持客戶，使客戶及時導(dǎo)入射頻前端市場，DB HiTek每季度提供一次多項目晶圓(MPW)服務(wù)，可節(jié)省客戶的研發(fā)費用。