0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

回顧2021年國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 2022-01-26 10:43 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導(dǎo)體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級更高,可使用的平臺也更廣。尤其是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來越多的車企認(rèn)可,市場發(fā)展前景逐漸明朗。

在此歲末年初之際,讓我們共同回顧2021國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。

天岳先進(jìn)躋身碳化硅襯底第一梯隊,首發(fā)過會并成功上市

天岳先進(jìn)是國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),據(jù)Yole統(tǒng)計,天岳先進(jìn)在2019、2020年連續(xù)躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三,在襯底材料與產(chǎn)能方面均實現(xiàn)了自主可控。

2021年5月,獲得哈勃投資的天岳先進(jìn)正式向上交所提交了科創(chuàng)板IPO申請。9月,天岳先進(jìn)科創(chuàng)板IPO成功過會。今年1月21日,正式登陸科創(chuàng)板成功上市。

從2018至2020的營收與凈利潤來看,天岳先進(jìn)的營收成逐年遞增的發(fā)展態(tài)勢,甚至在2019年實現(xiàn)了翻倍式的增長,但凈利潤卻出現(xiàn)了連年虧損,凈利潤由2018年的-0.43億元擴(kuò)大到2020年的-6.42億元。

盡管如此,得益于碳化硅產(chǎn)業(yè)的大熱,以及碳化硅功率器件在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)和快速充電站中高效、高功率密度的表現(xiàn)。在天岳先進(jìn)披露的認(rèn)購名單中出現(xiàn)了廣汽資本的廣祺柒號、上汽集團(tuán)、小鵬汽車等眾多車企的身影,甚至吸引來了新加坡最大的國際投資機(jī)構(gòu)(新加坡政府投資公司)的垂愛。上市首日股價上漲了3.27%,市值367.40億元。

博世碳化硅芯片啟動量產(chǎn)計劃

經(jīng)過多年的研發(fā),以及長時間的產(chǎn)品驗證,博世已經(jīng)具備了碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)的能力,2021年12月,博世通過官網(wǎng)宣布正式開啟碳化硅芯片的大規(guī)模量產(chǎn)計劃。其實,博世在2021年初就已經(jīng)生產(chǎn)并為特定用戶提供用于驗證的碳化硅芯片,也因此獲得了大量碳化硅芯片訂單。據(jù)博世官方表示,目前已經(jīng)開始著手于研發(fā)能夠滿足更高功率密度應(yīng)用的第二代碳化硅功率器件,預(yù)計將會在2022年實現(xiàn)量產(chǎn)。

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用的優(yōu)勢愈發(fā)明顯,市場需求不斷攀升,博世于2021年開始增建1000平方米的200mm晶圓生產(chǎn)無塵車間,意圖通過大尺寸晶圓,提升同一生產(chǎn)周期內(nèi)芯片的生產(chǎn)數(shù)量,增加產(chǎn)能。該生產(chǎn)車間已于去年9月實現(xiàn)投產(chǎn),200mm晶圓產(chǎn)能提升10%。預(yù)計到2023年底,博世還會新建一個3000平方米的無塵生產(chǎn)車間,持續(xù)擴(kuò)大博世碳化硅功率器件的產(chǎn)能。

ST成功制出200mm碳化硅晶圓

近年來芯片短缺的問題限制了眾多產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提高產(chǎn)能已成為了上游芯片廠商的主要目標(biāo)。2021年7月,ST宣布位于瑞典北雪平的200mm晶圓工廠,成功下線首批200mm的碳化硅晶圓片。200mm的晶圓與此前的150mm晶圓在可用面積上提升近一倍,這也就意味著,ST的碳化硅芯片產(chǎn)能也得到了進(jìn)一步擴(kuò)大。

在產(chǎn)品良率方面,憑借著ST在碳化硅領(lǐng)域多年的經(jīng)驗積累,很好地規(guī)避了碳化硅硬度高且脆而帶來高制備損耗的問題,ST的首批200mm碳化硅晶圓良率極高,芯片合格數(shù)量達(dá)到了150mm碳化硅晶圓的1.8 - 1.9 倍,隨著產(chǎn)能的擴(kuò)大,ST的市場經(jīng)濟(jì)效益也會得到進(jìn)一步的提升。

基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅產(chǎn)線落成

汽車電氣化的快速普及,功率器件成為最大的受益者,作為高效、高壓代表碳化的硅功率器件市場需求異常旺盛。2021年12月,國內(nèi)碳化硅企業(yè)基本半導(dǎo)體傳來好消息,基本半導(dǎo)體位于無錫市的車規(guī)級碳化硅功率模塊產(chǎn)線正式開通,也迎來了首批碳化硅功率模塊的下線。

據(jù)悉,這是國內(nèi)首條車規(guī)級碳化硅功率模塊專用生產(chǎn)線。為滿足車規(guī)級碳化硅功率器件的生產(chǎn)要求和提升產(chǎn)品的品質(zhì)與性能,基本半導(dǎo)體為該產(chǎn)線導(dǎo)入了車規(guī)級碳化硅專用的封裝設(shè)備,實現(xiàn)了功率模塊在使用壽命、電流流通量、散熱性能的大幅度提升。同時該產(chǎn)線還是一條數(shù)字化、智能化的生產(chǎn)線,通過全自動化的生產(chǎn)流程,進(jìn)一步提升了碳化硅功率模塊的生產(chǎn)效率與一致性。

該產(chǎn)線將于今年3月開始小批量的試生產(chǎn),年中實現(xiàn)產(chǎn)能交付,首年碳化硅功率模塊計劃產(chǎn)能在25萬只左右,預(yù)計將會在2025年之前完成年產(chǎn)能150萬只的目標(biāo)?;景雽?dǎo)體的前瞻部署,有利于緩解車規(guī)級芯片緊缺的問題,助力“雙碳”目標(biāo)的實現(xiàn)。

韓國最大無晶圓廠收購LG碳化硅業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒報道,2021年12月韓國最大的無晶圓半導(dǎo)體制造商LX Semicon收購了LG Innotek包括碳化硅晶圓、器件生產(chǎn)設(shè)備和芯片、晶圓制造方法及外延片的相關(guān)專利,并完成了資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓合同的簽署。

自2019年開始,LG Innotek的碳化硅業(yè)務(wù)一直被作為國家級的產(chǎn)業(yè)項目發(fā)展,因此LG Innotek在碳化硅生產(chǎn)、制備技術(shù)方面有一定的經(jīng)驗積累。LX Semicon同屬于LG集團(tuán)的控股公司,LCD驅(qū)動芯片為該公司的主要營收來源,受韓國國內(nèi)LCD市場動蕩影響,LX Semicon危機(jī)感十足。為擺脫這一僵局,LX Semicon試圖通過布局SiC半導(dǎo)體市場獲得新的營收增長。對收購LG Innotek SiC資產(chǎn)后的商業(yè)計劃,LX Semicon相關(guān)負(fù)責(zé)人稱“是為了強(qiáng)化碳化硅半導(dǎo)體研發(fā)”

積塔完成80億融資,發(fā)力碳化硅

積塔半導(dǎo)體是一家專注于模擬電路與功率器件生產(chǎn)工藝研發(fā)與制造的企業(yè),生產(chǎn)的產(chǎn)品實現(xiàn)了汽車電子、工業(yè)控制電源管理、智能終端等多領(lǐng)域的覆蓋。

11月30日,積塔半導(dǎo)體對外宣稱已完成了80億人民幣戰(zhàn)略融資,本輪融資吸引了上汽集團(tuán)旗下尚頎資本、匯川技術(shù)、創(chuàng)維投資、小米長江基金等資本的支持。據(jù)積塔半導(dǎo)體表示,該輪融資主要用于車規(guī)級電源管理芯片、IGBT和碳化硅功率器件等方向的研發(fā),進(jìn)一步提升積塔半導(dǎo)體在汽車電子領(lǐng)域的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固積塔半導(dǎo)體在車規(guī)級芯片領(lǐng)域的制造優(yōu)勢,緩解目前汽車芯片產(chǎn)能的困境。

同時,積塔半導(dǎo)體在臨港芯片區(qū)的6英寸碳化硅產(chǎn)線已于2020年順利投產(chǎn),月產(chǎn)能可達(dá)5000片。

三安半導(dǎo)體:國內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線投產(chǎn)

2021年6月,湖南三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線點亮投產(chǎn),該產(chǎn)線是國內(nèi)首條碳化硅垂直整合生產(chǎn)線,提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式,該產(chǎn)線的建成能夠讓三安半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域,充分保證產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)性和交付的時效性。加速了上游Fabless芯片設(shè)計企業(yè)的產(chǎn)品驗證與迭代,縮短了下游終端產(chǎn)品的上市周期。有利于推動我國碳化硅的產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展。

三安半導(dǎo)體的6英寸碳化硅產(chǎn)線項目總投資160億元,規(guī)劃用地達(dá)1000畝,碳化硅晶圓月產(chǎn)能在30000片左右。

CREE更名Wolfspeed專注碳化硅

2021年10月,CREE正式更名Wolfspeed,并于10月4日在納斯達(dá)克交易所將原本的“CREE”股票代號更換為“WOLF”。

10月8日,Wolfspeed官方發(fā)布的推文中提到,Wolfspeed經(jīng)歷了4年的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,最終剝離了原先占比近2/3的業(yè)務(wù),并將碳化硅作為公司戰(zhàn)略發(fā)展的核心。Wolfspeed這一名字在該公司的碳化硅產(chǎn)品中已經(jīng)延續(xù)使用六年,此次更名也意味著Wolfspeed將會更加專注碳化硅技術(shù)的研發(fā)。在正式更名當(dāng)天,Wolfspeed還與通用汽車達(dá)成了碳化硅戰(zhàn)略供應(yīng)協(xié)議,為通用汽車提供更節(jié)能的碳化硅產(chǎn)品,延長電動汽車的續(xù)航里程,推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

Wolfspeed在碳化硅領(lǐng)域有著垂直一體化的產(chǎn)業(yè)布局,其中碳化硅襯底占據(jù)市場總額的60%。據(jù)Wolfspeed披露,該公司位于MohawkValley的全球最大8英寸碳化硅晶圓廠有望在今年實現(xiàn)量產(chǎn),屆時產(chǎn)能的釋放有望能夠緩解SiC功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張的問題,加速碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域的滲透。

正海集團(tuán)與羅姆就成立合資公司達(dá)成協(xié)議,大力發(fā)展碳化硅

2021年10月,正海集團(tuán)與功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)正式簽署合資協(xié)議,根據(jù)協(xié)議規(guī)定,正海集團(tuán)和羅姆半導(dǎo)體將會合資成立上海海姆??瓢雽?dǎo)體有限公司,在股權(quán)出資方面正海集團(tuán)出資80%、羅姆出資20%,正海集團(tuán)由100%控股權(quán)。

據(jù)介紹,海姆??浦鳡I業(yè)務(wù)為新能源汽車碳化硅功率模塊業(yè)務(wù),包括產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計、制造和銷售。羅姆與正海集團(tuán)的合作,主要是為了將羅姆在碳化硅領(lǐng)域芯片與模塊的先進(jìn)工藝與正海集團(tuán)在逆變器領(lǐng)域額開發(fā)技術(shù)進(jìn)行整合,致力于開發(fā)出更高效車用碳化硅模塊,力爭在碳化硅功率模塊領(lǐng)域成為中國第一。

據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)獲悉,海姆??菩麻_發(fā)的碳化硅功率模塊已獲得新能源車企應(yīng)用于高端車型的訂單。在產(chǎn)能方面,海姆??频奶蓟韫β誓K前期將會在羅姆的日本工廠進(jìn)行小批量的生產(chǎn),到2023年交由上海閔行工廠開始大批量生產(chǎn)。

安森美斥4.15億美元收購GTAT

2021年8月 ,安森美與GTAT達(dá)成最終協(xié)議,安森美將以4.15億美元收購GTAT,延伸安森美的碳化硅版圖,該收購項目預(yù)計將于2022年上半年完成。

GTAT是碳化硅的主要供應(yīng)商,在制造碳化硅和藍(lán)寶石材料,以及碳化硅晶體生長方面有用著豐富的經(jīng)驗積累。此次收購對于安森美而言是一次戰(zhàn)略性垂直整合,安森美在收購GTAT之前,大部分用于芯片生產(chǎn)的碳化硅晶圓均由外部采購而來,完成收購后,安森美不會再因供應(yīng)鏈產(chǎn)能緊張的問題而影響產(chǎn)品的交付。充足的資源平臺,進(jìn)一步推動了安森美在碳化硅領(lǐng)域的差異化和領(lǐng)先地位。

同時,安森美還計劃加大GATA在碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)力度,進(jìn)而推進(jìn)150mm和200mm SiC晶體生長技術(shù),擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,盡可能地降低安森美發(fā)展碳化硅受到的產(chǎn)能限制。

原文標(biāo)題:2021碳化硅十大熱門事件盤點:擴(kuò)產(chǎn)、收購、合資、上市

文章出處:【微信公眾號:電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50217

    瀏覽量

    420961
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26863

    瀏覽量

    214375
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1711

    瀏覽量

    90255

原文標(biāo)題:2021碳化硅十大熱門事件盤點:擴(kuò)產(chǎn)、收購、合資、上市

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    2023國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在過去的2023里,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一。首先是
    的頭像 發(fā)表于 01-08 08:25 ?3401次閱讀
    2023<b class='flag-5'>年</b><b class='flag-5'>國內(nèi)</b>主要<b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心,實現(xiàn)了前
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?457次閱讀

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

    MOS碳化硅
    瑞森半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景:國內(nèi)外主要廠商分布圖

    中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加?b class='flag-5'>碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能而變得越來越重要。
    發(fā)表于 02-27 10:28 ?1487次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>襯底<b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>全景:<b class='flag-5'>國內(nèi)外</b>主要廠商分布圖

    國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

    碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點,是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。
    發(fā)表于 01-24 10:23 ?1663次閱讀
    <b class='flag-5'>國內(nèi)外</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳化硅外延片,制成耐高溫、耐高壓的
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?571次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>產(chǎn)業(yè)</b>鏈圖譜

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?783次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2688次閱讀

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1642次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢

    8英寸襯底井噴,11月國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來新進(jìn)展

    空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速,首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距,另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得
    的頭像 發(fā)表于 12-12 01:35 ?1713次閱讀

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:49 ?1620次閱讀

    碳化硅賽道“涌動” ,國內(nèi)外巨頭抓緊布局

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看,主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看,碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲,其中美國是世界上最大的。
    的頭像 發(fā)表于 12-04 16:29 ?973次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>賽道“涌動” ,<b class='flag-5'>國內(nèi)外</b>巨頭抓緊布局

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1589次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件介紹與仿真