中穎EEPROM存儲器的操作原則

EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指帶電可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。

中穎Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用來存放用戶數(shù)據(jù)。EEROM大小可以通過option(代碼選項(xiàng))選擇0~4K不等。EEPROM按照扇區(qū)進(jìn)行劃分，每個扇區(qū)的大小512字節(jié)(較早的產(chǎn)品，每個扇區(qū)大小256字節(jié))，最多支持8個扇區(qū)。

中穎的EEPROM編程/擦除次數(shù)：至少100000次

中穎的EEPROM數(shù)據(jù)保存年限：至少10年

中穎EEPROM的操作原則：

1 必須關(guān)閉所有中斷

如果在操作EEPROM期間，不關(guān)閉中斷，可能會導(dǎo)致程序跑飛或者其它異常情況;中穎MCU要求對于EEPROM的擦除和編程，需要按照規(guī)定關(guān)閉所有中斷(EA=0)，等到編程完成后再打開中斷。

2 如何訪問EEPROM

中穎芯片對于EEPROM的讀、擦和寫都是通過寄存器FLASHCON的FAC位置1來操作。當(dāng)FAC=0時，MOVC指令或者SSP功能訪問Main Block區(qū)域;當(dāng)FAC=1時，MOVC指令或者SSP功能訪問類EEPROM區(qū)域或信息存儲區(qū)。

3 操作EEPROM前，清WDT

在對EEPROM的操作前，清WDT,保證操作期間不溢出

4 抗干擾

同時，為了抗干擾，防止誤操作，EEPROM編程可以參考如下例程：

uchar ssp_flag；

voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇區(qū)擦除

{

ssp_flag= 0xA5;

_push_(IEN0);//中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關(guān)總中斷

FLASHCON = 0x01; //訪問EEPROM區(qū)

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH<<1 ;???????????????????????? ?????????????????????????

IB_CON1 = 0xE6;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判斷，增強(qiáng)抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00;//切回FLASH區(qū)

_pop_(IEN0);//恢復(fù)總中斷

}

voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData) // 扇區(qū)編程

{

ssp_flag= 0x5A;

_push_(IEN0); //中斷控制壓棧

IEN0&=0x7F;//關(guān)總中斷

FLASHCON= 0x01; //訪問EEPROM區(qū)

RSTSTAT = 0; //清WDT

XPAGE= nAddrH;

IB_OFFSET= nAddrL;

IB_DATA= nData; // 燒寫內(nèi)容

IB_CON1 = 0x6E;

IB_CON2 = 0x05;

IB_CON3 = 0x0A;

IB_CON4 = 0x09;

if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判斷，增強(qiáng)抗干擾

goto Error;

IB_CON5 = 0x06;

_nop_();

_nop_();

_nop_();

_nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00; //切回FLASH區(qū)

_pop_(IEN0); //恢復(fù)總中斷