Vishay推出第四代600 VE系列MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.(紐約證券交易所代碼:VSH)??推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E為電信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供高效率,與上一代 600 VE 系列 MOSFET 相比,導(dǎo)通電阻降低了 27%,同時柵極電荷降低了 60%。這使得同級別器件的柵極充電時間導(dǎo)通電阻達到業(yè)界最低,這是電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的 600 V MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù) (FOM)。
Vishay 提供廣泛的 MOSFET 技術(shù),支持電源轉(zhuǎn)換過程的所有階段,從高壓輸入到最新電子系統(tǒng)所需的低壓輸出。憑借 SiHK045N60E 和即將推出的第四代 600 VE 系列系列器件,該公司正在解決電力系統(tǒng)架構(gòu)第一階段(功率因數(shù)校正和硬開關(guān) AC/DC 轉(zhuǎn)換器拓撲)提高效率和功率密度的需求。
SiHK045N60E 基于 Vishay 最新的節(jié)能 E 系列超級結(jié)技術(shù)構(gòu)建,在 10 V 時具有 0.043 Ω 的低典型導(dǎo)通電阻和低至 65 nC 的超低柵極電荷。該器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC,比同類中最接近的競爭 MOSFET 低 3.4%。為了提高開關(guān)性能,SiHK045N60E 提供 117 pF 的低有效輸出電容 C o(er)。這些值轉(zhuǎn)化為降低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以節(jié)省能源。SiHK045N60E 的熱阻 R thJC為 0.45 °C/W,比最接近的競爭器件低 11.8%,提供更高的熱容量。
高通攜手產(chǎn)業(yè)展示驍龍數(shù)字底盤強勢發(fā)展勢頭,定義汽車行業(yè)未來
于為汽車行業(yè)提供技術(shù)解決方案超過20年的深厚經(jīng)驗,高通技術(shù)公司現(xiàn)已成為全球汽車行業(yè)的優(yōu)選技術(shù)提供商,全球眾多汽車制造商與高通合作,采用驍龍?數(shù)字底盤所涵蓋的廣泛汽車解決方案?;诟咄ā敖y(tǒng)一的技術(shù)路線圖”,驍龍數(shù)字底盤對助力汽車行業(yè)加速創(chuàng)新具有獨特優(yōu)勢。驍龍數(shù)字底盤支持汽車制造商滿足消費者和企業(yè)持續(xù)升級的需求,打造更安全、更智能、更具沉浸感的無縫互聯(lián)智能體驗。同時,驍龍數(shù)字底盤正通過高度可擴展的軟硬件協(xié)同設(shè)計架構(gòu),面向更深層的客戶體驗及基于服務(wù)的商業(yè)模式創(chuàng)造全新機遇。
驍龍數(shù)字底盤由一整套開放且可擴展的云連接平臺組成,利用統(tǒng)一架構(gòu)帶來更高的安全性和沉浸式數(shù)字體驗,支持下一代汽車在其整個生命周期中的功能升級。汽車制造商可以在其產(chǎn)品線中選擇采用驍龍數(shù)字底盤所涵蓋的任一平臺或全部平臺,并通過云端的持續(xù)升級為其產(chǎn)品提供高度定制化體驗。
驍龍數(shù)字底盤的成功,得益于行業(yè)對其全面解決方案組合日益增長的需求,及其開放平臺為領(lǐng)先汽車企業(yè)廣泛合作所提供的便捷性。高通技術(shù)公司很高興在拉斯維加斯舉行的2022年國際消費電子展(CES)上分享行業(yè)對于驍龍數(shù)字底盤的廣泛支持。
綜合高通和Vishay官網(wǎng)整合
審核編輯:郭婷
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