ROHM開發(fā)厚膜分流電阻器 安森美發(fā)布應(yīng)用于服務(wù)器和電信的MOSFET

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)4W業(yè)內(nèi)超高額定功率的厚膜分流電阻器“LTR100L”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出一款厚膜分流電阻器“LTR100L”，非常適用于工業(yè)設(shè)備和消費電子設(shè)備等的電流檢測應(yīng)用。

ROHM正在致力于擴大分流電阻器的產(chǎn)品陣容，最近，最大額定功率為10W的金屬板分流電阻器“GMR320”已于2021年2月開始投入量產(chǎn)。此外，從2018年4月開始，2W額定功率保證的厚膜分流電阻器“LTR50低阻值系列”也已開始量產(chǎn)。此次新產(chǎn)品的推出，使厚膜分流電阻器的產(chǎn)品陣容擴展到了更高的功率范圍。

新產(chǎn)品通過改良電阻體材料并適用引腳溫度降額，在3264尺寸（3.2mm×6.4mm）的厚膜分流電阻器中，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高的4W額定功率。該產(chǎn)品非常適合功率不斷提高的工業(yè)設(shè)備和消費電子設(shè)備領(lǐng)域，例如電機控制電路和過電流保護電路的電流檢測應(yīng)用。此外，通過優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)，還在厚膜分流電阻器業(yè)界實現(xiàn)了出色的電阻溫度系數(shù)（TCR）*1。由于不易受溫度影響，因此可以進行高精度和高可靠性的電流檢測。

安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON），發(fā)布新的600 V SUPERFET?V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。

600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI）--這對服務(wù)器和 電信系統(tǒng)是個顯著的好處。此外，強固的體二極管和較高的VGSS（DC +/- 30 V）增強了系統(tǒng)可靠性。

安森美先進電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“80 Plus Titanium認證以應(yīng)對氣候變化為目標，要求服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲硬件在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿足這些要求，提供強固的方案，確保持續(xù)的系統(tǒng)可靠性。”

綜合ROHM和安森美官網(wǎng)整合

審核編輯：郭婷