自舉電容,內(nèi)部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓,通過(guò)自舉電路升壓得到,比VCC高的電壓,否則,高端MOS無(wú)法驅(qū)動(dòng)。
自舉是指通過(guò)開關(guān)電源MOS管和電容組成的升壓電路,通過(guò)電源對(duì)電容充電致其電壓高于VCC。最簡(jiǎn)單的自舉電路由一個(gè)電容構(gòu)成,為了防止升高后的電壓回灌到原始的輸入電壓,會(huì)加一個(gè)Diode.自舉的好處在于利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)升高電壓。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō),如果MOS的Drink極電壓為12V,Source極電壓原為0V,Gate極驅(qū)動(dòng)電壓也為12V,那么當(dāng)MOS在導(dǎo)通瞬間,Soure極電壓會(huì)升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導(dǎo)通壓降,那么Vgs電壓會(huì)接近于0V,MOS在導(dǎo)通瞬間后又會(huì)關(guān)斷,再導(dǎo)通,再關(guān)斷……。
如此下去,長(zhǎng)時(shí)間在MOS的Drink極與Source間通過(guò)的是一個(gè)N倍于工作頻率的高頻脈沖,這樣的脈沖尖峰在MOS上會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電壓應(yīng)力,很快MOS管會(huì)被損壞。如果在MOS的Gate與Source間接入一個(gè)小電容,在MOS未導(dǎo)通時(shí)給電容充電,在MOS導(dǎo)通,Source電壓升高后,自動(dòng)將Gate極電壓升高,便可使MOS保持繼續(xù)導(dǎo)通。
原文標(biāo)題:boot電容(自舉電容)的工作原理
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審核編輯:湯梓紅
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