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東芝半導體DTMOSVI系列MOSFET的應用及特性

東芝半導體 ? 來源:東芝半導體 ? 作者:東芝半導體 ? 2022-04-26 14:11 ? 次閱讀

如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z產(chǎn)品,它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備的開關電源。這四款產(chǎn)品進一步完善了上一代產(chǎn)品在封裝、漏源導通電阻和柵漏電荷方面的設計。

與上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源導通電阻×柵漏電荷”的品質因數(shù)降低約40%[1],開關電源效率提高約0.36%[2]。未來,順應市場需求,東芝將繼續(xù)拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線,為提高電源效率增添“芯”助力。

應用:

工業(yè)設備開關電源:

數(shù)據(jù)中心(服務器電源等)

光伏發(fā)電機功率調節(jié)器

不間斷電源系統(tǒng)

特性:

“漏源導通電阻×柵漏電荷”的值降低約40%[1],有助于提高開關電源的效率

直插式TO-220封裝

主要規(guī)格

(@Ta=25℃)

3fbec8d4-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

內部電路

3fd0cce6-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

應用電路示例

3fe4a996-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

注:

[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月,東芝測量的數(shù)值(采用輸出功率為2500W的PFC電路時,TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進的半導體和存儲解決方案的領先供應商,公司累積了半個多世紀的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導體、系統(tǒng)LSI和HDD領域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過7,110億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設更美好的未來并做出貢獻。

原文標題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

文章出處:【微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

文章出處:【微信號:toshiba_semicon,微信公眾號:東芝半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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