氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù),是利用氬離子束對樣品進(jìn)行拋光,可以獲得表面平滑的樣品,而不會對樣品造成機(jī)械損害。去除損傷層,從而得到高質(zhì)量樣品,用于在SEM,光鏡或者掃描探針顯微鏡上進(jìn)行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。
離子研磨CP截面拋光儀制樣廣泛,可用于于各種材料樣品(除了液態(tài))的制備,適應(yīng)大多數(shù)材料類型,對大面積、表面或輻照及能量敏感樣品尤佳,有鋼鐵、地質(zhì)、油頁巖、線路板, 鋰離子電池、光伏材料、陶瓷、金屬(氧化物,合金)、高分子,聚合物、薄膜、半導(dǎo)體、EBSD樣品、生物材料等包括平面拋光與截面拋光。
為此,金鑒實(shí)驗(yàn)室特向市場推出“氬離子拋光/CP截面拋光切割制作樣品檢測”業(yè)務(wù),能夠針對不同的樣品的硬度,設(shè)置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口,控制氬離子作用的深度、強(qiáng)度、角度、這樣精準(zhǔn)的參數(shù),有利于制備成研究者理想的材料樣品,這樣的樣品不僅表面光滑無損傷,而且還原材料內(nèi)部的真實(shí)結(jié)構(gòu),正如頁巖內(nèi)部的細(xì)微孔隙在SEM下放大到100K時也能看得清清楚楚,以及材料內(nèi)部的不同物質(zhì)分層都能看的分界線明顯。
離子研磨制樣效果分享:
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左圖設(shè)備型號:Gatan 685; 右圖設(shè)備型號:Fischione 1061
氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優(yōu)點(diǎn)
氬離子拋光與切割/CP截面拋光的優(yōu)點(diǎn)
相比較下氬離子拋光/CP截面拋光的優(yōu)點(diǎn):
(1)對由硬材料和軟材料組成的復(fù)合材料樣品,能夠很精細(xì)地制作軟硬接合部的截面,而使用傳統(tǒng)方法制樣是很困難的。
(2)比FIB方法的拋光面積更大(~1mm以上)。
寄樣要求
1. 送樣前需要對樣品進(jìn)行預(yù)處理:樣品預(yù)磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來光滑,不粗糙。
2. 金鑒樣品的尺寸要求:
2.1塊狀樣品:以待拋光區(qū)域?yàn)?a target="_blank">中心點(diǎn),樣品直徑不超過30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)
2.2粉末樣品:10g以上。
注:具體的樣品要求可咨詢在線業(yè)務(wù)!
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掃描電鏡
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關(guān)注
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