HEMT(High Electron Mobility Transistor),高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場效應晶體管,又稱為調(diào)制摻雜場效應晶體管(MODFET)、二維電子氣場效應晶體管(2-DEGFET)、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管 (SDHT)等.
這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻(毫米波)、超高速領域,原因就在于它是利用具有很高遷移率的所謂二維電子氣來工作的。
因為一般的場效應集成電路為了達到超高頻、超高速,必須要減短信號傳輸?shù)难舆t時間τd∝ CL/(μnVm)和減小器件的開關能量(使IC不致因發(fā)熱而損壞)E = ( Pd τd )≈CLVm2/2,而這些要求在對邏輯電壓擺幅Vm的選取上是矛盾的,因此難以實現(xiàn)超高頻、超高速;解決的一個辦法就是,首先適當降低邏輯電壓擺幅,以適應IC穩(wěn)定工作的需要,而要縮短τd則主要是著眼于提高電子的遷移率μn,這就發(fā)展出了HEMT。
HEMT的基本結(jié)構(gòu)就是一個調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)。高遷移率的二維電子氣(2-DEG)存在于調(diào)制摻雜的異質(zhì)結(jié)中,這種2-DEG不僅遷移率很高,而且在極低溫度下也不“凍結(jié)”,則HEMT有很好的低溫性能, 可用于低溫研究工作 (如分數(shù)量子Hall效應)中。
HEMT是電壓控制器件,柵極電壓Vg可控制異質(zhì)結(jié)勢阱的深度,則可控制勢阱中2-DEG的面密度,從而控制著器件的工作電流。對于GaAs體系的HEMT,通常其中的n-AlxGa1-xAs控制層應該是耗盡的 (厚度一般為數(shù)百nm,摻雜濃度為107~108 /cm3)。若n-AlxGa1-xAs層厚度較大、摻雜濃度又高,則在Vg =0時就存在有2-DEG,為耗盡型器件,反之則為增強型器件( Vg=0時Schottky耗盡層即延伸到i-GaAs層內(nèi)部);但該層如果厚度過大、摻雜濃度過高,則工作時就不能耗盡,而且還將出現(xiàn)與S-D并聯(lián)的漏電電阻??傊?,對于HEMT,主要是要控制好寬禁帶半導體層——控制層的摻雜濃度和厚度,特別是厚度。
①對于長溝道HEMT,其中電子的漂移速度vd不飽和,而且與溝道電場E(y)有關,即有 vd= μE(y)。則通過寬度是W的溝道的電流為IDS = q W Ns(y) μE(y)= Wμ[ε’ε0 / (d +Δd )]·[Vgs-VT-V(y)]·(dV(y)/dy),
從源端積分到漏端( y = 0→L ),就得到HEMT的I-V特性:Ids = μ(W/L) [ε’εo/(d +Δd )]·[(Vgs-VT)Vds-(Vds2)/2].
相應地可求出HEMT的跨導為gm = μ(W/L) [ε’ε0 / (d +Δd )] Vds∝ Vds。
當Vds增加到Vdsat = Vgs-VT時,溝道夾斷,即得到飽和電流:Idsat = μ(W/L) [ε’ε0 / 2(d +Δd )] (Vgs-VT)2 ,
飽和時的跨導則為 gm sat = μ(W/L) [ε’ε0 / (d +Δd )] (Vgs-VT)。
②對于短溝道(L ≈1μm)的HEMT,漂移速度將飽和為vS,則飽和電流為
IDSat = q Ns0 vS W = vS W [ε’ε0 / (d +Δd )] (Vgs-VT)∝(Vgs-VT);
并且飽和跨導與電壓無關: gm sat = vS W [ε’ε0 / (d +Δd )]。
實際上,對很短溝道的HEMT,往往是高得多的瞬態(tài)漂移速度起著決定作用,從而有更高的飽和電流和飽和跨導。
對于極性很大的半導體異質(zhì)結(jié),那么情況將有所不同。譬如n+-AlGaN/i-GaN調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié),由于其中的高遷移率2-DEG主要是由極化效應而產(chǎn)生出來的,因此,即使在AlGaN控制層中不摻雜,也能夠得到大量的2-DEG(可高達1013cm),這時的2-DEG面密度將主要決定于極化效應的強度.
審核編輯:湯梓紅
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