與其他細(xì)分市場(chǎng)相比,汽車市場(chǎng)占安森美半導(dǎo)體收入的最大份額。在汽車市場(chǎng)垂直領(lǐng)域,電源方案部(PSG)提供有競(jìng)爭(zhēng)力的方案用于動(dòng)力總成、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、車內(nèi)、車身、聯(lián)接和LED照明應(yīng)用。當(dāng)今內(nèi)燃機(jī)汽車向具有更高自動(dòng)化水平、提高燃油能效和減少排放發(fā)展,為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了一系列新挑戰(zhàn)。半導(dǎo)體供應(yīng)商將提供低成本、重量輕的器件方案,具有降低的功耗,及高達(dá)175°C結(jié)溫的熱性能。
安森美半導(dǎo)體迄今已在汽車MOSFET市場(chǎng)上取得了強(qiáng)大的地位,提供廣泛的符合AECQ-101汽車認(rèn)證的具有競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET陣容,為48V輕度混合系統(tǒng)的電源結(jié)構(gòu)、插電式混動(dòng)/電動(dòng)(PHEV/ BEV)汽車的車載充電單元、電氣化動(dòng)力總成中的高壓到低壓DC-DC變換器以及連接電池的12V 電子控制單元(ECU)應(yīng)用提供了方案,符合汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)考量。
在推廣中的μ8FL(3x3mm)、SO8-FL(5x6mm)、Power56、LFPAK、Power88(8x8mm)和TOLL(10x12mm)封裝較小,取代用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電磁控制、反向電池保護(hù)電路和12V ECU系統(tǒng)的舊的較大的DPAK、D2PAK和SOT-223封裝。與舊封裝相比,更小尺寸的占位具有更低的構(gòu)造成本,其電阻和電感值分別低至0.2 mΩ和1 nH。這些屬性轉(zhuǎn)換為具有低導(dǎo)通電阻(Rds-ON)和門極電荷值的具性價(jià)比的方案,可最小化導(dǎo)通和開關(guān)損耗。
表1. 汽車MOSFET用于關(guān)鍵應(yīng)用
此外,更小的節(jié)省空間的封裝與較大的DPAK和D2PAK封裝具有相當(dāng)?shù)臒嵝阅?。為遵從電氣?dòng)力總成系統(tǒng)設(shè)計(jì)的考量,可提供Power56雙冷卻、Power88單/雙冷卻、650V SuperFET?III和LFPAK56 MOSFET封裝。雙冷卻封裝結(jié)構(gòu)可最大化PCB板空間使用率和實(shí)現(xiàn)出色的熱傳導(dǎo)。 Power56兼容Power SO-8封裝并減少了寄生效應(yīng)。 Power88單封裝采用8x8 mm封裝,采用薄型結(jié)構(gòu),適合替代較大的PTH和D2PAK封裝。 SuperFET?III MOSFET是一款高壓FET,具有降低的Rds-ON、門極和輸出電荷,有助于降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。 SuperFET?III MOSFET采用易驅(qū)動(dòng)和FRFET版本,具有良好的安全工作區(qū)(SOA)額定值。易驅(qū)動(dòng)版本可內(nèi)部調(diào)節(jié)門極電阻和寄生電容,有極低的EMI和電壓尖峰。 FRFET版本包括一個(gè)高度優(yōu)化的恢復(fù)二極管,具有超低Qrr和Trr,對(duì)于最小化開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)級(jí)可靠性至關(guān)重要。
LFPAK56封裝具有超低封裝雜散電感和電阻值。它采用強(qiáng)固的結(jié)構(gòu),鷗翼式(gull-wing)設(shè)計(jì)可承受由于熱和機(jī)械應(yīng)力引起的膨脹和收縮,而不會(huì)影響性能。該表歸納了汽車MOSFET用于關(guān)鍵應(yīng)用。
審核編輯:郭婷
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