英韌科技推PCIe 5.0控制器 滿足數(shù)據(jù)中心存儲及計(jì)算需求

英韌科技推出PCIe 5.0控制器——Tacoma IG5669，順序讀取速度高達(dá)14GB/s，支持容量32TB，充分發(fā)揮PCIe 5.0技術(shù)帶來的性能提升，滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的數(shù)據(jù)存儲及計(jì)算需求。

英韌科技致力于通過創(chuàng)新的集成電路和系統(tǒng)方案，解決人工智能和其他大數(shù)據(jù)應(yīng)用中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)傳輸問題。繼2020年、2021年分別推出PCIe 4.0 SSD控制芯片Rainier和PCIe 4.0 DRAMLess SSD控制芯片RainierQX之后，英韌科技于今日宣布推出PCIe 5.0 SSD控制芯片——Tacoma IG5669，為數(shù)據(jù)中心帶來最新一代的存儲解決方案，進(jìn)一步滿足當(dāng)前數(shù)據(jù)中心快速增長的存儲及計(jì)算需求。 Tacoma采用4通道PCIe 5.0接口，具有16/18個NAND通道，在支持NVMe 2.0、DDR5及ONFI 5.0等最新技術(shù)協(xié)議的同時，采用10核CPU并行的命令處理方式，充分發(fā)揮PCIe Gen5和DDR5的帶寬優(yōu)勢，提高存儲性能。Tacoma可廣泛應(yīng)用于高端存儲領(lǐng)域，包括高端計(jì)算機(jī)、企業(yè)級應(yīng)用、高端數(shù)據(jù)中心和人工智能等。

英韌科技PCIe 5.0 SSD控制芯片Tacoma IG5669

與英韌科技PCIe 4.0的企業(yè)級旗艦產(chǎn)品Rainier IG5636相比，Tacoma IG5669性能將大大提升，其順序讀寫速度分別可高達(dá)14GB/s及11GB/s。 Tacoma IG5669采用英韌自研第三代ECC糾錯引擎，協(xié)同優(yōu)化4K LDPC編解碼及數(shù)字信號處理技術(shù)，并結(jié)合一種新型的混合自適應(yīng)糾錯方案，為最新的TLC和QLC提供更強(qiáng)的糾錯能力和更短的數(shù)據(jù)處理延遲，使主控芯片在延長SSD使用壽命的同時，提供更高的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用下的數(shù)據(jù)吞吐量。 Tacoma IG5669針對ZNS（Zone Name Space）技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)隔離，避免垃圾回收，以更高的吞吐量、更低的延遲、更靈活的客制化定制，幫助云和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心客戶進(jìn)一步降低總體成本。 此外，Tacoma IG5669支持SLC/MLC/TLC/QLC NAND以及MRAM、XL-FLASH等Storage Class Memory（SCM），并具備多種高級功能，包括智能高速緩存、多級電源管理、多命名空間、SR-IOV、過熱降頻保護(hù)、多種外圍接口（如I3C）等。同時除AES、RSA、SHA3-256/384/512等多種通用加密算法外，Tacoma特別支持國密算法SM2/3/4，為客戶提供更高標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)安全保護(hù)。

存儲控制芯片Tacoma IG5669

硬盤外形規(guī)格E1.S / E1.L / AIC / E3.S / U.2

容量32TB

接口PCIe 5x4

NVMeNVMe 2.0

NAND NAND速率最高達(dá)2667 MT/s;

支持Toggle 5.0 和 ONFI 5.0

通道16/18 通道

順序讀最高達(dá) 14 GB/s

順序?qū)懽罡哌_(dá) 11 GB/s

隨機(jī)讀3000K IOPs

隨機(jī)寫2500K IOPs

QoS最高達(dá) 99.9999%

應(yīng)用場景可廣泛應(yīng)用于高端存儲領(lǐng)域，包括高端計(jì)算機(jī)、企業(yè)級應(yīng)用、高端數(shù)據(jù)中心和人工智能等。

英韌科技創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官吳子寧博士表示，成立五年以來，英韌始終追求以卓越的技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新。Tacoma IG5669將充分發(fā)揮PCIe 5.0技術(shù)帶來的性能提升，在此基礎(chǔ)上，公司將持續(xù)深耕高端存儲主控芯片研發(fā)，與產(chǎn)業(yè)鏈緊密協(xié)作，進(jìn)一步賦能全球數(shù)據(jù)中心客戶，共同打造PCIe 5.0生態(tài)，以更高的傳輸速率、更強(qiáng)的穩(wěn)定性和更低的能耗釋放下一代存儲技術(shù)潛力。