0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊,大幅提升逆變器的功率密度

21克888 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:英飛凌科技股份公 ? 2022-05-30 15:10 ? 次閱讀

【2022年5月30日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼: IFX / OTCQX代碼: IFNNY)近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標準工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術(shù),EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流,進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器(SVG)等應(yīng)用。

EconoDUAL? 3 1700 V TRENCHSTOP? IGBT7


與過去采用IGBT4芯片組的模塊相比,基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模塊在相同的封裝尺寸下,可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V IGBT7模塊還顯著降低了靜態(tài)和動態(tài)損耗,同時解決了諸多應(yīng)用中二極管芯片普遍存在的靜態(tài)損耗高的問題。此外,這項新芯片技術(shù)可增強du/dt的可控性,并提高二極管軟度。在宇宙射線的影響下,F(xiàn)IT率也顯著降低——這是在高壓直流母線電壓下工作時的一項重要參數(shù)。不僅如此,這款新功率模塊的最大過載結(jié)溫為175°C。

業(yè)界領(lǐng)先的1700 V EconoDUAL 3模塊具有900 A 和750 A兩個電流等級,其中750 A的模塊采用了更大的二極管,旨在進一步提升該產(chǎn)品組合的靈活性。總體而言,采用TRENCHSTOP IGBT 7芯片的全新1700V EconoDUAL3模塊能夠提高逆變器的功率密度,在豐富的應(yīng)用場景中實現(xiàn)性能水平的全面提升。

供貨情況

FF900R17ME7_B11、FF750R17ME7D_B11和FF225R17ME7_B11現(xiàn)已支持訂購。該產(chǎn)品組合會不斷豐富,后續(xù)產(chǎn)品(特別是電流等級在300 A-750 A之間的產(chǎn)品)將在2022年底推出。如需了解更多信息,請訪問www.infineon.com/econodual3。
如需進一步了解英飛凌為提高能源效率所做出的貢獻,請訪問:www.infineon.com/green-energy。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 英飛凌
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    2136

    瀏覽量

    138261
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50224

    瀏覽量

    420981
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    281

    文章

    4664

    瀏覽量

    205990
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    英飛凌推出低功耗CIPOS Maxi智能功率模塊(IPM)系列

    英飛凌科技股份有限公司近期宣布,其電機驅(qū)動解決方案再添新成員——低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊(IPM)系列,該系列作為第七代TRENCHSTOP?
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:27 ?631次閱讀

    新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL? 3 IGBT7 模塊

    功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產(chǎn)品型號:FF900R17ME7
    的頭像 發(fā)表于 08-13 08:14 ?280次閱讀
    新品 | 900A <b class='flag-5'>1700V</b> Wave基板的<b class='flag-5'>EconoDUAL</b>? <b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>IGBT7</b> <b class='flag-5'>模塊</b>

    英飛凌推出高性能 CIPOS? Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

    ,進一步擴展了其第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1 系列基于最新的TRENCHSTOP IGBT7 1200
    發(fā)表于 08-12 16:35 ?520次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>高性能 CIPOS? Maxi 智能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>,適用于<b class='flag-5'>功率</b>高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

    利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強IGBT模塊功率密度

    第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:58 ?323次閱讀
    利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b><b class='flag-5'>功率密度</b>

    上能電氣采用英飛凌IGBT7 EconoDUAL?3實現(xiàn)單機2MW儲能變流器

    的基于英飛凌IGBT7技術(shù)的新一代高功率密度2MW儲能變流器PCS,使用英飛凌最新的EconoDUAL3封裝的750
    的頭像 發(fā)表于 06-14 08:14 ?1070次閱讀
    上能電氣采用<b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>IGBT7</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>?<b class='flag-5'>3</b>實現(xiàn)單機2MW儲能變流器

    高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器

    技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加,英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V IGBT7
    的頭像 發(fā)表于 06-03 11:06 ?455次閱讀
    高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

    合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊的需求增加,英飛凌已經(jīng)基于最新的1700V
    的頭像 發(fā)表于 05-31 15:22 ?430次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>?<b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

    英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

    英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著
    的頭像 發(fā)表于 05-07 15:08 ?599次閱讀

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

    )和風(fēng)電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應(yīng)用場合。隨著芯片技術(shù)的發(fā)展和市場對高功率密度IGBT模塊
    的頭像 發(fā)表于 03-26 08:13 ?898次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>EconoDUAL</b>?<b class='flag-5'>3</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>新產(chǎn)品及其在中高壓級聯(lián)變頻器和靜止無功發(fā)生器中的仿真研究

    收藏!IGBT7系列分立器件核心知識點最全整理!

    IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用,例如馬達驅(qū)動。該系列可實現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度,無需重新設(shè)計散熱器,
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:14 ?420次閱讀
    收藏!<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列分立器件核心知識點最全整理!

    最新IGBT7系列分立器件常見問題

    英飛凌推出IGBT7單管系列市場熱度不減,本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題,一看就懂,牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試?答:
    的頭像 發(fā)表于 03-05 08:17 ?496次閱讀
    最新<b class='flag-5'>IGBT7</b>系列分立器件常見問題

    擴展 IGBT7 產(chǎn)品組合,實現(xiàn)bast-in-Class功率密度

    我們已經(jīng)介紹過關(guān)于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點。秉承"越多越好"的宗旨,英飛凌最近拓展了IGBT7和EC
    的頭像 發(fā)表于 12-11 17:31 ?452次閱讀
    擴展 <b class='flag-5'>IGBT7</b> 產(chǎn)品組合,實現(xiàn)bast-in-Class<b class='flag-5'>功率密度</b>

    采用IGBT7功率密度變頻器的設(shè)計實例

    采用IGBT7功率密度變頻器的設(shè)計實例
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:06 ?960次閱讀
    采用<b class='flag-5'>IGBT7</b>高<b class='flag-5'>功率密度</b>變頻器的設(shè)計實例

    提高4.5kV IGBT模塊功率密度

    提高4.5kV IGBT模塊功率密度
    的頭像 發(fā)表于 11-23 15:53 ?868次閱讀
    提高4.5kV <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>功率密度</b>

    英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品

    。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微溝槽柵技術(shù),具有出色的控制和性能,能夠大幅降低損耗,提高效率和功率密度。因此,該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用,如組串式逆變器
    的頭像 發(fā)表于 11-21 08:14 ?592次閱讀
    <b class='flag-5'>英飛凌</b><b class='flag-5'>推出</b>面向高能效電源應(yīng)用的分立式650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>TRENCHSTOP</b>? <b class='flag-5'>IGBT7</b> H<b class='flag-5'>7</b>新品