中國(guó)上海,2022年6月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能,能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
新產(chǎn)品具體包括:用于24V電源線的“TCK420G”;用于12V電源線的“TCK422G”和“TCK423G”;用于9V電源線的“TCK424G”;以及用于5V電源線的“TCK425G”。與已經(jīng)推出的用于20V電源線的“TCK421G”共同構(gòu)成完整的產(chǎn)品線。
在新推出這五款產(chǎn)品后,TCK42xG系列現(xiàn)在允許用戶從10V和5.6V這兩種類型的柵源電壓中進(jìn)行選擇,這覆蓋了更多規(guī)格的MOSFET。憑借輸入過電壓鎖定功能的多種檢測(cè)電壓,該產(chǎn)品能用于5V至24V的電源線路。如果與外部背對(duì)背MOSFET結(jié)合使用,它們也適用于配置具有反向電流阻斷功能的負(fù)載開關(guān)電路(圖1)或電源多路復(fù)用器電路(圖2)。除此之外,其內(nèi)置的電荷泵電路支持從2.7V至28V的寬輸入電壓范圍,因此經(jīng)過間歇操作,可在外部背對(duì)背MOSFET的柵極和源極之間提供穩(wěn)定的電壓---這種方式允許大電流的切換。
TCK42xG采用WCSP6G[1]封裝,是業(yè)內(nèi)最小的[2]封裝類型之一,助力可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)等小型設(shè)備實(shí)現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小它們的尺寸。
此外,東芝還開發(fā)出電源多路復(fù)用器電路參考設(shè)計(jì),這是一種利用TCK42xG的功能的電源多路復(fù)用器參考設(shè)計(jì)示例。該設(shè)計(jì)示例于今日在東芝網(wǎng)站上發(fā)布。
圖1:負(fù)載開關(guān)電路(單高邊、背對(duì)背)
圖2:電源多路復(fù)用器電路
圖3:電源多路復(fù)用器電路板
?應(yīng)用:
- 可穿戴設(shè)備
- 智能手機(jī)
- 筆記本電腦、平板電腦
- 存儲(chǔ)設(shè)備等
?特性:
- 內(nèi)置電荷泵電路,柵極-源極電壓設(shè)置(5.6V、10V)取決于輸入電壓
- 過電壓鎖定支持5V至24V
- 低輸入關(guān)斷電流:IQ(OFF)=0.5μA(最大值)@VIN=5V
?主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
器件型號(hào) | TCK420G | TCK421G[3] | TCK422G | TCK423G | TCK424G | TCK425G | |
封裝 | |||||||
名稱 | WCSP6G | ||||||
尺寸(mm) | 1.2×0.8(典型值),厚度=0.35(最大值) | ||||||
工作范圍 | |||||||
輸入工作電壓 VIN_opr(V) |
@Ta=-40至85℃ | 2.7-28 | |||||
電氣特性 | |||||||
VIN UVLO閾值,VOUT下降 VIN_UVLO 典型值/最大值(V) |
@Ta=-40至85℃ | 2.0/2.5 | |||||
VIN OVLO閾值, VOUT下降 VIN_OVLO 最小值/最大值(V) |
@Ta=-40至85℃ |
26.50 /28.50 |
22.34 /24.05 |
13.61 /14.91 |
10.35 /11.47 |
5.76 /6.87 |
|
待機(jī)電流 (斷態(tài)) IQ(OFF)最大值(μA) |
@VIN=5V, Ta=-40至85℃ |
0.5 | |||||
柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGATE1-VIN) (VGATE2-VOUT) VGS典型值(V) |
@VIN=12V/20V | 10/10 | 10/10 | 10/- | 5.6/- | -/- | -/- |
柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (VGATE1-VIN) (VGATE2-VOUT) VGS典型值(V) |
@VIN=5V/9V | 10/10 | 10/10 | 10/10 | 5.6/5.6 | 5.6/5.6 | 5.6/- |
VGS導(dǎo)通時(shí)間 tON典型值(ms) |
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF |
2.9 | |||||
VGS關(guān)斷時(shí)間 tOFF典型值(μs) |
@VIN=5V, CGATE1,2=4000pF |
52 | 23 | ||||
OVLO VGS關(guān)斷時(shí)間 tOVP典型值(μs) |
@CGATE1,2=4000pF | 31 | 34 | 41 | 16 | 18 | 19 |
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注:
[1]1.2mm×0.8mm芯片級(jí)封裝
[2]在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中,截至2022年6月的東芝調(diào)研。
[3] 已經(jīng)發(fā)布的產(chǎn)品
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TCK420G
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TCK422G
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TCK423G
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TCK424G
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TCK425G
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TCK420G
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TCK422G
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TCK423G
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TCK425G
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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。
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