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東芝推出五款新型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC,助力移動(dòng)電子設(shè)備小型化

21克888 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:東芝 ? 2022-06-07 13:49 ? 次閱讀

中國(guó)上海,2022年6月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能,能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。


新產(chǎn)品具體包括:用于24V電源線的“TCK420G”;用于12V電源線的“TCK422G”和“TCK423G”;用于9V電源線的“TCK424G”;以及用于5V電源線的“TCK425G”。與已經(jīng)推出的用于20V電源線的“TCK421G”共同構(gòu)成完整的產(chǎn)品線。

在新推出這五款產(chǎn)品后,TCK42xG系列現(xiàn)在允許用戶從10V和5.6V這兩種類型的柵源電壓中進(jìn)行選擇,這覆蓋了更多規(guī)格的MOSFET。憑借輸入過電壓鎖定功能的多種檢測(cè)電壓,該產(chǎn)品能用于5V至24V的電源線路。如果與外部背對(duì)背MOSFET結(jié)合使用,它們也適用于配置具有反向電流阻斷功能的負(fù)載開關(guān)電路(圖1)或電源多路復(fù)用器電路(圖2)。除此之外,其內(nèi)置的電荷泵電路支持從2.7V至28V的寬輸入電壓范圍,因此經(jīng)過間歇操作,可在外部背對(duì)背MOSFET的柵極和源極之間提供穩(wěn)定的電壓---這種方式允許大電流的切換。

TCK42xG采用WCSP6G[1]封裝,是業(yè)內(nèi)最小的[2]封裝類型之一,助力可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)等小型設(shè)備實(shí)現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小它們的尺寸。

此外,東芝還開發(fā)出電源多路復(fù)用器電路參考設(shè)計(jì),這是一種利用TCK42xG的功能的電源多路復(fù)用器參考設(shè)計(jì)示例。該設(shè)計(jì)示例于今日在東芝網(wǎng)站上發(fā)布。

圖1:負(fù)載開關(guān)電路(單高邊、背對(duì)背)

圖2:電源多路復(fù)用器電路

圖3:電源多路復(fù)用器電路板


?應(yīng)用:
- 可穿戴設(shè)備
- 智能手機(jī)
- 筆記本電腦、平板電腦
- 存儲(chǔ)設(shè)備等

?特性:
- 內(nèi)置電荷泵電路,柵極-源極電壓設(shè)置(5.6V、10V)取決于輸入電壓
- 過電壓鎖定支持5V至24V
- 低輸入關(guān)斷電流:IQ(OFF)=0.5μA(最大值)@VIN=5V

?主要規(guī)格
(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號(hào) TCK420G TCK421G[3] TCK422G TCK423G TCK424G TCK425G
封裝
名稱 WCSP6G
尺寸(mm) 1.2×0.8(典型值),厚度=0.35(最大值)
工作范圍
輸入工作電壓
VIN_opr(V)
@Ta=-40至85℃ 2.7-28
電氣特性
VIN UVLO閾值,VOUT下降
VIN_UVLO
典型值/最大值(V)
@Ta=-40至85℃ 2.0/2.5
VIN OVLO閾值,
VOUT下降
VIN_OVLO
最小值/最大值(V)
@Ta=-40至85℃ 26.50
/28.50
22.34
/24.05
13.61
/14.91
10.35
/11.47
5.76
/6.87
待機(jī)電流
(斷態(tài))
IQ(OFF)最大值(μA)
@VIN=5V,
Ta=-40至85℃
0.5
柵極驅(qū)動(dòng)電壓
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGS典型值(V)
@VIN=12V/20V 10/10 10/10 10/- 5.6/- -/- -/-
柵極驅(qū)動(dòng)電壓
(VGATE1-VIN)
(VGATE2-VOUT)
VGS典型值(V)
@VIN=5V/9V 10/10 10/10 10/10 5.6/5.6 5.6/5.6 5.6/-
VGS導(dǎo)通時(shí)間
tON典型值(ms)
@VIN=5V,
CGATE1,2=4000pF
2.9
VGS關(guān)斷時(shí)間
tOFF典型值(μs)
@VIN=5V,
CGATE1,2=4000pF
52 23
OVLO
VGS關(guān)斷時(shí)間
tOVP典型值(μs)
@CGATE1,2=4000pF 31 34 41 16 18 19
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注:
[1]1.2mm×0.8mm芯片級(jí)封裝
[2]在MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC中,截至2022年6月的東芝調(diào)研。
[3] 已經(jīng)發(fā)布的產(chǎn)品

如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問以下網(wǎng)址:
TCK420G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/TCK420G.html
TCK422G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/TCK422G.html
TCK423G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/TCK423G.html
TCK424G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/TCK424G.html
TCK425G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/microcontrollers/TCK425G.html

如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況,請(qǐng)?jiān)L問以下網(wǎng)址:
TCK420G
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TCK420G.html
TCK422G
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TCK423G
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TCK424G
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TCK425G
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