自昊芯推出專題講解芯片電機(jī)過流跳閘保護(hù)以來(lái),第一期主要講解EPWM_TZ錯(cuò)誤聯(lián)防,本期主要講解EPWM_DC數(shù)字比較,比較器超閾值檢測(cè)將在下期內(nèi)容中講解。
HX2000系列EPWM_DC數(shù)字比較工作原理如下,由DC數(shù)字比較觸發(fā)事件,與被選擇產(chǎn)生:CBC周期限流與OST單次跳閘事件,輸入TZ錯(cuò)誤聯(lián)防模塊,形成三重保護(hù)輸出,觸發(fā)EPWMxA/B動(dòng)作,關(guān)斷過流輸出的MOSFET橋臂,實(shí)現(xiàn)限流與跳閘保護(hù),原理如下:
結(jié)合DCTRIPSEL寄存器DCAH/LCOMPSEL與DCBH/LCOMPSEL位選擇,產(chǎn)生數(shù)字比較DCAH/L與DCBH/L信號(hào)引腳為。通過TZDCSEL寄存器選擇,數(shù)字比較事件的觸發(fā)條件:DCAH/L置低或置高、DCBH/L置低或置高、或DCA/BL置高與DCA/BH置低。通過DCA/BCTL[EVT1/2SRCSEL]置低,選擇DCAEVT1/2與DCBEVT1/2數(shù)字比較輸出。通過DCA/BCTL[EVT1/2FRCSYNCSEL]選擇同步或異步采樣,輸出DC錯(cuò)誤聯(lián)防信號(hào)。根據(jù)TZEINT所配中斷使能,通過TZSEL寄存器選擇,DC事件產(chǎn)生周期CBC或單次OST故障。數(shù)字比較事件,與CBC周期錯(cuò)誤聯(lián)防,在同一觸發(fā)引腳上同時(shí)發(fā)生時(shí),將按優(yōu)先級(jí)TZA/B>DCA/BEVT1>DCA/BEVT2觸發(fā)EPWMxA/B動(dòng)作。DC故障消除后,可通過引腳上的指定條件,自動(dòng)清除中斷標(biāo)志,使EPWM波形恢復(fù),實(shí)現(xiàn)瞬間限流;或手動(dòng)寫入TZCLR相應(yīng)標(biāo)志位,清除TZFLG相應(yīng)中斷標(biāo)志位,便于下次DC中斷觸發(fā)。
由此設(shè)計(jì)EPWM_DC實(shí)例:某時(shí)刻驅(qū)動(dòng)板電流(1)過流:①輸出周期CBC錯(cuò)誤聯(lián)防;輸入(GPIO16),觸發(fā)EPWM2A置高、EPWM2B置低;②經(jīng)比較器COMP輸出:DC數(shù)字比較事件,輸入,觸發(fā)EPWM3A置高、EPWM3B置低;(2)超越閾值輸出單次OST錯(cuò)誤聯(lián)防,輸入(GPIO17),觸發(fā)EPWM1A置高、EPWM1B置低,硬件連接如下:
基于以上分析,在CDK上開發(fā)EPWM_DC輸出,代碼包括:EPWM與TZ GPIO、初始化、OST、CBC及DC錯(cuò)誤聯(lián)防配置、TZ觸發(fā)EPWM動(dòng)作的中斷服務(wù)程序,主程序調(diào)用。
CDK上開發(fā)EPWM_DC輸出程序,編譯結(jié)果為:
編譯通過后,就可以開始調(diào)試了,CBC錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下:
CBC觸發(fā)前與故障消除后的EPWM波形如圖左,觸發(fā)后的EPWM波形如圖右:
DC錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下:
DC觸發(fā)前與故障消除后的EPWM波形如圖左,觸發(fā)后的EPWM波形如圖右:
OST錯(cuò)誤聯(lián)防事件的調(diào)試結(jié)果如下:
OST觸發(fā)前后的EPWM波形如下:
審核編輯:彭靜
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