中科院攻克2nm芯片技術(shù)，中國(guó)2nm制程取得突破

現(xiàn)在全球芯片行業(yè)都聚焦在了2nm制程上，臺(tái)積電、三星、IBM等芯片巨頭也都相繼宣布了2nm制程技術(shù)的相關(guān)消息，臺(tái)積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了，而在中國(guó)大陸，芯片行業(yè)還停留在研發(fā)7nm制程的階段。

由于我國(guó)工業(yè)起步較晚，在許多技術(shù)方面都要從其他國(guó)家地區(qū)購(gòu)入，但美國(guó)等勢(shì)力針對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)推出了制裁政策，因此在芯片代工、光刻機(jī)供應(yīng)等方面，中國(guó)幾乎處于孤立無(wú)援的狀態(tài)，只能靠自己研發(fā)來(lái)推動(dòng)芯片技術(shù)的發(fā)展。

晶體管是芯片中的一種元器件，隨著科技進(jìn)步，芯片中晶體管的數(shù)量越來(lái)越多，以往老舊的晶體管結(jié)構(gòu)已經(jīng)不能滿足要求，于是現(xiàn)在使用最為廣泛的FinFET晶體管就被研發(fā)了出來(lái)，這是一種3D晶體管，它的出現(xiàn)極大地改善了芯片的性能，現(xiàn)在廣泛應(yīng)用在22nm、16nm、7nm等制程工藝上。不過(guò)這種晶體管還是有局限性，在7nm之后的先進(jìn)制程中，F(xiàn)inFETch晶體管已經(jīng)不再適合了，這時(shí)更加先進(jìn)的GAA環(huán)繞柵極晶體管就被研發(fā)了出來(lái)，目前這是最先進(jìn)的晶體管技術(shù)。

但由于美國(guó)等國(guó)家制裁政策的緣故，GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)已經(jīng)被禁止向中國(guó)提供，這對(duì)中國(guó)的芯片行業(yè)將是一個(gè)沉重的打擊，不過(guò)好在在各位科研人員不斷的努力之下，我國(guó)的芯片技術(shù)終于取得了重大突破。據(jù)媒體報(bào)道，中科院已經(jīng)攻克了一項(xiàng)重大的2nm制程技術(shù)——疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。

據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術(shù)要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)更加先進(jìn)，這種新型晶體管技術(shù)是2nm制程的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，也就是說(shuō)在2nm制程上，我國(guó)已經(jīng)成功取得了突破。

不過(guò)即便如此，疊層垂直納米環(huán)柵晶體管也只不過(guò)是2nm制程諸多關(guān)鍵技術(shù)中的一部分，真要想達(dá)到2nm技術(shù)還有很長(zhǎng)的路要走。

綜合整理自 品閱網(wǎng) 大迪愛(ài)畫(huà)畫(huà) 百家眾神

審核編輯 黃昊宇