0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LN8362 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)芯片概述、應(yīng)用及特點(diǎn)

倚欄清風(fēng)L ? 來源:倚欄清風(fēng)L ? 作者:倚欄清風(fēng)L ? 2022-06-23 14:20 ? 次閱讀

產(chǎn)品概述

LN8362 是一款可驅(qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲小?/p>

LN8362 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài),用以提高轉(zhuǎn)換效率。集成使能關(guān)斷功能,可以同時(shí)關(guān)斷 DRVH、DRVL 的輸出。

LN8362 內(nèi)建死區(qū)自適應(yīng)功能,可以適應(yīng)更多規(guī)格MOSFET,同時(shí)簡化設(shè)計(jì)的繁瑣。

LN8362 采用 SOP8/ESOP8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來更多的選擇。

應(yīng)用領(lǐng)域

半橋/全橋轉(zhuǎn)換器

同步降壓、升降壓拓?fù)?/p>

電子煙、無線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品特點(diǎn)

電源 VCC 工作范圍:4V~15V

SW 最高電壓:60V

內(nèi)置自舉二極管

固定死區(qū)時(shí)間

兼容 3.3V/5V/15V 輸入信號(hào)

UVLO 時(shí) EN 端輸出低電平

內(nèi)建死區(qū)自適應(yīng)功能來防止 FET 交叉導(dǎo)通

EN 端可同時(shí)關(guān)斷上下兩個(gè) MOSFET

VCC,BST 欠壓保護(hù)功能

綠色環(huán)保無鹵,滿足 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)

封裝

SOP8/ESOP8

DFN2*2-8

DFN3*3-8

poYBAGK0BNyAGTOcAAD8qBuTUwY041.png

poYBAGK0BPGARCSlAAG9Obm6HiU945.png

poYBAGK0BQSAYaz2AAGGZrXWw7I357.png

poYBAGK0BcuANd62AAMMCHJt9YY813.png

pYYBAGK0BfiAMfDyAANkXgUEr1s101.png

poYBAGK0BgaALIPEAABkN4nt8vg840.png

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    8505

    瀏覽量

    145983
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    142

    文章

    6936

    瀏覽量

    211738
  • 驅(qū)動(dòng)芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    1224

    瀏覽量

    54147
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片怎么提高電流

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:23 ?120次閱讀

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型低功耗原因

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠
    的頭像 發(fā)表于 09-18 09:20 ?122次閱讀

    LN4203南麟600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)

    LN4203 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓半橋驅(qū)動(dòng)器,具有高低邊輸出,用來驅(qū)動(dòng)半橋電路中的兩個(gè)高壓大功率 MOSFET 或 IGBT。
    發(fā)表于 09-05 15:29 ?1次下載

    igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

    柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:48 ?437次閱讀

    mos驅(qū)動(dòng)芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因

    阻和快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。它由源極(Source)、漏極(Drain)、柵極(Gate)和襯底(Substrate)四個(gè)部分組成。柵極通過控制柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。 M
    的頭像 發(fā)表于 07-14 10:56 ?412次閱讀

    MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-13 09:40 ?1次下載

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片的原理是什么

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:23 ?967次閱讀

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片有哪些作用

    柵極驅(qū)動(dòng)芯片有哪些作用 柵極驅(qū)動(dòng)芯片在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們主要用于控制功
    的頭像 發(fā)表于 06-10 17:20 ?780次閱讀

    SA2601水泵半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片 SOP8

    。 SA2601A典型應(yīng)用 馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 逆變器電源 LLC電源 柵極驅(qū)動(dòng)芯片是電源管理芯片中的重要組成部分,它能夠
    發(fā)表于 04-01 17:32

    100V耐壓 LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片 SL2516D兼容替換LN2516車燈照明芯片

    SL2516D LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片是一款專為LED照明設(shè)計(jì)的高效、高精度恒流驅(qū)動(dòng)芯片。與LN2516車燈照明
    發(fā)表于 01-10 16:03

    ad8362中文芯片手冊(cè)

    AD8362是一款廣泛應(yīng)用于射頻(RF)及微波領(lǐng)域的中文芯片。它是一種單通道可變?cè)鲆娣糯笃鳎╒GAs),它的特點(diǎn)包括廣泛的調(diào)節(jié)范圍,低失真和高動(dòng)態(tài)范圍。本文將詳細(xì)介紹AD8362的特性
    的頭像 發(fā)表于 01-08 13:42 ?752次閱讀

    SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

    SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
    的頭像 發(fā)表于 12-07 15:52 ?484次閱讀
    SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

    MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?

    MOSFET柵極電路常見的作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種非常重要的電
    的頭像 發(fā)表于 11-29 17:46 ?1050次閱讀

    MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理

    幫助。本報(bào)告對(duì)目前較為流行的電路解決方案及其性能進(jìn)行了分析,包括寄生器件的影響、瞬態(tài)和極端工作條件。本文從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運(yùn)行概述入手,按照由易而難的順序,對(duì)各類問題進(jìn)行了闡述。詳細(xì)介紹了接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)
    發(fā)表于 11-17 16:56 ?5次下載

    MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?

    MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:18 ?2121次閱讀