IBM宣布制造出全球首款以2nm工藝打造的半導(dǎo)體芯片。該芯片與目前主流的7nm工藝相比,在同等電力消耗下,性能提升45%、能耗降低75%。
據(jù)悉,本次IBM所采用的使GAA技術(shù),也就是環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。根據(jù)IBM介紹,這是首次采用底介電隔離通道,可以使實(shí)現(xiàn)12nm的柵長(zhǎng),可以減少電流泄漏,有助于減少芯片上的功耗,其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計(jì),有助于納米片的開(kāi)發(fā)。IBM芯片采用了三層GAA納米片,每片納米片寬40nm,高5nm,間距44nm,柵極長(zhǎng)度12nm。
量產(chǎn)時(shí)間方面,根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,N2制程將于2025年量產(chǎn)。按照這個(gè)進(jìn)度,英特爾或?qū)⒃?nm工藝上實(shí)現(xiàn)對(duì)于臺(tái)積電的趕超。此前,英特爾已宣布將會(huì)在2024年量產(chǎn)Intel 20A工藝,隨后,英特爾又宣布其Intel 18A工藝也將提前到2024年量產(chǎn)。另外,根據(jù)臺(tái)積電最新展示技術(shù)路線圖顯示,在今年下半年臺(tái)積電第一代3nm(N3)工藝量產(chǎn)之后,除了將推出低成本、低能耗的N3E之外,還將會(huì)推出高性能版本的N3P,以及性能和功耗均更具優(yōu)勢(shì)的N3X。
根據(jù)提供的數(shù)據(jù)來(lái)看,臺(tái)積電的5nm芯片每平方毫米約有1.73億個(gè)晶體管,三星的5nm芯片每平方毫米約有1.27億個(gè)晶體管,IBM 2nm晶體管密度達(dá)到了臺(tái)積電5nm的2倍,預(yù)計(jì)比臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度還要多。
其實(shí),IBM在7nm和5nm領(lǐng)域都具備相當(dāng)優(yōu)勢(shì)的主導(dǎo)權(quán),并均實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。不過(guò)IBM目前并沒(méi)有自主的晶圓廠,如果此款2nm工藝的芯片想要順利落地,也需要三星、Intel等代工廠的幫助。
本文整合自:OFweek、芯智訊
責(zé)任編輯:符乾江
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
450文章
49646瀏覽量
417252 -
IBM
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
1730瀏覽量
74480 -
2nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
200瀏覽量
4466
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論