IBM在2nm制程芯片上采用了GAA環(huán)繞式柵極技術(shù)

IBM已正式發(fā)布了2nm制程工藝的芯片，這次IBM在2nm制程的芯片上用了一種叫GAA（Gate All Around）環(huán)繞式柵極的技術(shù)。

相比之下，該芯片對GAA工藝的應(yīng)用實(shí)踐，反而更具意義。

IBM這一創(chuàng)新或意味著先進(jìn)制程芯片的架構(gòu)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA工藝的趨勢。這項(xiàng)技術(shù)最早是由三星先采用的，分為納米線和納米片結(jié)構(gòu)，好處是能解決原先5nm工藝中遇到的漏電情況。

簡單來說，這項(xiàng)技術(shù)讓晶體管之間的密度更高，空間優(yōu)化處理的更好，從而帶來更強(qiáng)的算力。與GAA相對應(yīng)的是FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管），F(xiàn)inFET是芯片從22nm逐步進(jìn)軍7nm、5nm的關(guān)鍵工藝。

本質(zhì)上，IBM的2nm并沒有突破物理極限，而是采用了新的GAA架構(gòu)，雖然可以通過增大晶體管節(jié)點(diǎn)的密度，來提升芯片的性能，但是這種解決方案也不是萬能的，缺點(diǎn)也很明顯。

如果找不到新的突破口的話，最壞的結(jié)果就是整個芯片行業(yè)可能會停滯不前。如果按照這個思路繼續(xù)往下推導(dǎo)的話，IBM的2nm可能沒有想象中的那么好，往往理論并不能代表實(shí)際表現(xiàn)。

本文整合自：OFweek、Ai芯天下

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