電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護,離不開高性能的開關(guān)器件。近日,豪威集團全新推出兩款 MOSFET:業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 溝道 MOSFET WNM6008。
WNMD2196A 超低 Rss(ON),專為手機鋰電池保護設(shè)計
近幾年,手機快充技術(shù)飛速發(fā)展,峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時,高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET 在電池包裝中起到安全保護開關(guān)的作用,其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。
雙 N 溝道增強型 MOSFET,WNMD2196A 具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻,RSS(ON) 低至 1m?,專為手機鋰電池電路保護設(shè)計。WNMD2196A 采用先進的溝槽技術(shù)設(shè)計,提供卓越的 RSS(ON) 的同時實現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快,闕值電壓低,開關(guān)速率高。
WNMD2196A 兼顧性能與設(shè)計靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP 封裝,更緊湊,方便電池應(yīng)用布板設(shè)計。同時,優(yōu)化的 SOA 特性,提高承受沖擊電流的能力;超低 RSS(ON),可實現(xiàn)更高的效率和更低的溫升,提升了產(chǎn)品的可靠性。
WNM6008 80V 高功率 MOSFET 適用太陽能、電池供電應(yīng)用
WNM6008——80V 高功率 MOSFET,采用最新一代 Shield Gate 技術(shù),針對電信和服務(wù)器電源中使用的更高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,具備超低 FOM 值(開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù))。WNM6008 低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可實現(xiàn)更高效率、更優(yōu) EMI 性能。適用于同步整流應(yīng)用,優(yōu)化了反向恢復(fù)電荷從而實現(xiàn)更低的尖峰電壓,提供最高水平的功率密度和能效,繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。
WNM6008 適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路??捎行зx能太陽能、電源和電池供電(例如電動代步車)等應(yīng)用。該產(chǎn)品符合 RoHS 環(huán)保標準,采用 QFN5x6 標準緊湊封裝,在實現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r,方便對市場上同類產(chǎn)品進行升級替換。
豪威集團憑借多年技術(shù)沉淀,緊跟市場需求,在 MOSFET 工藝上具有導(dǎo)通阻抗低、封裝緊湊、類型齊全,能夠滿足多種定制化需求的獨特優(yōu)勢。未來,豪威集團將持續(xù)發(fā)力電路保護領(lǐng)域,不斷升級創(chuàng)新,為數(shù)字電路應(yīng)用的新時代助力賦能。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
142文章
6936瀏覽量
211739 -
數(shù)字電路
+關(guān)注
關(guān)注
193文章
1579瀏覽量
80180 -
開關(guān)器件
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
181瀏覽量
16830 -
豪威集團
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
79瀏覽量
4973
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論