“使用IGBT時,注重實用的工程師往往在不同技術(shù)路線的IGBT芯片上看得云里霧里。這里,就分享一下從PN結(jié)到IGBT的機理,掌握基礎(chǔ),千變?nèi)f化不離其宗,性能變化就很容易記了
PN結(jié)
PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ),摻雜是半導(dǎo)體的靈魂,先明確知識點:
P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會有 “空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(positive)型;同理,摻雜五價元素,電子為“多子”,摻雜類型為N(negative)型
載流子:導(dǎo)電介質(zhì),分為多子和少子,概念很重要,后邊會引用
“空穴”帶正電,電子帶負電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性
P+和N+表示重度摻雜;P-和N-表示輕度摻雜
PN結(jié)原理如下圖,空穴和電子的擴散形成耗盡層,耗盡層的電場方向如圖所示:
PN結(jié)正偏:PN結(jié)加正向電壓,如下圖
此時P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運動,N區(qū)多子電子相反,使耗盡層變窄至消失,正向?qū)щ奜K,也可以理解成外加電場克服耗盡層內(nèi)電場,實現(xiàn)導(dǎo)電,該電壓一般為0.7V或0.3V
二極管正向?qū)ǖ脑砑词侨绱?/p>
PN結(jié)反偏:PN結(jié)加反向電壓,如下圖
反偏時,多子在電場作用下運動使PN結(jié)加寬,電流不能通過,反向截止;
二極管反向截止的原理就是這樣
但是,此時少子在內(nèi)外電場的作用下移動,并且耗盡層電場方向使少子更容易通過PN結(jié),形成漏電流。
得出重要結(jié)論,劃重點:
反偏時,多數(shù)載流子截止,少數(shù)載流子很容易通過,并且比正偏時多數(shù)載流子通過PN結(jié)還要輕松。
三極管
上邊說PN結(jié)反偏的時候,少數(shù)載流子可以輕易通過,形成電流,正常情況小少子的數(shù)量極少,反向電流可忽略不計。
現(xiàn)在我們就控制這個反向電流,通過往N區(qū)注入少子的方式,怎么注入,在N區(qū)下再加一個P區(qū),并且使新加的PN結(jié)正偏,如下:
上圖中,發(fā)射結(jié)正偏,空穴大量進入基區(qū),他們在基區(qū)身份仍然是少數(shù)載流子的身份,此時,如前所述,這些注入的少數(shù)載流子很容易通過反偏的PN結(jié)——集電結(jié),到達集電極,形成集電極電流Ic
于是,我們課堂上背的三極管放大導(dǎo)通條件是<發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏>就非常容易理解了,上一張三極管的特性曲線
這里涉及了飽和區(qū)的問題
三極管工作在飽和區(qū)時Vce很小,有人說飽和區(qū)條件是發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)也正偏,這很容易讓人誤解;發(fā)射結(jié)正偏導(dǎo)通沒問題,但集電結(jié)并沒有達到正偏導(dǎo)通,若集電結(jié)正偏導(dǎo)通,就跟兩個二極管放一起沒區(qū)別;集電結(jié)的正偏電壓阻礙基區(qū)少子向集電極漂移,正偏越厲害,少子向集電極運動越困難,即Ic越小,因此飽和狀態(tài)下的Ic是小于放大狀態(tài)下的βIb的,此時,管子呈現(xiàn)出很小的結(jié)電阻,即所謂的飽和導(dǎo)通
MOS管結(jié)構(gòu)原理:以N-MOS為例,a:P型半導(dǎo)體做襯底;b:上邊擴散兩個N型區(qū),c:覆蓋SiO2絕緣層;在N區(qū)上腐蝕兩個孔,然后金屬化的方法在絕緣層和兩個孔內(nèi)做成三個電極:G(柵極)、D(漏極)、S(源極)
工作原理:一般襯底和源極短接在一起,Vds加正電壓,Vgs=0時,PN結(jié)反偏,沒有電流,Vgs加正電壓,P襯底上方感應(yīng)出負電荷, 與P襯底的多子(空穴)極性相反,被稱為反型層,并把漏源極N型區(qū)連接起來形成導(dǎo)電溝道,當(dāng)Vgs比較小時,負電荷與空穴中和,仍無法導(dǎo)電,當(dāng)Vgs超過導(dǎo)通閾值后,感應(yīng)的負電荷把N型區(qū)連接起來形成N溝道,開始導(dǎo)電。Vgs繼續(xù)增大,溝道擴大電阻降低,從而電流增大
為改善器件性能,出現(xiàn)了VMOS、UMOS等多種結(jié)構(gòu),基本原理都一樣。
功率MOS:
下圖功率MOS結(jié)構(gòu)上可以稱VDMOS(vertical Double diffusion MOS垂直雙擴散MOS),工作原理如上所述,仔細看對分析IGBT的結(jié)構(gòu)有幫助哦!
插播:
不同MOS結(jié)構(gòu)名稱:
LDMOS:lateral double diffused MOSFET 水平雙擴散MOS
VDMOS:vertical double diffusion MOSFET垂直雙擴散MOS
VDMOS與LDMOS的不同是漏極在背面,垂直結(jié)構(gòu)
為克服平面柵的缺點,后邊發(fā)展了VMOS和UMOS(此思路同樣適用于IGBT)
IGBT
主角登場,以前說過,IGBT是MOS和BJT的復(fù)合器件,到底是怎么復(fù)合的,往下看
從結(jié)構(gòu)上看,IGBT與功率MOS的結(jié)構(gòu)非常類似,在背面增加P+注入層(injection layer)
與功率MOS相比
功率MOS:單一載流子“多子”導(dǎo)電
IGBT:增加P+注入層,向漂移區(qū)注入空穴,結(jié)構(gòu)上增加P+/N-的PN結(jié),并且正偏,也就是增加了類似BJT結(jié)構(gòu)的三極管,于是就有兩種載流子參與導(dǎo)電,大大增加了效率。
得出IGBT的導(dǎo)電路徑:
由于上圖P阱與N-漂移區(qū)的PN結(jié)成反偏狀態(tài),于是產(chǎn)生了JFET效應(yīng),如下圖
于是,在上述IGBT結(jié)構(gòu)中,電子流通方向的電阻可用下圖表示,結(jié)合上邊描述,一目了然
為了減小上述電阻,并且提高柵極面積利用率,溝槽柵IGBT變成主流,作用效果如下圖
此外,為了提升IGBT耐壓,減小拖尾電流,在N –漂移區(qū)、背面工藝(減薄和注入)上下了不少功夫:
N-區(qū)下的功夫包含以下幾種:
PT:以高濃度的P+直拉單晶硅為起始材料,先生長一層摻雜濃度較高的N型緩沖層(N+buffer層),然后再繼續(xù)淀積輕摻雜的N-型外延層作為IGBT的漂移區(qū),之后再在N-型外延層的表面形成P-base、N+ source作為元胞,最后根據(jù)需要減薄P型襯底
NPT:采用輕摻雜N- 區(qū)熔單晶硅作為起始材料,先在硅面的正面制作元胞并用鈍化層保護好,之后再將硅片減薄到合適厚度。最后在減薄的硅片背面注入硼,形成P+ collector
FS:以輕摻雜N- 區(qū)熔單晶硅作為起始材料,先在硅面的正面制作元胞并用鈍化層保護好,在硅片減薄之后,首先在硅片的背面注入磷,形成N+ 截止層, 最后注入硼,形成P+ collector
從上邊看,F(xiàn)S和PT結(jié)構(gòu)相似,但工藝流程不同,表現(xiàn)形式上性能差距較大
有了以上基礎(chǔ)知識后,再看IGBT芯片的發(fā)展史和帶來的性能變化,就能比較容易理解了,究竟結(jié)構(gòu)變化怎么帶來性能變化,本篇文章不在展開,有興趣可參考文末鏈接
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:從PN結(jié)到IGBT一條龍【易懂】(含二三極管、MOS)
文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
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