臺積電2nm芯片計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

臺積電正式公布2nm制造技術(shù)，該工藝廣泛使用EUV光刻技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，計劃于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

臺積電2nm芯片將性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%，芯片密度增加了 1.1 倍以上，與3nm相比，其性能和功耗都將實現(xiàn)大幅度升級。

據(jù)悉，臺積電或?qū)⒃?024年開始使用2nm制造技術(shù)風(fēng)險試產(chǎn)，首批2nm芯片預(yù)計于2025年末或2026年量產(chǎn)上市。除此之外，臺積電還計劃在2024年引進(jìn)ASML下一代High-NA EUV最強(qiáng)光刻機(jī)，用以制造芯片。

綜合整理自半導(dǎo)體行業(yè)觀察、Tech情報局

審核編輯：湯梓紅