NP90P012D6 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET概述

描述

NP90P012D6采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON)，本設(shè)備適用于用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。

一般特征

?VDS = -12v id = -90a

RDS(上)(Typ) = 3.9Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 5.1Ω@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

?150℃的工作溫度

?100% ui測試

應(yīng)用程序

?PWM程序

?負(fù)荷開關(guān)

?不間斷電源包

?PDFN5 * 6-8L-A

訂購信息

絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

工作結(jié)溫范圍Tj -55-150℃

電特性(除非另有說明，TA=25℃)

熱特性

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅，在靜止的空氣環(huán)境中T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評級是基于t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和

審核編輯：湯梓紅