光芯片,一般是由化合物半導(dǎo)體材料(InP和GaAs等)所制造,通過內(nèi)部能級躍遷過程伴隨的光子的產(chǎn)生和吸收,進而實現(xiàn)光電信號的相互轉(zhuǎn)換。
微電子芯片采用電流信號來作為信息的載體,而光子芯片則采用頻率更高的光波來作為信息載體。相比于電子集成電路或電互聯(lián)技術(shù),光芯片展現(xiàn)出了更低的傳輸損耗 、更寬的傳輸帶寬、更小的時間延遲、以及更強的抗電磁干擾能力。
此外,光互聯(lián)還可以通過使用多種復(fù)用方式(例如波分復(fù)用WDM、模分互用MDM等)來提高傳輸媒質(zhì)內(nèi)的通信容量。因此,建立在集成光路基礎(chǔ)上的片上光互聯(lián)被認為是一種極具潛力的技術(shù),能夠有效突破傳統(tǒng)集成電路物理極限上的瓶頸。
光子芯片展望
回顧光芯片發(fā)展歷程,早在1969年美國的貝爾實驗室就已經(jīng)提出了集成光學(xué)的概念。但因技術(shù)和商用化方面的原因,直到21世紀初,以Intel和IBM為首的企業(yè)與學(xué)術(shù)機構(gòu)才開始重點發(fā)展硅芯片光學(xué)信號傳輸技術(shù),期望能用光通路取代芯片之間的數(shù)據(jù)電路。
近年來隨著技術(shù)的發(fā)展,包括硅、氮化硅、磷化銦、III-V族化合物、鈮酸鋰、聚合物等多種材料體系已被用于研發(fā)單片集成或混合集成的光子芯片。
在過去數(shù)年里,光子集成技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)取得了許多進展和突破。
據(jù)了解,目前純光子器件已能作為獨立的功能模塊使用,但是,由于光子本身難以靈活控制光路開關(guān),也不能作為類似微電子器件的存儲單元,純光子器件自身難以實現(xiàn)完整的信息處理功能,依然需借助電子器件實現(xiàn)。因此,完美意義上的純“光子芯片”仍處于概念階段,尚未形成可實用的系統(tǒng)。嚴格意義上講,當前的“光子芯片”應(yīng)該是指集成了光子器件或光子功能單元的光電融合芯片,仍存在無法高密度集成光源、集成低損耗高速光電調(diào)制器等問題。
光子集成電路雖然目前仍處于初級發(fā)展階段,不過其成為光器件的主流發(fā)展趨勢已成必然。光子芯片需要與成熟的電子芯片技術(shù)融合,運用電子芯片先進的制造工藝及模塊化技術(shù),結(jié)合光子和電子優(yōu)勢的硅光技術(shù)將是未來的主流形態(tài)
硅基光電子集成芯片概念圖
高速數(shù)據(jù)處理和傳輸構(gòu)成了現(xiàn)代計算系統(tǒng)的兩大支柱,而光芯片將信息和傳輸和計算提供一個重要的連接平臺,可以大幅降低信息連接所需的成本、復(fù)雜性和功率損耗。隨著光芯片技術(shù)的發(fā)展迭代,大型云計算廠商和一些企業(yè)客戶的需求都在從100G過渡到400G,400GbE的數(shù)據(jù)通信模塊出貨量翻了一倍,在2021年達到創(chuàng)紀錄的水平。
由此可見,光器件行業(yè)整個產(chǎn)業(yè)鏈都在持續(xù)向滿足更高速率、更低功耗、更低成本等方向演進升級,800G及更高速率產(chǎn)品也逐漸開始使用,不同細分領(lǐng)域都面臨新技術(shù)的迭代和升級。
目前本土光芯片/光模塊廠商主要有:芯思杰、瑞識科技、新亮智能、度亙激光、長瑞光電、立芯光電、源杰半導(dǎo)體、銳晶激光、索爾思光電、長光華芯、華工科技、光迅科技、新易盛、云嶺光電、敏芯半導(dǎo)體、博創(chuàng)科技、中際旭創(chuàng)、縱慧芯光、曦智科技、劍橋科技、凌越光電、盛為芯等企業(yè)。
?編輯:黃飛
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原文標題:光芯片是什么
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