NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)
1.描述
NP30P10G采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為提供出色的RDS(ON)
2.一般特征
* 帶低門(mén)
* 沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
VDS=-100V ID
R=-30a
DS(ON)（典型值）=36 MΩ@VGS
R=-10V
DS(ON)（典型值）=40 MΩ@VGS
* 高功率和電流處理能力
=-4.5V
* 獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
* 表面貼裝封裝
3.應(yīng)用程序
* 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
4.包裝
TO-252-2L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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