NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)

描述
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門(mén)電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開(kāi)關(guān)或應(yīng)用程序。

一般特征
? VDS =20V，ID =5A
RDS(上)(Typ) = 32 m?@VGS = 2.5 v
RDS(上)(Typ) = 26 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費(fèi) 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包

應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開(kāi)關(guān)

封裝
?SOT-23

原理圖

標(biāo)記和引腳分配

訂購(gòu)信息

審核編輯 黃昊宇