0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氧化物技術(shù)現(xiàn)狀,氧化物技術(shù)哪家強?

知識酷Pro ? 來源:知識酷Pro ? 作者:玉婷 ? 2022-07-15 11:42 ? 次閱讀

為了達成2060年碳中和目標,我國正加快能源綠色低碳轉(zhuǎn)型。同時隨著家庭娛樂,商業(yè)賽事直播、網(wǎng)絡直播、工作線上化,等需求的不斷增長,超大尺寸、高分辨率及高刷新率的顯示產(chǎn)品也受到了各大廠商的關(guān)注與發(fā)展。

隨著消費者對屏幕的要求越來越高,提升性能的角度亦有多種。

例如,從屏幕的驅(qū)動技術(shù)入手解決,就有:a-Si、LTPS、Oxide三種技術(shù)。

雖然這些技術(shù)各有優(yōu)勢,但相對其他兩種技術(shù),Oxide有如下優(yōu)勢:

1、Oxide具有高電子遷移率,可實現(xiàn)面板的高分辨率、高刷新率、窄邊框、低功耗等性能。。

2、漏電流方面,Oxide最佳,可實現(xiàn)低頻驅(qū)動,畫面無更新時可以讓畫面保持更長時間,進一步提高省電效果,實現(xiàn)長續(xù)航在低功耗方面有明顯優(yōu)勢。

93c795a0-03ef-11ed-ba43-dac502259ad0.png

低頻顯示功耗優(yōu)勢

3、Oxide性能和成本相對均衡,目前主要用于中大尺寸的高端LCD和大尺寸的OLED屏,當前市場份額較高。

93e1b28c-03ef-11ed-ba43-dac502259ad0.png

氧化物開口率更高

氧化物技術(shù)現(xiàn)狀

金屬氧化物半導體是一種透明半導體材料,其導帶由金屬離子的ns軌道形成,價帶由氧離子的2p軌道形成,電子在金屬陽離子軌道與鄰近陽離子軌道的重疊區(qū)進行快速傳輸。IGZO(indium gallium zinc oxide,銦鎵鋅氧化物)是金屬氧化物半導體的一種,由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅燒結(jié)而成,2003年由日本東京工業(yè)大學細野秀雄最先提出在 TFT行業(yè)中應用,是最早實現(xiàn)量產(chǎn)的金屬氧化物。

9400b8f8-03ef-11ed-ba43-dac502259ad0.png

金屬氧化物半導體導電軌道

雖然,氧化物比已有的非晶硅類技術(shù)的面板具有更高的遷移率、開口率,更優(yōu)異的截止特性,可以采用低溫工藝制造,可大尺寸化等優(yōu)點,能夠滿足末來產(chǎn)品高品質(zhì)提升和降低能耗的雙重需求。然而,氧化物半導體表現(xiàn)出較差的耐熱性,在薄膜晶體管的制造過程中,尤其是熱處理或等離子體處理過程中,氧容易被分離并由此形成晶格缺陷,而晶格缺陷會使氧化物半導體具有電器上淺得雜質(zhì)水平,并使氧化物半導體電阻變低。在氧化物技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應用上,傳統(tǒng)的氧化物薄膜微結(jié)構(gòu)在偏壓應力、光照、大電流下器件性能衰減等不穩(wěn)定的問題,以及銅工藝與氧化物工藝不匹配的難題。

氧化物技術(shù)哪家強?

隨著氧化物技術(shù)迭代升級,不斷完善,各個企業(yè)亦各顯神通,那么京東方作為半導體顯示龍頭企業(yè),在氧化物半導體技術(shù)領(lǐng)域上也是率先發(fā)力,已有多年的技術(shù)積累并取得了重大突破。跟小酷一起了解一下吧!

京東方創(chuàng)造性研發(fā)出銅擴散阻擋技術(shù),提出獨有的氮氧平和理論、界面修復理論,同時產(chǎn)學聯(lián)合,在材料、器件結(jié)構(gòu)和原理上均實現(xiàn)了突破,解決了氧化物半導體顯示技術(shù)的量產(chǎn)難題,在國內(nèi)率先實現(xiàn)量產(chǎn)。

該展品是BOE(京東方)在2022年SID展示的高遷移率氧化物樣機,是BOE持續(xù)研究探索的成果,采用新型氧化物材料和工藝方案,場效應遷移率提升為原來的3倍,大于30cm2/V.s。綜合高遷移率、GOA數(shù)量減半及驅(qū)動電壓優(yōu)化特點,其邏輯功耗比常規(guī)氧化物優(yōu)化40%,實現(xiàn)極致低功耗。邊框較常規(guī)氧化物減小1mm,實現(xiàn)極致窄邊框。

京東方的氧化物技術(shù)優(yōu)勢主要在于NB刷新率高、遷移率高、LTPO低功率。

近年京東方的氧化物實現(xiàn)了高遷移率、超高刷新率、大尺寸LCDGOA技術(shù)、LTPO技術(shù)、大尺寸高分辨率OLED顯示技術(shù)的突破?;趶姶蟮募夹g(shù)創(chuàng)新力賦能,京東方氧化物半導體技術(shù)產(chǎn)品形態(tài)分布實現(xiàn)突破,從手機產(chǎn)品到超大的110英寸的電視產(chǎn)品,從2K顯示產(chǎn)品到8K超高分辨率產(chǎn)品顯示,從1HZ的低頻驅(qū)動產(chǎn)品到500Hz的高頻驅(qū)動產(chǎn)品,從LCD顯示產(chǎn)品到OLED顯示產(chǎn)品,基本實現(xiàn)了主流市場產(chǎn)品的全覆蓋,引領(lǐng)全球半導體顯示行業(yè)的發(fā)展。

氧化物技術(shù)去向何方?

基于氧化物半導體的薄膜晶體管仍然會是末來顯示行業(yè)研究的熱點技術(shù)之一。國內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員應加大研發(fā)力度,抓住機遇,開發(fā)出綜合性能優(yōu)良的基于氧化物半導體的薄膜晶體管以滿足顯示領(lǐng)域越來越高的性能需求,同時增強我國在該方面技術(shù)的競爭力。 未來,如同京東方這樣的領(lǐng)先企業(yè),將會在創(chuàng)新之路上不斷前進,引領(lǐng)中國的半導體顯示技術(shù)企業(yè)不斷前進,持續(xù)提升產(chǎn)品顯示性能,大力推進氧化物技術(shù)搭配低頻驅(qū)動技術(shù)的普及及應用,賦能綠色經(jīng)濟,不斷提升系那是產(chǎn)品的能效助力“碳中和”目標早日實現(xiàn),持續(xù)為用戶推出更優(yōu)美,更節(jié)能的顯示產(chǎn)品,用心改變生活,用科技讓生活更加美好!

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26863

    瀏覽量

    214366
  • 氧化物
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    21

    瀏覽量

    8152
  • 碳中和
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    198

    瀏覽量

    13668

原文標題:前沿科技 | 一文讀懂熱門氧化物半導體顯示技術(shù)

文章出處:【微信號:ZHISHIKU-Pro,微信公眾號:知識酷Pro】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    氧化物布局格局一覽 氧化物電解質(zhì)何以撐起全固態(tài)?

    今年以來,各式各樣的半固態(tài)、全固態(tài)電池開始愈發(fā)頻繁且高調(diào)地現(xiàn)身,而背后均有氧化物電解質(zhì)的身影。
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:41 ?925次閱讀

    金屬氧化物異質(zhì)結(jié)光電探測器研究進展綜述

    金屬氧化物(MO)因其具有易于制備、高穩(wěn)定性、對載流子的選擇性傳輸?shù)葍?yōu)點,被廣泛應用于光電探測領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 05-13 09:09 ?818次閱讀
    金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>異質(zhì)結(jié)光電探測器研究進展綜述

    研究人員開發(fā)出高性能p型非晶氧化物半導體

    和 107 的開/關(guān)電流比,與早期 n 型氧化物薄膜晶體管的關(guān)鍵電氣屬性非常相似。此外,薄膜晶體管在長時間偏置應力下表現(xiàn)出顯著的穩(wěn)定性以及大面積薄膜的均勻性。 圖源:浦項工科大學 研究人員合作開發(fā)了碲硒復合氧化物半導體材料。他們成功創(chuàng)造了高性能和高穩(wěn)定性的p型薄膜晶體管(
    的頭像 發(fā)表于 04-30 14:58 ?446次閱讀
    研究人員開發(fā)出高性能p型非晶<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體

    帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有集成金屬氧化物半導體場效應晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 04-11 11:22 ?0次下載
    帶有集成金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體場效應晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表

    金屬氧化物壓敏電阻的沖擊破壞機理&amp;高能壓敏電阻分析

    氧化鋅為主的金屬氧化物閥片在一定的電壓和電流作用下的破壞可分為熱破壞和沖擊破壞兩類。 熱破壞是指氧化鋅電阻在交流電壓持續(xù)作用時發(fā)生的破壞,即由于閥片在交流作用下的發(fā)熱超過了其散熱能力而導致的熱平衡
    發(fā)表于 03-29 07:32

    金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 概述:工作和應用

    1. 引言 通??梢栽谌魏坞娫措娐返慕涣鬏斎雮?cè)發(fā)現(xiàn)的藍色或橙色圓形部件是金屬氧化物壓敏電阻或MOV??梢詫⒔饘?b class='flag-5'>氧化物壓敏電阻視為另一種形式的可變電阻器,它可以根據(jù)施加在其兩端的電壓來改變其電阻。當
    發(fā)表于 03-29 07:19

    N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N通道NexFET? 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-28 15:43 ?0次下載
    N通道NexFET? 功率金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體場效應晶體管(MOSFET) 數(shù)據(jù)表

    現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-20 11:27 ?0次下載
    現(xiàn)代互補金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數(shù)據(jù)表

    現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-20 11:14 ?0次下載
    現(xiàn)代互補金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數(shù)據(jù)表

    具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-20 11:12 ?0次下載
    具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表

    互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-20 10:57 ?0次下載
    互補金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數(shù)據(jù)表

    具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 03-20 10:56 ?0次下載
    具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表

    Littelfuse宣布推出SM10金屬氧化物壓敏電阻系列

    Littelfuse 宣布推出SM10壓敏電阻系列,這是一款革命性的金屬氧化物壓敏電阻 (MOV),旨在為汽車電子器件、電動汽車 (EV) 以及其他各類應用提供卓越的瞬態(tài)浪涌保護。
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:51 ?1.9w次閱讀

    簡單認識功率金屬-氧化物-半導體場效應管

    功率金屬-氧化物-半導體場效應管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開關(guān)速度快,并且具有負溫度系數(shù)(溫度上升時電流減少),因此被認為是一種理想的開關(guān)器件。功率金屬-氧化物-半導體場效應管
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:45 ?800次閱讀
    簡單認識功率金屬-<b class='flag-5'>氧化物</b>-半導體場效應管

    【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)

    【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:22 ?676次閱讀
    【科普小貼士】金屬<b class='flag-5'>氧化物</b>半導體場效應晶體管(MOSFET)