NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
1.描述
NP16P10G采用先進的溝槽技術(shù)并設(shè)計為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
2.一般特征
* VDS=-100V，ID=-16A
* RDS(ON)（典型值）=153 mΩ@VGS=-10V
* RDS(ON)（典型值）=180 MΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和電流處理能力
* 獲得無鉛產(chǎn)品
* 表面貼裝封裝
3.應(yīng)用程序
* 負荷開關(guān)
4.包裝
TO-252-2L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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