比亞迪IGBT，IPM，F(xiàn)RD,SIC的參數(shù)及電路拓補(bǔ)圖
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
比亞迪
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2204瀏覽量
53862 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1256文章
3711瀏覽量
246968
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
華芯邦智能功率模塊IPM革新戴森平替高速吹風(fēng)機(jī)應(yīng)用消費(fèi)家電領(lǐng)域應(yīng)用
IPM模塊通常包括一個(gè)功率MOSFET、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）或SiC（碳化硅）等開(kāi)關(guān)器件，以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制這些開(kāi)關(guān)器件的導(dǎo)通和截止。此外，
IGBT IPM的短路電流保護(hù)功能
短路電流保護(hù)功能（SCP）是通過(guò)在IPM外部連接分流電阻并將電阻產(chǎn)生的電壓反饋至CIN引腳電路的功能。
為什么逆變器這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class='flag-5'>IGBT IPM的需求很大？
ROHM于2021年4月宣布推出600V耐壓IGBT IPM（Intelligent Power Module）新產(chǎn)品“BM6337x系列”，隨后又新增了“BM6357x系列”。
IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)有哪些
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性，其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT
什么是IGBT IPM 有什么特點(diǎn)
IPM代表“Intelligent Power Module”，它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導(dǎo)體器件，以及它們的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路于一體的模塊。這種設(shè)計(jì)使得
R課堂 | IGBT IPM實(shí)例：封裝
本文的關(guān)鍵要點(diǎn) 以實(shí)際的IPM產(chǎn)品為例，介紹了封裝類型、外形尺寸、引腳配置、印標(biāo)和散熱器安裝方法等內(nèi)容。 本文將為大家介紹IGBT IPM的封裝。與 上一篇 中的示例一樣，在本文中我們也以ROHM第
IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（1）
IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（1）
IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（2）
IGBT/IPM/DIPIPM定義及應(yīng)用基礎(chǔ)（2）
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置？
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值 絕對(duì)最大額定值是指在任何工作條件下，設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGBT
如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓
IGBT/FRD/MOSFET功率器件模塊材料介紹
能。?功率半導(dǎo)體芯片：如IGBT、FRD、MOSFET等等，傳統(tǒng)Si基和新興的第三代半導(dǎo)體SiC等，它們的特性受制于其本身的設(shè)計(jì)，同時(shí)也需要看于其搭配的封裝材料和
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國(guó)內(nèi)廠商盤點(diǎn)
，是目前國(guó)內(nèi)IGBT領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。公司成功研發(fā)出了
發(fā)表于 10-16 11:00
【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用
/DC電源中。主機(jī)電源應(yīng)用環(huán)境惡劣，對(duì)電源效率、可靠性等參數(shù)要求較高，因此，選用750W的主機(jī)電源對(duì)SiC SBD和Si FRD進(jìn)行對(duì)比測(cè)試。
如下圖所示，其中CR Micro（SiC
發(fā)表于 10-07 10:12
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論