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      NP3416BEMR(20V N溝道增強(qiáng)模MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-19 09:07 ? 次閱讀

      1.描述
      NP3416BEMR采用先進(jìn)的溝槽提供出色的RDS（開）、低柵電荷的技術(shù)和低至1.8V的柵極電壓工作。這個(gè)該器件適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM申請。

      2.一般特征
      VDS=20V，ID=4A
      RDS(ON)（典型值）=18.5 mΩ@VGS=4.5 V
      RDS（ON）（典型值）=23.3 mΩ@VGS=2.5V
      （1）高功率和電流處理能力
      獲得無鉛產(chǎn)品
      表面貼裝封裝
      額定ESD：2500V HBM

      3.應(yīng)用程序
      PWM應(yīng)用
      負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      poYBAGLWA7aAMyAZAAETptY2xFw900.png



      審核編輯 黃昊宇

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