NP30N03LD6（30 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET）

描述
NP30N03LD6使用溝技術(shù)獨(dú)特的優(yōu)化提供最有效的高頻率切換的性能。兩個(gè)傳導(dǎo)由于一個(gè)和交換式電源損失最小化
極低的RDS(上)和路上的組合。這設(shè)備是高頻開關(guān)和理想同步整流。

一般特征
? VDS =30V，ID =30A
RDS(上)(Typ) = 25 m?@VGS = 4.5 v
RDS(上)(Typ) = 45 m?@VGS = 2.5 v
? Very 低 導(dǎo) 通 電阻 RDS(on)
? 150 °C 操作 溫度
? 100% UIS 測(cè)試

應(yīng)用程序
? Synchronus Rectification DC/DC AC/DC轉(zhuǎn)換器
? Industrial 和 Motor Drive 應(yīng)用 程序

原理圖

標(biāo)記和引腳分配

訂購(gòu)信息

審核編輯 黃昊宇