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NP2302MR(20V N溝道增強模MOSFET)

batai ? 來源:batai ? 作者:batai ? 2022-07-20 09:09 ? 次閱讀

1.描述
NP2302MR采用先進的溝槽技術提供出色的RDS(開啟)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V時工作。這個該器件適合用作負載開關或PWM申請。

2.一般特征
VDS=20V,ID=2A
RDS(ON)(典型值)=29.3 mΩ@VGS=4.5 V
RDS(ON)(典型值)=35.8 mΩ@VGS=2.5V
(1)高功率和電流處理能力
獲得無鉛產(chǎn)品
表面貼裝封裝

3.應用程序
PWM應用
負荷開關

4.包裝
SOT-23-3L

5.示意圖

pYYBAGLXVcuAVehdAADQmBLJ1MQ947.png



審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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