同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)

反激變換器、充電器都偏愛的同步整流芯片U7710

同步整流芯片U7710是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)，內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。

7.1V 穩(wěn)壓器

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7710內(nèi)部 7.1V 穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統(tǒng)啟動(dòng)

系統(tǒng)開機(jī)以后，同步整流芯片U7710內(nèi)部高壓 LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流MOSFET進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于 VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。系統(tǒng)開機(jī)以后，芯片內(nèi)部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。

當(dāng) VDD 電壓低于欠壓保護(hù)閾值后（3.1V 典型值），芯片進(jìn)入睡眠模式，同時(shí)內(nèi)部同步整流 MOSFET 進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流 MOSFET 的體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流。當(dāng) VDD 電壓高于 VDD 開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流 MOSFET 只在副邊續(xù)流期間才能開通。

開通階段

初始階段同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流，同時(shí)在體二極管兩端形成一負(fù)向Vds電壓（《-500mV）。該負(fù)向Vds電壓遠(yuǎn)小于同步整流芯片U7710內(nèi)部MOSFET開啟檢測(cè)閾值，故經(jīng)過開通延遲（Td_on，約 200ns）后內(nèi)部MOSFET開通。

關(guān)斷階段

在同步整流MOSFET導(dǎo)通期間，同步整流芯片U7710采樣MOSFET漏-源兩端電壓 （Vds）。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET 關(guān)斷閾值，內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關(guān)斷。

前沿消隱 （LEB）

在內(nèi)部同步整流MOSFET開通瞬間，同步整流芯片U7710漏-源（Drain-Source） 之間會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導(dǎo)致芯片誤動(dòng)作，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路 （LEB）。在 LEB 時(shí)間（約 1us）內(nèi)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷內(nèi)部同步整流MOSFET，直至消隱時(shí)間結(jié)束。

同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)，也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式（DCM） 和準(zhǔn)諧振工作模式 （QR）。集成有VDD欠壓保護(hù)功能和VDD電壓鉗位。U7710內(nèi)置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統(tǒng)成本。