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旋涂技術(shù)的工作原理是什么

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來(lái)源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-07-25 16:36 ? 次閱讀

旋涂是應(yīng)用最廣泛的將光刻膠和其他材料均勻分配到基板。旋涂用于生產(chǎn)所需材料的薄膜,具有高水平的過(guò)程控制和可重復(fù)性。

光刻基礎(chǔ)知識(shí)庫(kù)文檔中討論的光刻膠對(duì)光刻工藝至關(guān)重要。

通常,光刻膠是一種高粘性材料,其涂層的均勻性對(duì)可靠性起著重要作用任何光刻工藝,以及可實(shí)現(xiàn)的分辨率。旋涂是一種廣泛使用的技術(shù)研究、開發(fā)和工業(yè)過(guò)程,以生產(chǎn)特定的均勻薄膜涂層。

旋涂的原理是將幾毫升的光刻膠分散到基板上?;迨侨缓笠?500 – 4000 rpm 范圍內(nèi)的高速旋轉(zhuǎn)。然后選擇光刻膠的粘度以保持在最佳范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)速度,同時(shí)產(chǎn)生所需膜厚的涂層。這些參數(shù)通常是由抗蝕劑制造商指定并且特定于所使用的抗蝕劑。這些信息的另一個(gè)來(lái)源參數(shù)是研究有關(guān)光刻的大量文獻(xiàn),并使已發(fā)布的工藝適應(yīng)您的需要。

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在旋轉(zhuǎn)之前將光刻膠分配在基板的中心,這稱為靜態(tài)分配。一個(gè)對(duì)此的替代方法是動(dòng)態(tài)分配,其中晶圓已經(jīng)以所需的速度旋轉(zhuǎn),然后進(jìn)行分配光刻膠。當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度超過(guò) 1000 rpm 時(shí),這是更常用的技術(shù)。

在這些高旋轉(zhuǎn)速度下,離心力導(dǎo)致粘性溶液向外擴(kuò)散并流向晶圓的邊緣。在邊緣處,材料會(huì)逐漸增加,直到克服光刻膠溶液的表面張力,在抗蝕劑從旋轉(zhuǎn)晶片中彈出的點(diǎn)。

該薄膜的厚度由多個(gè)定義參數(shù):旋轉(zhuǎn)速度、濃度、粘度和旋轉(zhuǎn)時(shí)間。

對(duì)均勻性的要求對(duì)紡絲工藝要求很高,因?yàn)楸∧さ馁|(zhì)量對(duì)紡絲至關(guān)重要

轉(zhuǎn)移圖案中缺陷的數(shù)量和大小。光刻工藝可能需要高均勻性,無(wú)論是跨越單個(gè)晶圓并從盒中的一個(gè)晶圓到另一個(gè)晶圓。典型的光刻膠薄膜厚度為 2 μm,這是±1.0%的均勻性要求。

為了達(dá)到這種高公差的均勻結(jié)果,必須精確控制旋轉(zhuǎn)速度和時(shí)間,以及晶片加速到指定的旋轉(zhuǎn)速度。在某些情況下,建議使用多速自旋協(xié)議由抗蝕劑制造商,這是為了確保最終的抗蝕劑厚度得到精細(xì)控制并在公差范圍內(nèi)需要進(jìn)一步處理。

進(jìn)一步控制旋涂光刻膠層的厚度是通過(guò)在升高的溫度下烘烤襯底來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

溫度,大約 90°C - 130°C。此烘烤步驟會(huì)蒸發(fā)多余的溶劑或水溶液,這些溶劑或水溶液用于涂布前分散光刻膠。隨著溶劑蒸發(fā),涂層厚度減小。在這種情況下,在一些較厚的抗蝕劑和工藝中,制造商通常建議采用多溫度烘烤工藝。

審核編輯:湯梓紅

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