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中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器中的濾波電感器接地電流建模

劉波 ? 來(lái)源:kgfhdfgx ? 作者:kgfhdfgx ? 2022-07-26 08:02 ? 次閱讀

使用寬帶隙 (WBG) 器件設(shè)計(jì)電子轉(zhuǎn)換器確實(shí)存在與高 dv/dt 瞬態(tài)相關(guān)的挑戰(zhàn),因?yàn)樗鼈兺ǔ?huì)導(dǎo)致有源和無(wú)源元件中的寄生參數(shù)。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大,眾所周知,硅基 IGBT 廣泛用于大功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。表 1 提供了基于 Si 的模塊和基于 SiC-MOSFET 的模塊之間基于其開關(guān)速度的比較。兩種在本質(zhì)上占主導(dǎo)地位的寄生電容,即匝間寄生電容和匝間電容,已被專門用于濾波電感器。為了分析寄生電容的目的,已經(jīng)詳細(xì)列出了兩種建模方法。在這里可以注意到,被稱為匝間和匝間的兩個(gè)電容已經(jīng)組合成一個(gè)等效電容。電感器的電容是不同的,它完全取決于鐵芯的電壓電位和繞組固定或連接鐵芯的電壓。當(dāng)磁芯處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí),電感器和變壓器的磁芯的電壓電位將高于中壓應(yīng)用。具有三個(gè)端子網(wǎng)絡(luò)由變壓器和具有接地連接的電感器形成。本文比較了器件 MV SiC MOSFET 的開關(guān)行為以及磁芯/框架浮動(dòng)和磁芯/框架接地電感對(duì)其的影響。最后,

表 1:開關(guān)速度比較

框架浮動(dòng)和框架接地中壓電感器的比較

圖 1 顯示了分析的 MV 30mH 電感器。它的額定電流為 10 A,基于納米晶磁芯。實(shí)驗(yàn)室電路圖中的雙脈沖測(cè)試如圖 2 所示。定制封裝的半橋 10 kV SiC MOSFET 的功率模塊可實(shí)現(xiàn)雙脈沖設(shè)置。借助 200 MHz Pearson TM精確測(cè)量高頻電流2877 個(gè)監(jiān)視器 。已經(jīng)使用兩個(gè)案例來(lái)測(cè)試這種類似的脈沖測(cè)試。在情況 1 中,被測(cè)試的 MV 電感器上沒有接地連接,或者可以說(shuō)鐵芯/框架是浮動(dòng)的,而在情況 2 中,鐵芯/框架已經(jīng)接地,這意味著已經(jīng)提供了一個(gè)接地連接中壓電感的接地點(diǎn)到直流母線的接地點(diǎn)。圖 3 顯示了在 3 kV 鏈路電壓和 12 A 峰值負(fù)載電流下進(jìn)行的測(cè)試的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。圖 4 顯示了接地電流對(duì)整個(gè)電源電路的影響,并清楚地提到了負(fù)載和接地電流的路徑。借助該實(shí)驗(yàn),可以得出結(jié)論,在關(guān)斷期間僅將接地電流添加到 id+(HS MOSFET 電流),與此概念相反,將接地電流添加到 id-(LS MOSFET 電流)在開啟期間。高頻分量增加了電磁干擾,因此在開關(guān)過程中能量耗散增加。

圖1:中壓電感30mH

圖 2:雙脈沖測(cè)試裝置的電路圖

圖 3:(a) 浮動(dòng)鐵芯/框架 (b) 接地鐵芯/框架的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

圖 4:(a) 關(guān)閉 (b) 開啟期間的電流路徑

通用三端等效電路

本文的這一部分是關(guān)于一般三端等效電路的介紹,該電路已經(jīng)為繞組到繞組和繞組到地之間存在的電容耦合制定了公式。圖 5 (a) 顯示了磁芯/框架接地的電感器示意圖,而圖 5 (b) 顯示了解決任意兩個(gè)端子之間電容耦合的阻抗。這里,端子 1 和 2 表示電源連接,端子 3 表示框架/核心接地的連接。圖 6 清楚地顯示了使用保護(hù)技術(shù)測(cè)量阻抗的三個(gè)步驟。

圖 5:電感等效電路

圖 6:阻抗測(cè)量步驟

模擬和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

為了簡(jiǎn)化所提到的模擬,確定中壓電感的 Y 13很重要。圖 7 顯示了擬合導(dǎo)納和測(cè)量導(dǎo)納之間的比較。仿真表明,中壓雙脈沖測(cè)試測(cè)得的輸出電壓與勵(lì)磁電壓相匹配。隨著更高的 dv/dt,接地電流以非線性方式增加,因?yàn)槎俗又g的阻抗不是一階系統(tǒng) 。

結(jié)論

本文分析了在核心/框架接地的情況下,基于 MV SiC-MOSFET 的轉(zhuǎn)換器的濾波電感器中的接地電流。這實(shí)際上被認(rèn)為是大功率電感器的常見解決方案。本文展示的行為模型具有模擬電感雙脈沖測(cè)試的接地電流的能力。在電壓 dv/dt 的較高電位下,接地電流以非線性方式增加,這有助于平衡電源模塊柵極驅(qū)動(dòng)器和濾波器的設(shè)計(jì)。

審核編輯:郭婷

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