羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù),從生態(tài)角度看待制造業(yè)
Rohm Semiconductor USA 總裁 Jay Barrus 和技術(shù)營銷經(jīng)理 Ming Su 在接受 EE Times 采訪時強調(diào)了 SiC 技術(shù)如何在電動汽車 (EV)和工業(yè)設(shè)備中發(fā)展,以及 Rohm 如何繼續(xù)在這方面進行投資區(qū)域。Barrus 和 Su 表示,Rohm 正在努力通過增加晶圓尺寸直徑來提高制造效率
“從一般角度來看,要成為可靠的供應(yīng)商,需要考慮三個因素:技術(shù)、成本和供應(yīng)可用性,”Barrus 說。“后者在今天不是什么大問題,但可能會在未來幾個月內(nèi)發(fā)揮作用。我們最近宣布阿波羅工廠已經(jīng)啟動并運行,我們期待未來的生產(chǎn)會有好結(jié)果?!?/p>
“價格是我們不僅在市場上認為真實的東西;我們認為它是某些應(yīng)用的關(guān)鍵要素,”他補充道。“我們正在為我們的客戶提供 SiC 的技術(shù)優(yōu)勢和成本結(jié)構(gòu),以轉(zhuǎn)向碳化硅?!?/p>
除了這座新大樓外,生產(chǎn) SiC 晶片的羅門集團公司 SiCrystal GmbH 將開始使用 100% 可再生能源進行生產(chǎn),從而將工廠購買能源的 CO 2排放量降至零?!八兄饕?SiC 晶圓生產(chǎn)工藝都將使用可再生能源,”Barrus 說。
杰伊·巴魯斯
碳化硅設(shè)施
Rohm 的 Apollo 工廠生產(chǎn)采用先進技術(shù)的 SiC 解決方案。自動化的重要性涉及 SiC 制造流程中的工業(yè) 4.0 方法,其中高效的基板制造決定了所有最終設(shè)備的成功。“我們的新設(shè)施有兩個主要特點,”巴魯斯說?!笆紫?,在我們所在的地區(qū),我們必須注意地震。日本作為一個整體,一直對此非常敏感,在這種情況下,這家工廠的設(shè)計不僅是為了生產(chǎn)效率,更重要的是為了人們的安全。另一個有趣的事情是通過可再生資源為建筑物供電,這表明我們是一家對環(huán)境負責的公司,并且我們以非常低的碳足跡管理設(shè)施。”
“在應(yīng)用方面,我們正在大力推動汽車和工業(yè)市場,”他補充道?!霸谄嚪矫?,我們正在使用牽引逆變器和車載充電器等常見設(shè)備解決汽車電氣化的關(guān)鍵應(yīng)用?!?/p>
在傳統(tǒng)的車載充電系統(tǒng)中,有一個橋式整流器將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓,但在整流過程中,功率轉(zhuǎn)換階段存在高導通、開關(guān)損耗和發(fā)熱問題。
對于 SiC 模塊,Rohm 指出,材料選擇是提供最佳熱性能的重要因素?!皞鹘y(tǒng)上,功率模塊使用基于氧化鋁陶瓷的 PVC,”蘇明說。他補充說:“但現(xiàn)在,人們希望使用更昂貴、導熱性更高的陶瓷材料,例如氮化硅,因此我們可以確保適當尺寸的芯片能夠處理最大可能的電流,而不會影響寄生元件和各種限制開關(guān)速度的電感?!?/p>
蘇明
目標是提供下一代 SiC MOSFET 以優(yōu)化性能。由于數(shù)量和相對于 IGBT 的競爭力,Su 指出仍然需要優(yōu)化成本。“我們計劃在今年年底前推出新一代的量產(chǎn)車型,以支持電動汽車的生產(chǎn),”蘇明說。
“該公司的第四代 SiC MOSFET 在更薄的 SiC 裸片上使用雙溝槽 MOSFET 結(jié)構(gòu),將 R DS(ON)降低 40%,”Barrus 說?!皩τ诖蠊β氏到y(tǒng),MOSFET芯片級電流密度的增加將與碳化硅芯片兩側(cè)的焊接和銀燒結(jié)兼容性相結(jié)合,以通過靈活的模塊封裝實現(xiàn)更高的功率循環(huán)可靠性和更好的熱性能?!?/p>
IGBT牽引逆變器仍有市場,尤其是對于更傳統(tǒng)的混合動力汽車。SiC 會比 IGBT 更貴,但與 IGBT 進步相比,它肯定能提高整體效率?!拔覀冋谑褂?6 英寸晶圓優(yōu)化 SiC 的生產(chǎn)效率,”Su 說?!岸以谖磥?,我們肯定已經(jīng)準備好進一步準備和升級到 8 英寸晶圓,這將提高生產(chǎn)力并降低每個裸片的成本?!?/p>
與硅版本相比,功率 MOSFET 中的 SiC 具有一系列優(yōu)勢,例如更高的導電性、更快的開關(guān)速度和更少的功率損耗。它還可以在更高的溫度和電壓下工作。憑借這些優(yōu)勢,它提高了功率 MOSFET 的效率和功率密度。
與硅版本對應(yīng)物相比,SiC 肖特基二極管提供更高的開關(guān)性能、更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。這些二極管提供最小的反向恢復、低正向壓降、浪涌電流能力、高電壓額定值和正溫度系數(shù)。
新二極管面向各種應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員,包括光伏太陽能逆變器、電動汽車充電器、電源和汽車應(yīng)用。與硅相比,它具有更低的漏電流和更高的摻雜。
另一方面,碳化硅二極管面臨的挑戰(zhàn)是在性能方面的差異化以及提供非常優(yōu)惠的價格。Rohm 提供 1,200-V 和 650-V 解決方案。最近的肖特基勢壘二極管產(chǎn)品包括 JBS 結(jié)構(gòu),它在芯片內(nèi)部嵌入了 pn 結(jié),使我們能夠抑制關(guān)態(tài)泄漏電流并提高浪涌電流處理能力?!白鳛槲覀兊牡?3 代碳化硅二極管,該產(chǎn)品目前提供 650 V 電壓,很快我們也將推出 1,200 V 電壓,”蘇明說。
“我們的 SiC 產(chǎn)品線從 650 V 到 1,700 V;對于 GaN 器件,業(yè)界關(guān)注 600 或 650 V,”Su 說?!拔覀冋趦?yōu)先開發(fā) 150 V 的 GaN,這將應(yīng)用于一些基站應(yīng)用和其他支持 40 至 48 V 總線架構(gòu)的電源轉(zhuǎn)換器?!?/p>
在寬禁帶半導體領(lǐng)域,金剛石是另一種具有多種卓越性能的材料,包括無與倫比的熱導率、高載流子遷移率和高電場擊穿強度。金剛石的物理特性為大功率電子技術(shù)在運輸和能源領(lǐng)域的應(yīng)用提供了巨大的潛力。目前該領(lǐng)域的研究正在進行中。
羅姆的阿波羅設(shè)施
審核編輯 黃昊宇
-
制造業(yè)
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
2173瀏覽量
53429 -
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
41文章
1676瀏覽量
90007 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2654瀏覽量
62091 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2633瀏覽量
48531
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論