在進(jìn)行功率MOSFET電路設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的重要參數(shù)是電流、電壓、功耗和熱。功耗和熱通常相互關(guān)聯(lián)。
電流:
電流可以是rms或dc或脈沖或峰值漏極電流。RMS代表均方根,分別用在不同的場(chǎng)合。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),如果電路中的電流不是一條直線,則使用rms值來(lái)計(jì)算功耗。但是,如果電路中的電流是直線保持不變,則使用直流值作為參考。MOS管的漏極電流也非常重要。峰值漏極電流是通常在單個(gè)脈沖或幾個(gè)脈沖中指定的額定值,這與短路等瞬態(tài)條件有關(guān)。
電壓:
我們這里所說(shuō)的電壓是指MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的漏源電壓電平,MOSFET對(duì)此電壓電平非常敏感。
功耗:
功耗是器件的實(shí)際功耗,這是傳導(dǎo)損耗或靜態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗或動(dòng)態(tài)損耗的總和。規(guī)格書一般會(huì)提供了最大功耗限制。
熱:
熱在電路設(shè)計(jì)中非常重要,設(shè)備不能太熱以免損壞它,規(guī)格書有規(guī)定的溫度限制。
審核編輯:湯梓紅
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