TI如何實現(xiàn)低噪聲和高精度的方法詳解

在我們的日常工作中，電源管理對實現(xiàn)電子元件的進一步集成至關(guān)重要。數(shù)十年來，TI 致力于開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計先進技術(shù)，從而為您的設(shè)計提供出色的電源器件。

無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器（ TI ）是與您攜手推動電源進一步發(fā)展的合作伙伴。

TI如何實現(xiàn)低噪聲和高精度的方法詳解：增強電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護和精度。

要實現(xiàn)精密信號鏈，低噪聲LDO穩(wěn)壓器和開關(guān)轉(zhuǎn)換器、精密的監(jiān)控和可靠的保護是必不可少的。對于電動汽車電池監(jiān)測、測試和測量以及醫(yī)療等應(yīng)用，TI使用專用的電源處理技術(shù)以及先進的電路和測試技術(shù)，可提高精度、更大限度地減少失真，并降低線性和開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器的噪聲。

TI低噪聲和高精度技術(shù)的優(yōu)勢

減少IC誤差源

（1）利用TI高度優(yōu)化的低噪聲互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝來減少工藝的非理想因素

（2）利用先進的電路和測試技術(shù)來降低工藝非理想因素的影響

圖 1. 噪聲與頻率曲線圖

（3）采用了陶瓷封裝和電路板應(yīng)力管理等先進技術(shù)

圖 2. 調(diào)節(jié)器件和電路板應(yīng)力

系統(tǒng)噪聲消減

（1）技術(shù)的進步支持通過高電源抑制比（PSRR）低壓降穩(wěn)壓器（LDO）和片上濾波實現(xiàn)更高的系統(tǒng)級抗干擾和抗噪性能

圖 3. 高PSRR可實現(xiàn)更好的濾波

和更低的輸出噪聲

如何降低LDO噪聲？

LDO中的主要噪聲源來自帶隙基準(zhǔn)源，可使用兩種方法來降低 LDO 中的噪聲。下面內(nèi)容詳細說明了這兩種方法。

降低噪聲的一種方法是降低LDO帶寬，這可以通過降低LDO內(nèi)部誤差放大器的帶寬來實現(xiàn)。但是，如果我們降低誤差放大器的帶寬，則會降低LDO瞬態(tài)響應(yīng)速度。

另一種方法是使用低通濾波器（LPF）。我們知道，LDO噪聲的最主要來源是內(nèi)部的帶隙基準(zhǔn)源。因此，我們可在帶隙輸出和誤差放大器輸入之間插入一個 LPF，從而在誤差放大器將帶隙噪聲放大之前將其降低。通常，該LPF由一個內(nèi)部大電阻器和一個外部電容器組成。此濾波器的截止頻率設(shè)置得越低越好，從而濾除幾乎所有的帶隙噪聲。

這里始終有一個問題：為什么占用大部分芯片面積的大功率導(dǎo)通元件（主要是FET）不是主要噪聲源？答案是沒有增益。作為主要噪聲源的帶隙基準(zhǔn)源連接至誤差放大器的輸入端，因此會被誤差放大器的增益放大。我們知道，要研究輸出噪聲，首先要了解運算放大器輸入的每個噪聲影響因素；所以，要研究導(dǎo)通FET的噪聲，需要先找到噪聲的影響因素，即導(dǎo)通FET和誤差放大器輸入之間的開環(huán)增益。開環(huán)增益非常大，因此導(dǎo)通FET的其他噪聲影響因素通常可以忽略不計。

審核編輯：湯梓紅