電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近日,蘋芯科技宣布已于數(shù)月前完成千萬級美元A輪融資,該輪融資由春華創(chuàng)投領(lǐng)投,紅點(diǎn)中國、紅杉中國、真格基金等老股東全部跟投。據(jù)悉,本輪融資資金將主要用于加大技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)投入,加速更多應(yīng)用場景落地。
蘋芯科技成立于2021年,專注于存內(nèi)計(jì)算AI芯片研究與應(yīng)用,希望通過SRAM技術(shù)路線突破傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)所造成的存儲墻局限,為人工智能行業(yè)下的多元場景提供底層算力。
什么是存內(nèi)計(jì)算?它是把計(jì)算單元嵌入到內(nèi)存當(dāng)中。通常計(jì)算機(jī)運(yùn)行的馮·諾依曼體系包括存儲單元和計(jì)算單元兩部分,計(jì)算機(jī)實(shí)施運(yùn)算需要先把數(shù)據(jù)存入主存儲器,再按順序從主存儲器中取出指令,一條一條的執(zhí)行,數(shù)據(jù)需要在處理器與存儲器之間進(jìn)行頻繁遷移。
如果內(nèi)存的傳輸速度跟不上CPU的性能,就會導(dǎo)致計(jì)算能力受到限制,即“內(nèi)存墻”出現(xiàn),例如,CPU處理運(yùn)算一道指令的耗時假若為1ns,但內(nèi)存讀取傳輸該指令的耗時可能就已達(dá)到10ns,嚴(yán)重影響了CPU的運(yùn)行處理速度。
此外,讀寫一次內(nèi)存的數(shù)據(jù)能量比計(jì)算一次數(shù)據(jù)的能量多消耗幾百倍,也就是“功耗墻”的存在。2018年,谷歌針對自家產(chǎn)品的耗能情況做了一項(xiàng)研究,發(fā)現(xiàn)整個系統(tǒng)耗能的62.7%浪費(fèi)在CPU和內(nèi)存的讀寫傳輸上,傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)導(dǎo)致的高延遲和高耗能的問題成為急需解決的問題,其中的短板存儲器成為了制約數(shù)據(jù)處理速度提高的主要瓶頸。
而存內(nèi)計(jì)算可以有效消除存儲單元與計(jì)算單元之間的數(shù)據(jù)傳輸耗能過高、速度有限的情況,從而有效解決馮諾依曼瓶頸。
存內(nèi)計(jì)算存在多種基于不同存儲介質(zhì)的技術(shù)路徑,如SRAM、Flash及其它新型存儲器。蘋芯科技選擇的是基于SRAM做存內(nèi)計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)驗(yàn)證,并開展新型存儲器拓展研究的技術(shù)路線。
蘋芯科技CEO楊越此前在接受電子發(fā)燒友采訪的時候表示,因?yàn)镾RAM工藝成熟度高,具有向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高兼容性和無限擦寫次數(shù)的優(yōu)勢,在計(jì)算時能夠做到精度無損、讀寫延遲短,適用于諸如自動駕駛、無人機(jī)等對計(jì)算準(zhǔn)確性和反應(yīng)速度要求高的場景。
蘋芯科技也致力于基于新型存儲器的存算一體技術(shù)的研發(fā),公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)在新型存儲器及應(yīng)用方面有著非常雄厚的技術(shù)積累。蘋芯選擇新型存儲器的原因:一是因?yàn)樗哂懈咝阅芴旎ò澹沁@也有利于團(tuán)隊(duì)核心成員更好地發(fā)揮過往的技術(shù)積累和工程經(jīng)驗(yàn)。
存內(nèi)計(jì)算未來有很好的市場機(jī)會,現(xiàn)在很多具有AI計(jì)算功能的芯片,包括GPU、FPGA以及NPU、SOC等,都是基于傳統(tǒng)的馮諾伊曼架構(gòu)設(shè)計(jì)的,會受到存儲墻、功耗墻的約束,這就導(dǎo)致他們在絕對計(jì)算上很強(qiáng),但在整個計(jì)算效率上存在天花板,存內(nèi)計(jì)算可以彌補(bǔ)這些問題。
當(dāng)前蘋芯科技已完成了三次產(chǎn)品流片,并達(dá)到28nm制程節(jié)點(diǎn)的商業(yè)化應(yīng)用,可以根據(jù)場景需求向更高工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn)。目前,蘋芯科技已與國內(nèi)外電子類頭部企業(yè)、大型企業(yè)集團(tuán)等客戶展開合作,為其解決存內(nèi)計(jì)算一鍵部署的需求。
整體而言,現(xiàn)階段各家廠商大多處于探索階段,短期來看,存內(nèi)計(jì)算的主要市場機(jī)會主要會出現(xiàn)在端側(cè)的產(chǎn)品上,比如可穿戴設(shè)備、智能家居等。長期來看,隨著存內(nèi)計(jì)算計(jì)算能力提升2-3個量級,存內(nèi)計(jì)算的應(yīng)用會擴(kuò)展到更多場景中,比如自動駕駛、云計(jì)算等等。
蘋芯科技成立于2021年,專注于存內(nèi)計(jì)算AI芯片研究與應(yīng)用,希望通過SRAM技術(shù)路線突破傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)所造成的存儲墻局限,為人工智能行業(yè)下的多元場景提供底層算力。
什么是存內(nèi)計(jì)算?它是把計(jì)算單元嵌入到內(nèi)存當(dāng)中。通常計(jì)算機(jī)運(yùn)行的馮·諾依曼體系包括存儲單元和計(jì)算單元兩部分,計(jì)算機(jī)實(shí)施運(yùn)算需要先把數(shù)據(jù)存入主存儲器,再按順序從主存儲器中取出指令,一條一條的執(zhí)行,數(shù)據(jù)需要在處理器與存儲器之間進(jìn)行頻繁遷移。
如果內(nèi)存的傳輸速度跟不上CPU的性能,就會導(dǎo)致計(jì)算能力受到限制,即“內(nèi)存墻”出現(xiàn),例如,CPU處理運(yùn)算一道指令的耗時假若為1ns,但內(nèi)存讀取傳輸該指令的耗時可能就已達(dá)到10ns,嚴(yán)重影響了CPU的運(yùn)行處理速度。
此外,讀寫一次內(nèi)存的數(shù)據(jù)能量比計(jì)算一次數(shù)據(jù)的能量多消耗幾百倍,也就是“功耗墻”的存在。2018年,谷歌針對自家產(chǎn)品的耗能情況做了一項(xiàng)研究,發(fā)現(xiàn)整個系統(tǒng)耗能的62.7%浪費(fèi)在CPU和內(nèi)存的讀寫傳輸上,傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)導(dǎo)致的高延遲和高耗能的問題成為急需解決的問題,其中的短板存儲器成為了制約數(shù)據(jù)處理速度提高的主要瓶頸。
而存內(nèi)計(jì)算可以有效消除存儲單元與計(jì)算單元之間的數(shù)據(jù)傳輸耗能過高、速度有限的情況,從而有效解決馮諾依曼瓶頸。
存內(nèi)計(jì)算存在多種基于不同存儲介質(zhì)的技術(shù)路徑,如SRAM、Flash及其它新型存儲器。蘋芯科技選擇的是基于SRAM做存內(nèi)計(jì)算基礎(chǔ)架構(gòu)驗(yàn)證,并開展新型存儲器拓展研究的技術(shù)路線。
蘋芯科技CEO楊越此前在接受電子發(fā)燒友采訪的時候表示,因?yàn)镾RAM工藝成熟度高,具有向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高兼容性和無限擦寫次數(shù)的優(yōu)勢,在計(jì)算時能夠做到精度無損、讀寫延遲短,適用于諸如自動駕駛、無人機(jī)等對計(jì)算準(zhǔn)確性和反應(yīng)速度要求高的場景。
蘋芯科技也致力于基于新型存儲器的存算一體技術(shù)的研發(fā),公司創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)在新型存儲器及應(yīng)用方面有著非常雄厚的技術(shù)積累。蘋芯選擇新型存儲器的原因:一是因?yàn)樗哂懈咝阅芴旎ò澹沁@也有利于團(tuán)隊(duì)核心成員更好地發(fā)揮過往的技術(shù)積累和工程經(jīng)驗(yàn)。
存內(nèi)計(jì)算未來有很好的市場機(jī)會,現(xiàn)在很多具有AI計(jì)算功能的芯片,包括GPU、FPGA以及NPU、SOC等,都是基于傳統(tǒng)的馮諾伊曼架構(gòu)設(shè)計(jì)的,會受到存儲墻、功耗墻的約束,這就導(dǎo)致他們在絕對計(jì)算上很強(qiáng),但在整個計(jì)算效率上存在天花板,存內(nèi)計(jì)算可以彌補(bǔ)這些問題。
當(dāng)前蘋芯科技已完成了三次產(chǎn)品流片,并達(dá)到28nm制程節(jié)點(diǎn)的商業(yè)化應(yīng)用,可以根據(jù)場景需求向更高工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn)。目前,蘋芯科技已與國內(nèi)外電子類頭部企業(yè)、大型企業(yè)集團(tuán)等客戶展開合作,為其解決存內(nèi)計(jì)算一鍵部署的需求。
整體而言,現(xiàn)階段各家廠商大多處于探索階段,短期來看,存內(nèi)計(jì)算的主要市場機(jī)會主要會出現(xiàn)在端側(cè)的產(chǎn)品上,比如可穿戴設(shè)備、智能家居等。長期來看,隨著存內(nèi)計(jì)算計(jì)算能力提升2-3個量級,存內(nèi)計(jì)算的應(yīng)用會擴(kuò)展到更多場景中,比如自動駕駛、云計(jì)算等等。
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