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氮化鋁基板大功率混合電路厚膜材料

科技訊息 ? 來(lái)源:科技見(jiàn)聞網(wǎng) ? 作者:科技見(jiàn)聞網(wǎng) ? 2022-08-16 12:21 ? 次閱讀

摘要

40多年來(lái),設(shè)計(jì)和制造傳統(tǒng)混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機(jī)械強(qiáng)度、電阻率和熱性能。然而,在過(guò)去幾年中,我們經(jīng)歷了混合技術(shù)向具有高度復(fù)雜、密集電路配置的電子設(shè)備的轉(zhuǎn)變,這些電子設(shè)備比以前的設(shè)計(jì)產(chǎn)生更多的功率,從而產(chǎn)生更多的熱量。這需要使用具有更高導(dǎo)熱性的基板來(lái)正確管理傳熱和散熱,以保持終端設(shè)備的最佳性能和功能。氮化鋁顯示的熱性能為設(shè)計(jì)工程師提供了一種可靠的替代傳統(tǒng)氧化鋁的方法。

在創(chuàng)造新的令人興奮的可能性的同時(shí),氮化鋁的使用也為厚膜供應(yīng)商和電路制造商帶來(lái)了一系列不同的挑戰(zhàn)。由于熱膨脹失配,以及在燒制過(guò)程中影響附著力的基板發(fā)生的化學(xué)變化,以前適用于氧化鋁的厚膜漿料通常與氮化鋁不相容。為了克服這一挑戰(zhàn)以及高功率、高可靠性電路應(yīng)用的性能要求,賀利氏開(kāi)發(fā)了一種符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn)的新型厚膜漿料。此外,我們還開(kāi)發(fā)了電阻漿料和兼容的玻璃釉。本文將討論上述厚膜材料及其可靠性測(cè)試前后的關(guān)鍵性能。這包括導(dǎo)體的附著力、電阻值及其TCR。

一、 導(dǎo)言

厚膜混合電路技術(shù)以一種基板和元器件集成形式出現(xiàn)了近60年【1】。與典型的覆銅線(xiàn)板相比,厚膜在更小的封裝中提供了類(lèi)似或優(yōu)異的性能,具有更好的散熱優(yōu)勢(shì)。傳統(tǒng)上,用于印刷混合電路的基板是氧化鋁。它成功地滿(mǎn)足了大多數(shù)功能操作要求:體積電阻率、高溫穩(wěn)定性、低表面粗糙度、可接受的導(dǎo)熱性,以及與用于制造導(dǎo)體、電阻器、電介質(zhì)和玻璃釉的各種材料(玻璃、金屬氧化物和貴金屬)的兼容性。此外,它提供了一個(gè)寬的處理窗口,有助于最大限度地減少厚膜的性能變化。然而,市場(chǎng)已不斷需求更高功率密度和更好熱量的小型設(shè)備耗散以提高設(shè)備性能。為了有效地制作這些設(shè)備,熱導(dǎo)率必須比氧化鋁基板所能提供的還要高。為了滿(mǎn)足這一要求,更具導(dǎo)熱性的氮化鋁基板得到使用。如表1【2】所示,根據(jù)制造商的不同,氮化鋁的熱導(dǎo)率可以比氧化鋁高7.5到10倍,同時(shí)在相同的工藝窗口內(nèi)仍保持類(lèi)似的功能特性。

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表1:氧化鋁和氮化鋁陶瓷基板的性能比較

出于上述原因,在電力電子和功率LED封裝中,氮化鋁似乎是比氧化鋁更好的選擇。然而,氮化鋁還具有其他固有特性,這給厚膜供應(yīng)商帶來(lái)了挑戰(zhàn),尤其是在附著力方面。氮化鋁的熱膨脹系數(shù)比氧化鋁低得多。厚膜電路常用的氧化鋁為96%,其余主要為玻璃相,厚膜漿料中的玻璃和氧化鋁96瓷中的玻璃相在燒結(jié)時(shí)形成鍵接,從而達(dá)到很好的附著力,但AlN表面卻沒(méi)有這些玻璃相,所以常規(guī)的用于氧化鋁96瓷的漿料無(wú)法用于AlN上,且因?yàn)闊崤蛎洸黄ヅ淇赡軐?dǎo)致零件燒制后彎曲和/或開(kāi)裂。氮化鋁在高于700°C的溫度下也會(huì)氧化,通常用于氧化鋁的許多玻璃會(huì)加速和增強(qiáng)氧化,產(chǎn)生游離氮,從而破壞薄膜,導(dǎo)致起泡,從而直接影響附著力以及導(dǎo)電性和電氣性能。賀利氏通過(guò)開(kāi)發(fā)一系列厚膜漿料產(chǎn)品允許在氮化鋁上構(gòu)建混合電路。我們將討論各種多層混合電路,重點(diǎn)介紹幾種導(dǎo)體(銀、銀鈀、銀鉑、銅和金)以及兩種電阻膏,玻璃釉。對(duì)于導(dǎo)體,我們將詳細(xì)說(shuō)明幾個(gè)關(guān)鍵性能特性,如初始附著力和長(zhǎng)期可靠性測(cè)試后的附著力,包括150°C老化附著力和85°C/85%RH(相對(duì)濕度)。將對(duì)金導(dǎo)體進(jìn)行相同的測(cè)試;然而,附著力將基于金絲鍵合。對(duì)于電阻漿料,我們將在進(jìn)行可靠性測(cè)試后測(cè)量電阻變化和TCR(電阻溫度系數(shù)),無(wú)論是否使用上釉。

二、加工厚膜導(dǎo)體(銀、銀鈀)

在2"x2"的Maruwa氮化鋁(AlN-170)基板上印制了以下導(dǎo)體漿料:CL80-11157(Ag)、C2360(6:1 Ag/Pd)。在兩個(gè)零件上進(jìn)行了初始和重新燃燒的附著力試驗(yàn)。其余10個(gè)零件用于可靠性測(cè)試。其中5個(gè)用于150°C老化,5個(gè)用于85°C/85%RH試驗(yàn)。

對(duì)于銀、銀鈀的導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)線(xiàn)徑為1.3 mil的280目/0.5 mil的乳膠膜不銹鋼絲網(wǎng),使用70硬度的刮板。印刷后,將零件流平10分鐘并放置在150°C的箱式爐中10分鐘,以確保漿料完全干燥。在燒結(jié)爐中停留10分鐘的850°C峰值溫度。

圖1顯示了每個(gè)導(dǎo)體的燒結(jié)微觀結(jié)構(gòu)的SEM圖像。導(dǎo)體內(nèi)的玻璃/金屬氧化物在導(dǎo)體和基板之間的界面處形成了一層結(jié)晶,這會(huì)產(chǎn)生一種對(duì)粘合至關(guān)重要的機(jī)械粘合。CL80-11157(1a) 和 C2360(1b),結(jié)晶的的微觀結(jié)構(gòu)非常相似。這是因?yàn)閷?dǎo)體具有類(lèi)似的玻璃和金屬氧化物化學(xué)性質(zhì)。

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圖1:氮化鋁厚膜導(dǎo)體的截面

為了準(zhǔn)備用于附著力測(cè)試的樣品(圖2),將錫鉛絲焊接到每個(gè)已燒結(jié)的樣品上的80 x 80 mil導(dǎo)體焊盤(pán)上。樣品在250°C下浸入Alpha 615 RMA助焊劑并放入無(wú)鉛SAC305(Sn96.5/Ag3.0/Cu-0.5)焊料中5秒鐘。焊接后,引線(xiàn)彎曲成90度角。使用Zwick/Roell Z2.5剝離測(cè)試儀,移除電線(xiàn)并測(cè)量附著力。

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圖2:使用Alpha 615 RMA助焊劑在250°C下通過(guò)SAC305焊料對(duì)導(dǎo)體和導(dǎo)線(xiàn)連接至導(dǎo)體焊盤(pán)的可焊性測(cè)試

三、附著力性能評(píng)估

表2列出了各導(dǎo)體的特性。漿料的粘度和流變性適合絲網(wǎng)印刷應(yīng)用。燒成膜厚度和電阻率測(cè)量基于之前概述的加工條件。

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表2:導(dǎo)體漿料特性

圖3顯示了初始和重復(fù)燒結(jié)的附著力結(jié)果。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用,大于4.0磅的初始附著力值被認(rèn)為是可以接受的。正如預(yù)期的那樣,再次燒結(jié)后附著力降低。這可歸因于多種因素:導(dǎo)體內(nèi)玻璃成分的回流、玻璃/金屬氧化物與金屬顆粒反應(yīng)方式的變化和/或與氮化鋁基板氧化相關(guān)的化學(xué)反應(yīng)。通常,再次燒結(jié)后,可以接受大于3.0磅的附著力。除CL80-11157(Ag)略低于外,C2360超過(guò)了3.0磅的附著力目標(biāo)。表3和表4分別說(shuō)明了150°C老化和85°C/85%相對(duì)濕度可靠性試驗(yàn)的結(jié)果。

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圖3:導(dǎo)體附著力(初始與3次重復(fù)燒結(jié))

150°C老化結(jié)果(表3)表明CL80-11157(Ag)、C2360(Ag/Pd)導(dǎo)體的初始(1x燒結(jié))附著力在1000小時(shí)后>4.0磅。老化后,CL80-11157(Ag)對(duì)于單次燒結(jié)的樣品附著力幾乎不變,但對(duì)于3次燒結(jié)的樣品,附著力是增加的。

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表3:導(dǎo)體150°C老化后附著力(lbs.)

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表4:導(dǎo)體85°C/85%RH老化后附著力(lbs.)

85°C/85%相對(duì)濕度研究的結(jié)果(表4)表明,所有導(dǎo)線(xiàn)的初始(1x燃燒)附著力均超過(guò)了4.0磅的目標(biāo)值。再次,我們注意到多次燒結(jié)后的附著力在雙85試驗(yàn)后有所降低。

四、 金導(dǎo)體加工

在2“x2”的Maruwa氮化鋁(AlN-170)基板上印制一層C5730金導(dǎo)體。印刷、干燥和燒制試驗(yàn)條件與前面討論的導(dǎo)體相同。燒成后,使用1.25密耳金絲,在2個(gè)樣品(30次拉拔樣品)上測(cè)量初次燒成、3次再燒成和5次再燒成的金導(dǎo)體附著力。圖4顯示了金的微觀結(jié)構(gòu)和引線(xiàn)鍵合。燒制導(dǎo)體的橫截面用4a表示。與之前的導(dǎo)體(圖1)的方式大致相同,在界面處形成了一層玻璃層,形成了一種機(jī)械結(jié)合,有助于提高附著力值。圖4b顯示了完整的導(dǎo)線(xiàn)鍵合,而4c和4d顯示了4b中所示楔形鍵合和球形鍵合的高倍視圖。粘結(jié)層干凈,無(wú)開(kāi)裂或分層跡象。在1x、3x、5x燃燒后,還對(duì)兩個(gè)樣品進(jìn)行了附著力測(cè)試,以進(jìn)行以下可靠性測(cè)試:在150°C和85°C下老化,在0、48、100、250、500和1000小時(shí)下進(jìn)行85%相對(duì)濕度測(cè)試。

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圖4:C5730金導(dǎo)體在氮化鋁上和金線(xiàn)鍵合的SEM照片。

金導(dǎo)體屬性/性能評(píng)估

C5730金導(dǎo)體的粘度為280–380 Pa-s,使用Brookfield HBT粘度計(jì)在25°C溫度下使用6R杯,SC4-14號(hào)軸,在10rpm下測(cè)量。在12μm的標(biāo)準(zhǔn)化厚度下,固體含量為84–87%,電阻率<5.5毫歐/平方。附著力結(jié)果見(jiàn)圖5和圖6。通常,金線(xiàn)粘結(jié)附著力>12克,界面斷線(xiàn)是可取的。正如我們?cè)趫D5中所看到的,初始和再燒結(jié)后的附著力沒(méi)有統(tǒng)計(jì)差異。中值保持不變。

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圖5:初始和重新燒結(jié)后的1.25密耳金絲鍵合界面圖

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圖6:可靠性測(cè)試后C5730初始和重復(fù)燒結(jié)導(dǎo)體上的金絲拉力結(jié)果

圖6顯示了150°C老化、85°C/85%RH和-55–150°C熱循環(huán)可靠性研究產(chǎn)生的導(dǎo)線(xiàn)粘結(jié)附著力。結(jié)果表明,初始、3次再燒和5次再燒之間的附著力沒(méi)有顯著差異。此外,1000小時(shí)老化后、1000小時(shí)85°C/85%RH和1000次熱循環(huán)后的值實(shí)際上大于初始附著力。數(shù)值范圍為14-17克,遠(yuǎn)高于12克的目標(biāo)值。

六、 電阻器加工

最初為氧化鋁開(kāi)發(fā)的兩種無(wú)鉛電阻漿料與氮化鋁具有良好的兼容性。R2211為10Ω/□電阻漿料,R2221為Ω/□電阻漿料。印刷、干燥和燒制條件與上述導(dǎo)體漿料相同。電阻器印刷在已有C2360(銀/鈀)導(dǎo)體的樣品上。兩個(gè)樣品分別用于3次再燒和5次再燒試驗(yàn)。六個(gè)樣品用于可靠性測(cè)試。兩個(gè)樣品用于150°C老化,兩個(gè)樣品用于85°C/85%RH,兩個(gè)用于熱循環(huán)(-55°C–150°C)測(cè)試。

還有六個(gè)樣品印刷了玻璃釉漿料(IP9002)。IP9002通過(guò)200目篩網(wǎng)印刷,使用70硬度計(jì)刮板,鋼絲直徑為1.6密耳,乳膠厚度為0.5密耳。干燥后,在600°C下燒制,在峰值溫度下停留5分鐘。在這些樣品上進(jìn)行可靠性測(cè)試的方式與無(wú)釉的樣品相同。在有釉和無(wú)釉的每個(gè)條件下,測(cè)量電阻變化以及+TCR和-TCR。

七、電阻器/印刷釉后特性和性能評(píng)估

表5列出了R2211和R2221電阻器的特性。

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表5:電阻器印刷后情況

表6和表7列出了R2211和R2221電阻器在多次燒結(jié)后以及使用IP9002釉后的電阻變化。正如預(yù)期的那樣,電阻隨著多次燒結(jié)而降低。我們還觀察到,在印刷有釉之后,電阻變化是可預(yù)測(cè)和可再現(xiàn)的。

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表6:電阻多次重?zé)兓?/p>

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表7:電阻有玻璃釉的變化

表8-10顯示了在150°C老化、85°C/85%RH和-55°C–150°C熱循環(huán)可靠性測(cè)試后,R2211和R2221與有IP9002釉的電阻變化。在150°C和85°C/85%RH下1000小時(shí)后,有釉的電阻變化小于5%,這在10%的典型行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。同樣,500次熱循環(huán)后的變化在目標(biāo)限值內(nèi)。

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表8:電阻變化(150°C老化)

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表9:電阻變化(85°C/85%相對(duì)濕度)

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表10:電阻變化(TC:-55°C–150°C)

表11-12顯示了150°C老化和85°C/85%RH(有或沒(méi)有IP9002釉)后的TCR值。熱TCR測(cè)量在125°C下進(jìn)行,冷TCR測(cè)量在-55°C下進(jìn)行。在老化研究中,當(dāng)用玻璃釉時(shí),兩個(gè)電阻器的熱TCR和冷TCR變化很小。而在85°C/85%RH研究中,有釉層時(shí)TCR的變化很大(表12)。

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表11:熱態(tài)和冷態(tài)TCR(150°C老化)

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表12:熱態(tài)和冷態(tài)TCR(85°C/85%相對(duì)濕度)

八、結(jié)論

賀利氏已開(kāi)發(fā)出用于氮化鋁基板的符合RoHS和REACH兼容的無(wú)鉛厚膜漿料,這包括銀、銀/鈀和金導(dǎo)體,以及兩個(gè)具有兼容玻璃釉的電阻漿料。所提供的數(shù)據(jù)清楚地表明,這些產(chǎn)品的性能特征與為氧化鋁基板設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)厚膜漿料相似。對(duì)于大多數(shù)導(dǎo)體,可靠性測(cè)試前后測(cè)得的附著力值滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)厚膜要求。與導(dǎo)體非常相似,10歐姆和100歐姆電阻器可產(chǎn)生良好的性能結(jié)果。這包括可重復(fù)生產(chǎn)的穩(wěn)定阻值、優(yōu)異的再燒性以及在進(jìn)行可靠性測(cè)試后(無(wú)論是否有玻璃釉)可預(yù)測(cè)的TCR值。

目前賀利氏開(kāi)發(fā)的用于AlN基板的材料如下表所列:

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所以該系列產(chǎn)品為需要使用氮化鋁改善散熱的應(yīng)用提供了理想的解決方案。這解決了工業(yè)對(duì)高密度汽車(chē)混合動(dòng)力車(chē)、加熱器總成和LED照明的需求及更多功率電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

審核編輯:湯梓紅

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    國(guó)瓷<b class='flag-5'>材料</b>:DPC陶瓷<b class='flag-5'>基板</b>國(guó)產(chǎn)化突破

    案例分享第九期:氮化鋁陶瓷切割實(shí)例

    ,絕大多數(shù)大功率混合集成電路基板材料一直沿用Al?O?氧化鋁和BeO氧化鈹陶瓷。但Al?O?基板的熱導(dǎo)率低,熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配。BeO
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:54 ?1461次閱讀
    案例分享第九期:<b class='flag-5'>氮化鋁</b>陶瓷切割實(shí)例

    氮化鋁大功率混合電路材料介紹

    40多年來(lái),設(shè)計(jì)和制造傳統(tǒng)混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機(jī)械強(qiáng)度、電阻率和熱性能。然而,在過(guò)去幾年中,我們經(jīng)歷了
    的頭像 發(fā)表于 07-13 17:02 ?754次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>基<b class='flag-5'>大功率</b><b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>電路</b><b class='flag-5'>厚</b><b class='flag-5'>膜</b><b class='flag-5'>材料</b>介紹

    氮化鋁上的功率片式電阻器

    EAK功率片式電阻器和氮化鋁片式端接非常適合大多數(shù)需要在小尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱性的應(yīng)用。AlN 是 BeO 的理想替代品,具有高功耗且對(duì)環(huán)境或健康無(wú)危害。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 07:19 ?251次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>上的<b class='flag-5'>厚</b><b class='flag-5'>膜</b>高<b class='flag-5'>功率</b>片式電阻器

    氮化鋁與氧化鈹用于大功率電阻器產(chǎn)品

    在過(guò)去的幾十年里,氧化鈹(BeO)一直是用于高功率應(yīng)用的射頻電阻器和端接的主要基板材料。雖然BeO非常適合電子行業(yè)的大功率應(yīng)用,但其粉塵顆粒是有毒的;如果吸入BeO顆粒,它們可能會(huì)導(dǎo)致鈹中毒,即肺部
    的頭像 發(fā)表于 06-19 07:23 ?371次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化鋁</b>與氧化鈹用于<b class='flag-5'>大功率</b>電阻器產(chǎn)品