詳細(xì)介紹一下TLP測試相關(guān)的知識

ESD的概念想必大家都非常清楚，即兩個(gè)物體之間的電荷的轉(zhuǎn)移，當(dāng)兩個(gè)物體之間直接接觸或者相互靠近發(fā)生介質(zhì)擊穿時(shí)，就會產(chǎn)生靜電放電。

而TLP（傳輸線脈沖測試Transmission-line pulse -TLP）是一種通過測量時(shí)域的電流和電壓來研究集成電路的及其特性的ESD測試方法。

下面詳細(xì)介紹一下TLP測試相關(guān)的知識：

TLP脈沖發(fā)生器的基本結(jié)構(gòu)：長度為L的充電線（TL1），開關(guān)S1和高壓電源（Vo）。

A、充電線的長度決定了脈沖的寬度；

B、標(biāo)準(zhǔn)TLP的典型值為100ns脈沖寬度，1ns的上升時(shí)間；

C、逐步增加脈沖幅度，直到DUT出現(xiàn)故障或者達(dá)到最大的電壓；

D、DUT的故障通常通過DC漏電流來判斷

E、通常讀取脈沖時(shí)間70%到90%的時(shí)間。

使用TLP測試出來的I-V曲線

動態(tài)阻抗是ESD保護(hù)器件的一個(gè)非常重要的參數(shù)，動態(tài)阻抗越低，表明更多的ESD電流會流經(jīng)保護(hù)器件，更少的電流會流經(jīng)被保護(hù)設(shè)備。

動態(tài)阻抗的定義：dv/dI

一般TVS的動態(tài)阻抗為幾百mohm到幾o(hù)hm，而多層壓敏電阻-對于低電容設(shè)備，有幾o(hù)hm或者更高的阻抗。



審核編輯：劉清